【正文】 ，即降低了生產(chǎn)成本，為今后 多晶硅在 市場上的競爭處于有利地位。 石灰砂（硅石） 煤、焦 炭、木屑 (CO、 SiO、 H2O) 凝聚 SiO SiO+ CO= SiO2+ C 1500℃ 從 SiO 和 C SiO+ 2C= SiC+ CO 生成 SiC，熔融 SiO2 1700℃ 2 Si C +SiO2 = Si + SiO+ CO 熔融液體硅 排出硅 工業(yè)硅冶煉爐示意圖 電極 22 附件 10： 生產(chǎn)用原料與中間產(chǎn)品 的質(zhì)量要求 原 料 名 稱 項目內(nèi)容 質(zhì)量指標 備 注 1, 工業(yè)硅粉 粒度 (占 80%) t/a 純度 :含硅量 ≥ 99%(w) 含 Fe ≤ %(w) 含 Al ≤ %(w) 含 Ca ≤ %(w) 含 Ti ≤ %(w) 含 P ≤ %(w) 含 B ≤ %(w) 含 H2O ≤ %(w) 2 液氯 純度 :含氯量 含 H2O 含 NCL3 不揮發(fā)殘渣 ≥ %(V) ≤ %(w) ≤ %(w) ≤ %(w) t/a 3 電解氫氣 純度 :含氫量 含氧 露點 ≥ %(V) ≤ %(V) ≤ 60℃ ≤ 30PPm 4 高純氫氣 純度 :含氫量 含氧 含氮 露點 ≥ %(V) ≤ %(V) ≤ %(V) ≤ 70℃ t/a ≤ 1PPm CO, CO2,CH 未檢出 5 高純氮氣 純度 :含氮量 含氧 含氫 含 H2O ≥ %(V) ≤ %(V) ≤ %(V) ≤ %(V) CO, CO2,CH 未檢出 6 合成 HCL 純度 :含 HCL 量 含 H2 ≥ 95%(V) ≤ 4%(V) 7 合成 TCS 純度 :含 TCS 量 含 STC 含 DCS 含 C ≥ 87%(w) ≤ 10%(w) ≤ 2%(w) ≤ 100PPmw (+20200= t/a) 8 外購 TCS 純度 :含 TCS 量 含 STC 含 DCS 含 C ≥ 98%(w) ≤ 1%(w) ≤ %(w) ≤ 100PPmw 設計為 20200 t/a (視合成 TCS 量多少而定 ) 9 精餾 TCS 純度 :含 TCS 量 含 STC 含 DCS 含 B 含 P 含 Fe 含 C ≥ 93%(w) ≤ 1%(w) ≤ 6%(w) ≤ ≤ ≤ 10PPbw ≤ 50PPmw t/a 合成料、 % 還原回收料 % 氫化回收料 % 23 附件 11：多晶硅產(chǎn)品方案、規(guī)格與質(zhì)量指標 1，產(chǎn)品方案： 本 項的產(chǎn)要產(chǎn)品為太陽能級多晶硅，但留有可生產(chǎn)電路級產(chǎn)品的余地（但總產(chǎn)量要適當減少）。 3）， 德國瓦克公司的 STC 用來生產(chǎn)氣相白炭黑產(chǎn)品。現(xiàn)代化大型還原爐可裝 4850 對硅棒。前面介紹的 有 20 個方面的配套設施 ，都是為還原爐生產(chǎn)多晶硅服務的。 所謂改良西門子法，即 以原料（ 三氯氫硅 ） 閉 路循環(huán) 為主。 最下面是組件，將制作好的電池封裝，技術(shù)含量相對較低，進入門檻亦低，屬于勞動力密集型產(chǎn)業(yè)，全球廠商數(shù)量超過 200 家，國內(nèi)也有相當多企業(yè)進行封裝作業(yè)。 表 6 20202020 年世界半導體銷售額、硅片產(chǎn)量與多晶硅產(chǎn)量 年 份 半導體銷售額 （億美元 ） 硅片產(chǎn)量 (億平方英寸 ) 多晶硅產(chǎn)量 (噸 ) 備 注 2020 2044 19380 2020 1389 17650 2020 1508 20350 2020 1663 23100 2020 2133 27000 2020 2268 29100 2020 2451 32500 2020 2711 39500 2），世界太陽能電池產(chǎn)量及多晶硅生產(chǎn)能力預測 ，見表 7。 