【正文】 ，但是其讀寫速度較 DRAM 慢，可擦寫次數(shù)也有極限 NOR 的特點 是芯片內(nèi)執(zhí)行 (XIP, eXecute In Place)，這樣應(yīng)用程序可以直接在 flash 閃存內(nèi)運行，不必再把代碼讀到系統(tǒng) RAM 中。 由于擦除 NOR 器件時是以 64～ 128KB 的塊進行的，執(zhí)行一個寫入 /擦除操作的時間為 5s ，與此相反，擦除 NAND 器件是以 8～ 32KB 的塊進 行的，執(zhí)行相同的操作最多只需要 4ms。應(yīng)用 NAND 的困難在于 flash 的管理需要特殊的系統(tǒng)接口。分別 測量按下復(fù)位按鈕和放開復(fù)位按鈕的電壓值，看是否正確。頻率補償?shù)幕舅枷爰锤鶕?jù)不同的衰減曲線視不同的頻率成分給出不同 的放大倍數(shù)，展寬通頻帶，從而實現(xiàn)均衡的視頻輸出。也是指在振幅允許的范圍內(nèi)音響系統(tǒng)能夠重放的頻率范圍，以及在此范圍內(nèi)信號的變化量稱為頻率響應(yīng)，也叫頻率特性。間接 ADC 的轉(zhuǎn)換速度慢，如雙積分型 ADC。（威盛 上海筆試試題） 靜態(tài)時序分析是采用窮盡分析方法來提取出整個電路存在的所有時序路徑，計算信號在這些路徑上的傳播延時，檢查信號的建立和保持時間是否滿足時序要求，通過對最大路徑延時和最小路徑延時的分析，找出違背時序約束的錯誤。價格比 sram 便宜，但訪問速度較慢，耗電量較大，常用作計算機的內(nèi)存使用。目前主流的 DSP 的外圍均已發(fā)展為 ， 5V的 DSP 的價格和功耗都價格，以逐漸被 的 DSP 取代。 觸發(fā)器（ flipflop)：邊沿觸發(fā) 在 fpga 中一般 避免用 latch，因為在 FPGA 中觸發(fā)器資源豐富，不用白不用， latch 由于是電平觸發(fā)的， 相對觸發(fā)器來說容易產(chǎn)生毛刺，電路不穩(wěn)定。 它的工作特點是：工作速度低，轉(zhuǎn)換精度高，抗干擾能力強。（未知） Uic=( Y++Y)/2 Uid=( Y+Y) 選擇電阻時要考慮什么 選擇電阻是需要考慮電阻的功率 阻 值 允許加載在其兩端的最大電壓 允許通過的最大電流 等等 LC 正弦波振蕩器有哪幾種三點式振蕩電路 ，分別畫出其原理圖 LC 正弦波振蕩器是用 L、 C 元件組成選頻網(wǎng)絡(luò)的振蕩器，一般用來產(chǎn)生 1MHz 以上的高頻正弦信號。 實際應(yīng)用中，并非高頻補償越大越好，尤其對彩色信號，其 +1MHz 頻率范圍在黑白監(jiān)視器中屬于干擾信號，使圖像產(chǎn)生網(wǎng)紋。視頻信號在雙絞線傳輸時，不同的頻率成分其衰減亦不同，在 48MHz 每百米衰減約 。 MASKROM 的 MCU價格便宜，但程 序在出廠時已經(jīng)固化，適合程序固定不變的應(yīng)用場合； FALSHROM 的 MCU程序可以反復(fù)擦寫，靈活性很強，但價格較高，適合對價格不敏感的應(yīng)用場合或做開發(fā)用途； OTP ROM 的 MCU價格介于前兩者之間，同時又擁有一次性可編程能力，適合既要求一定靈活性，又要求低成本的應(yīng)用場合，尤其是功能不斷翻新、需要迅速量產(chǎn)的電子產(chǎn)品。 NAND 讀和寫操作采用 512 字節(jié)的塊，這一點有點像硬盤管理此類操作，很自然地，基于 NAND 的存儲器就可以取代硬盤或其他塊設(shè)備。 