【正文】 鋸測(cè)試 鍍層厚度 ? 半光鎳 – 30微米 ? 光亮鎳 – 10微米 ? 鎳層總厚度 最少 40微米 ? 鉻 ASTM B487, “Standard for Measurement of Metal and Oxide Coating Thickness by Microscopical Examination of a Cross Section” 電位差 (STEP) ? 光亮鎳和半光鎳 －最小 100 mv －最大 200 mv ? 高硫鎳和光亮鎳 －最小 15 mv ? 光亮鎳和微孔鎳 －最小 20 mv －最大 40 mv ASTM B764, “Standard Test Method for Simultaneous Thickness and Electrochemical Determination of Individual Layers in Multilayer Nickel Deposit” 鹽霧 CASS測(cè)試 ? 鹽霧測(cè)試 * － 66 小時(shí) 。 88 小時(shí) 。2 + H+ ? H3BO3 } 鎳鍍液中的添加劑 鎳鍍層類型 – 光亮鎳 – 半光鎳 – 微孔鎳 – 沙丁鎳等 添加劑 – 光亮劑 – 整平劑 – 去陽(yáng)極極化劑 – 配位劑 – 潤(rùn)濕劑 鍍鎳中的添加劑 初級(jí)光亮劑 – 產(chǎn)生光亮、高整平同時(shí)應(yīng)力也比較大的鍍層 – 與次級(jí)光亮劑配合起作用 次級(jí)光亮劑 – 也稱作 Carrier載體 – 維持鍍層延展性和應(yīng)力 – 在鍍層中產(chǎn)生硫 潤(rùn)濕劑 – 降低表面張力，防氣孔 – 攪拌類型不同（空氣，機(jī)械攪拌），潤(rùn)濕劑類型也不同 鍍液中的雜質(zhì) 無(wú)機(jī)不溶性雜質(zhì) – 灰塵，污垢，炭，鎳粉等 – 會(huì)引起鍍層粗糙 – 過(guò)濾去除 無(wú)機(jī)溶解性雜質(zhì) – 通常是金屬雜質(zhì)如銅，鋅，鐵等 – 會(huì)引起不良上鍍以及抗腐性不良 – 絡(luò)合劑絡(luò)合以及小電流電解去除 有機(jī)雜質(zhì) – 油、脂、拋光劑等 – 會(huì)引起針孔以及鍍層低質(zhì) – 炭粉過(guò)濾去除 2. 多層鎳體系 ? 多層鎳特點(diǎn)： – 不同的鎳層之間可形成不同的電位差 – 電位差是影響鍍層抗腐性的主要因素 – 電位差可以通過(guò)厚度及電位差儀 (Simultaneous Thickness and Electrochemical Potential ) STEP 測(cè)量 – 是通過(guò)鹽霧 CASS 測(cè)試的必需配置 單半光鎳鍍層 腐蝕機(jī)理 鉻 半光鎳 基材 優(yōu)點(diǎn) － CrNi 電位差低 缺點(diǎn) － NiCr之間需要拋光 － 陽(yáng)極面較小 ? 慢速腐蝕 單光鎳鍍層 腐蝕機(jī)理 鉻 光亮鎳 基材 優(yōu)點(diǎn) － NiCr之間無(wú)需拋光 缺點(diǎn) － CrNi電位差高 － 陽(yáng)極面較小 ? 快速腐蝕 雙鎳鍍層 腐蝕機(jī)理 優(yōu)點(diǎn) NiCr之間無(wú)需拋光 底材被保護(hù) 缺點(diǎn) CrNi電位差高 陽(yáng)極面較小 ? 光鎳層快速腐蝕 鉻 半光鎳 基材 光亮鎳 三鎳鍍層 腐蝕機(jī)理 優(yōu)點(diǎn) NiCr之間無(wú)需拋光 底材被保護(hù) 缺點(diǎn) CrNi電位差高 陽(yáng)極面較小 ? 光亮鎳層緩慢腐蝕 鉻 半光鎳 底材 光亮鎳 微孔鎳 四鎳鍍層 腐蝕機(jī)理 優(yōu)點(diǎn) 半光鎳和光亮鎳鍍層之間的電位差顯著增加 ?光亮鎳層緩慢腐蝕 光亮鎳 鉻 半光鎳 底材 微孔鎳 高硫鎳 橫截面 鉻 微孔鎳 半光鎳 光亮鎳 高硫鎳 銅 鎳沖 底材 多層鎳體系 ? 半光鎳 ? 高硫鎳 ? 光亮鎳 ? 微孔鎳