起初由于制造 硅 材料的技術(shù)問題，半導體多晶 硅純度不高，只能作晶體檢 波器 (礦石收音機 ,相當于二極管 ).隨著材料制造工藝技術(shù)的不斷改進與完善，材料純度不斷提高，制造成功 各種 半 導體器件，從晶體管 、整流元件、太陽能電池片到集成電路到大規(guī)模集成電路和超大規(guī)模集成電路 ， 才使硅材料得到廣泛的用途。 000000001 1PPt 1/1000000000000 1012 12N 萬億分之一 0。 000001 1PPb 1/1000000000 109 9N 十 億分之一 0。 硅由于它的一些良好的半導體性能 和豐富的原料，自 1953 年硅作為整流二極管元件問世以來，隨著工藝 技術(shù) 的改革，硅的純度不斷的提高，目前已發(fā)展成為電子工業(yè)中應用最廣泛的一種半導體材料，有關硅的基礎理論也發(fā)展得較為完善。 } 5 多晶硅國內(nèi)計劃建設項目 2020210 序號 公 司 或 廠 家 建 設 地 計劃產(chǎn)能 (噸 /年 ) 奠基 時間 計劃投 產(chǎn)時間 投資（億元） 備 注 1 期 2 期 3 期 合計 1 期 總計 1 峨嵋 739 廠 四川省 峨眉 山市 100 200 500 800 20206 20206 6 2 期投產(chǎn) 2 洛陽中硅 河南省堰師市 300 700 2020 3000 2020 202010 2 期投產(chǎn) 3 新光硅業(yè) 四川省樂山市 1260 1260 2020 20202 投產(chǎn) 4 江蘇中能 江蘇省徐州市 1500 6000 2020 20208 70 1 期投產(chǎn) 5 無錫中彩集團 江蘇無錫市 300 300 2020 20208 2 投產(chǎn) 6 通威和巨星 (永祥多晶硅 ) 四川省樂山市 1000 3000 6000 10000 2020 20206 50 在建 7 東汽 (樂山 )硅業(yè) 四川省五通市 1500 1500 1500 4500 20203 202012 在建 8 天威四川硅業(yè) 四川省成都市新津 3000 3000 202012 20206 27 在建 9 樂山樂電天威硅業(yè) 四川省樂山市 3000 3000 20202 20206 25 在建 10 賽維 LDK 江西新余 市 6000 15000 202012 在建 11 深圳南玻 湖北省宜昌市 1500 1500 1500 4500 20205 20206 $ 60 在建 12 亞洲硅業(yè) 青海省西寧市 1000 6000 20203 202012 8 在建 13 江蘇順大 江蘇省揚州市 1500 1500 2020 在建 14 神舟硅業(yè) 內(nèi)蒙古呼和浩特市 1500 1500 2020 18 在建 15 江蘇 陽光 （ 寧夏 ） 寧夏 省 石嘴山市 1500 1500 1500 4500 2020 15 40 在建 16 江蘇大全集團 重慶萬州市 3000 3000 6000 20209 40 在建 17 愛信硅科技 (云南 冶金 ) 云南省曲靖市 3000 10000 20204 25 100 開工典禮 18 天宏硅材料 陜西 省 咸陽市 3750 10000 20209 37 52 開工典禮 19 特變電工 新疆省烏魯本齊市 1500 12020 項目洽談 20 大陸多晶硅項目 內(nèi)蒙古呼和浩特市 2500 18000 20209 180 開工典禮 21 中晶華業(yè)太陽能多晶硅 內(nèi)蒙古包頭市 1200 1200 20209 12 開工典禮 22 唐山硅業(yè) (開平區(qū) ) 河北 省 唐山市 1000 1000 20209 7 開工典禮 23 