NAND 器件執(zhí)行擦除操作是十分簡單的，而 NOR 則要求在進行擦除前先要將目標塊內(nèi)所有的位都寫為 0。作用就看你的需要了，有時是要讓電路穩(wěn)定（負反饋），例如線性放大；有時是要讓電路不穩(wěn)定（正反饋），例如非線性放大、振蕩等。在此區(qū)域內(nèi)，對應(yīng)不同 IB 值的輸出特性曲線簇幾乎重合在一起。它不僅能反映三極管的質(zhì)量與特性，還能用來定量地估算出三極管的某些參數(shù)，是分析和設(shè)計三極管電路的重要依據(jù)。 有源濾波器和無源濾波器的區(qū)別 ? 無源濾波器：這種電路主要有無源元件 R、 L 和 C 組成。問，觸發(fā)器 D2 的建立時間 T3 和保持時間應(yīng)滿足什么條件。 1 MOORE 與 MEELEY 狀態(tài)機的特征。 同步電 路和異步電路的區(qū)別是什么？ 異步電路主要是組合邏輯電路，用于產(chǎn)生地址譯碼器、ＦＩＦＯ或ＲＡＭ的讀寫控制信號脈沖，但它同時也用在時序電路中，此時它沒有統(tǒng)一的時鐘，狀態(tài)變化的時刻是不穩(wěn)定的，通常輸入信號只在電路處于穩(wěn)定狀態(tài)時才發(fā)生變化。 ASIC 的特點是面向特定用戶的需求，品種多、批量少，要求設(shè)計和生產(chǎn)周期短，它 作為集成電路技術(shù)與特定用戶的整機或系統(tǒng)技術(shù)緊密結(jié)合的產(chǎn)物，與通用集成電路相比具有體積更小、重量更輕、功耗更低、可靠性提高、性能提高、保密性增強、成本降低等優(yōu)點。另外。 繪制邏輯電路圖 選擇邏輯門裝配。 ECL 是一種非飽和型門電路，它所含三極管只工作在截止區(qū)和臨界飽和區(qū)。具體方法：一、滯后補償 二、超前補償。 電壓比較器 對輸入信號進行鑒幅與比較的電路。 負反饋對放大電路的影響： 。 差分放大電路中共模抑制比。 共射：既放大電流又放大電壓。 頻域曲線是指信號的幅度與頻率的關(guān)系，函數(shù)比較復(fù)雜，可能是不連續(xù)的。一顆芯片就能完成。 IRQ,BIOS,USB,VHDL,SDR IRQ: Interrupt ReQuest BIOS: Basic Input Output System USB: Universal Serial Bus VHDL: VHIC Hardware Description Language SDR: Single Data Rate D 觸發(fā)器的功能 is PC Chipset? 芯片組（ Chipset）是主板的核心組成部分，按照在主板上的排列位置的不同，通常分為北橋芯片和南橋芯片。 2. 代碼調(diào)試 1) 對設(shè)計輸入的文件做代碼調(diào)試，語法檢查。 邏輯電平：有 TTL、 CMOS、 LVTTL、 ECL、 PECL、 GTL； RS23 RS42 LVDS 等 TTL 和 CMOS 不可以直接互連，由于 TTL 是在 ，而 CMOS 則是有在 12V的有在 5V的。同時在輸出端口應(yīng)加一個上拉電阻。 1 建立時間 和 保持 時間 ？ 建立時間 (Setup Time)和保持時間（ Hold time）。 ？ 同步邏輯是時鐘之間有固定的因果關(guān)系。 CMOS 輸出接到 TTL 是可以直接互連。 2) 典型工具為 Debussy。北橋芯片提供對 CPU的類型和主頻、內(nèi)存的類型和最大容量、 ISA/PCI/AGP 插槽、 ECC 糾錯等支持。 [－ 8， 7]的二進制補碼，和二進制偏置碼 ？ 所謂原碼就是 二進制 定點表示法，即最高位為符號位， “0”表示正， “1”表示負，其余位表示數(shù)值的大小。 這兩個時間用高等數(shù)學(xué)中的傅立葉變換進行轉(zhuǎn)化，也就是時域波形函數(shù)進行傅立葉變換后就成了該信號的頻域函數(shù)。輸入電阻居中，輸出電阻較大，頻帶窄。 互補對稱輸出電路。 串聯(lián)負反饋增大輸入電阻，并聯(lián)負反饋減小輸入電阻；電壓負反饋減小輸出電阻，電流負反饋增大輸出電阻。在電壓比較器中，集成運放不是處于開環(huán)狀態(tài)就是只引 入了正反饋。 是 耐奎斯特定律 ， 怎么由模擬信號轉(zhuǎn)為數(shù)字信號 ？ 根據(jù)奈奎斯特定律，信道的極限速率（ bps）等于信道帶寬的 2 倍（理論狀態(tài)） 信道的極限速率（ bps）等于信道帶寬的 2 倍（理論狀態(tài)），是對傳輸 2 進制數(shù)據(jù)而言。基區(qū)沒有多余存儲電荷進一步提高了邏輯開關(guān)速度。 10 對于最簡與或式一定可以用兩級與非門電路實現(xiàn)，對于最簡或與式一定可以用兩級或非門電路實現(xiàn)。 DMAC 具有總線主設(shè)備的功能。 f) DSP: DSP 既是 Digital Signal Processing 的縮寫 (數(shù)字信號處理的理論和方法 )或者是 Digital Signal Processor(用于數(shù)字信號處理的可編程微處理器 )的縮寫。也就是說一個時刻允許一個輸入發(fā)生變化，以避免輸入信號之間造成的競爭冒險。（南山之橋） Moore 狀態(tài) 機的輸出僅與當前狀態(tài)值有關(guān) , 且只在時鐘邊沿到來時才會有狀態(tài)變化 . Mealy 狀態(tài)機的輸出不僅與當前狀態(tài)值有關(guān) , 而且與當前輸入值有關(guān) , 這 1多時域設(shè)計中 ,如何處理信號跨時域。 （華為） T3setupT+T2max,T3holdT1min+T2min 1說說靜態(tài)、動態(tài)時序模擬的優(yōu)缺點。 有源濾波器：集成運放和 R、 C 組成，具有不用電感、體積小、重量輕等優(yōu)點。 對于三極管的不同連接方式，有著不同的特性曲線。也就是說， UCE 較小時， Ic 雖然增加，但 Ic增加不大，即 IB失去了對 Ic 的控制能力。一個電路或者系統(tǒng)可能會有很多個反饋，直流反饋、交流反饋、電壓反饋、電流反饋、正反饋、負反饋等可能同時使用。 NOR 與 NAND 的區(qū)別 性能比較 15 flash 閃存是非易失存儲器，可以對稱為塊的存儲器單元 塊進行擦寫和再編程。 NOR 的特點是芯 片內(nèi)執(zhí)行 (XIP, eXec ute In Place),這樣應(yīng)用程序可以直接在flash 閃存內(nèi)運行 ,不必再把代碼讀到系統(tǒng) RAM 中。 16 單片機上電后沒有運轉(zhuǎn)，首先要檢查什么？ 首先應(yīng)該確認電源電壓是否正常。信號的衰減隨線纜長度、信號頻率的增加而增加。因此一味提升高頻增益恰恰適得其反。根據(jù) LC 調(diào)諧回路的不同連接方式， LC 正弦波振蕩器又可分為變壓器反饋式（或稱互感耦合式）、電感三點式和電容三點式三種 3 DAC 和 ADC 的實現(xiàn)各有哪些方法 ？