凌海 金華冶煉 遼寧錦州市凌海 1000 1000 20208 2020 開工典禮 24 天合光能 （常州） 江蘇 省 連云港 市 0 10000 202012 2020 10$ 投資建設 25 江西晶大半導體公司 江西桑海 0 0 202010 開工典禮 6 26 超磊實業(yè) 四川省廣元市 1500 2020 3500 200 12 38 招商項目 27 鄂爾多斯 鄂爾多斯棋盤井 2500 2500 20 28 北京順大新業(yè)能源等 四川 省 眉山市 1500 1500 3000 2020 29 上海工投集團等 黑龍江 省 牡丹江市 1500 3000 30 中鋼集團 山東濟寧市 0 15000 20202 31 重慶化醫(yī)控股 (天原化工 ) 重慶涪陵市 1250 1250 202012 32 方興科技 1000 1000 10 招商項目 33 銀星能源與寧夏 寧夏省 1000 1000 20203 34 荊門珈偉太陽能 湖北省荊門市 1500 1500 20208 35 香港永發(fā)集團太陽能 江西省萍鄉(xiāng)市 0 20209 15 港 簽約儀式 36 益陽晶鑫 1200 1200 37 錦州新世紀石英玻璃 300 300 38 迅天宇科技 (物理法 ) 河南南陽方城縣 0 合計 55160 167310 1 Hemlock 美國 10000 31000 2020 10$ 2 Waker 德國 6500 14500 2020 3 Memc 美國 1500 6700 $ 4 德山曹達 日本 5000 8000 合計 23000 60200 7 3，多晶硅市場需求分析 1），世界半導體市場上在持續(xù)增長，因此帶動了硅片和多晶硅的迅速發(fā)展，見表 6。 第三層是太陽能電池（ Cell）制造，全球電池廠商有 40 余家；中國的代表企業(yè)是無錫尚德和天威英利，產(chǎn)能產(chǎn)量都屬于全球主流的太陽能電池制造商。目前世界上生產(chǎn)半導體級多晶硅主要采用此法，（當然有少數(shù)公司采用硅烷熱分解法）。工藝過程復雜，流 程長，牽涉的輔助條件和設施多。 先進的工廠都配有完善的回收系統(tǒng)，并采用高的沉積速率，可達到 。 2）， HSC 公司使用液態(tài)氫，自已不生產(chǎn)氫氣。 反應是在電弧爐（見圖二）里的相鄰電極之間發(fā)生的，該處溫度超過 2020℃，釋放出來的 SiO 和 CO 流到上部較冷區(qū)域（小于 1500℃），形成所必要的 SiC。 20 氫 化1 7 % 還 原 回 收 5 6 %合 成2 7 %氫 化1 9 % 還 原 回 收 6 9 % 合 成 1 2 %3 0 0 0 噸 / 年 工 藝 1 2 6 0 噸 / 年 工 藝 附件 8： 回收氯化 氫 與生產(chǎn)氯化氫 數(shù)量的 比 較 三氯氫硅 合成爐、還原爐與氫化爐都是動態(tài)連續(xù)反應的運行方式，各爐排出的尾氣含有大量的高純HCL，經(jīng) CDI 回收裝置回收后能返回 三氯氫硅 合成爐 循環(huán)使用，一方面可節(jié)約大量的 HCL ，另一方面可減少廢氣處理量，減少對環(huán)境污染。 最后讓我們公司全體員工團結(jié)奮戰(zhàn)，克服前進中的的各種困難，加快建設進度，為 3000t/a 多晶硅生產(chǎn)廠爭取早日建成投產(chǎn)，并進一步擴大多晶硅生產(chǎn)規(guī)模，建成“中國一流，世界前列”的多晶硅生產(chǎn)基地而共同努力。 HCL 對人體有毒害作用，空氣中允許的濃度低于 15mg/m3 ，硅粉在一定的條件下也有發(fā)生爆炸的危險； 4） 氮氧化物（ NO2， NO），氮氧化物也是一種有毒草的氣體 ，使人頭痛、胸痛，惡心中毒與肺水腫； 5） 用電 安全 ，可以使用到高電壓，因此要特別注意用電安全