（仕蘭微電子） 二、模數(shù)轉(zhuǎn)換器（ ADC） 模數(shù)轉(zhuǎn)換 指的是將輸入的模擬量轉(zhuǎn)換為數(shù)字量輸出，實現(xiàn)這種轉(zhuǎn)換功能的電路稱為模數(shù)轉(zhuǎn)換器，簡稱 ADC（ Analog Digital Converter）。 直接法： 通過 基準電壓與采樣 保持信號進行比較，從而轉(zhuǎn)換位數(shù)字量。 latch 的優(yōu)點是完成同一個功能所需要的門較觸發(fā)器要少，所以在 asic 中用的較多。 4 如何選擇 DSP 的電源芯片？ TMS320LF24xx： TPS733。（南山之橋） 非阻塞賦值：塊內(nèi)的賦值語句同時賦值，一般用在時序電路描述中 阻塞賦值：完成該賦值語句后才能做下一句的操作，一般用在組合邏輯描述中 7 sram， falsh memory，及 dram 的區(qū)別？（新太硬件面試） sram：靜態(tài)隨機存儲器，存取速度快，但容量小，掉電后數(shù)據(jù)會丟失，不像 DRAM 需要不停的 REFRESH，制造成本較高，通常用來作為快取 (CACHE) 記憶體使用 flash：閃存，存取速度慢，容量大，掉電后數(shù)據(jù)不會丟失 dram：動態(tài)隨機存儲器，必須不斷的重新的加強 (REFRESHED) 電位差量，否則電位差將降低至無法有足夠的能量表現(xiàn)每一個記憶單位處于何種狀態(tài)。 1一個四級的 Mux,其中第二級信號為關(guān)鍵信號如何改善 timing。直接 ADC 有并聯(lián)比較型和逐次漸進型等，直接 ADC 的轉(zhuǎn)換速度快。（未知） 頻率響應(yīng)是指將一個以恒電壓輸出的音頻信號與系統(tǒng)相連接時，音箱產(chǎn)生的聲壓隨頻率的變化而發(fā)生增大或衰減、相位隨頻率而發(fā)生變化的現(xiàn)象，這種聲壓和相位與頻率的相關(guān)聯(lián)的變化關(guān)系稱為頻率響應(yīng)。理想的頻率補償曲線應(yīng)與衰減曲線互補，才可輸出滿意的接收信號。 接下來就是檢查復(fù)位引腳電壓是否正常。 NAND 結(jié)構(gòu)能提供極高的單元密度 ,可以達到高存儲密度 ,并且寫入和擦除的速度也很快。 NAND 器件執(zhí)行擦除 操作是十分簡單的，而 NOR 則要求在進行擦除前 先要將目標塊內(nèi)所有的位都寫為 0。當然，以上也是相對來說 負反饋種類 （電壓并聯(lián)反饋，電流串聯(lián)反饋，電壓串聯(lián)反饋和電流并聯(lián)反饋）；負反 饋的優(yōu)點（降低放大器的增益 靈敏度，改變輸入電阻和輸出電阻，改善放大器的線性和非 線性失真，有效地擴展放大器的通頻帶，自動調(diào)節(jié)作用）（未知） NAND flash 和 NOR flash 的區(qū)別 NOR 和 NAND 是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。飽和時，三極管的發(fā)射給和集電 結(jié)都處于正向偏置狀態(tài)。 一、輸入特性曲線 在三極管共射極連接的情況下，當集電極與發(fā)射極之間的電壓 UBE 維持不同的定值時， UBE 和 IB之間的一簇關(guān)系曲線，稱為共射極 輸入特性曲線，如圖 Z0119 所示。但集成運放帶寬有限，所以目前的有源濾波電路的工作頻率難以做得很高。它不需要輸入向量就能窮盡所有的路徑，且運行速度很快、占用內(nèi)存較少，不 僅可以對芯片設(shè)計進行全面的時序功能檢查，而且還可利用時序分析的結(jié)果來優(yōu)化設(shè)計，因此靜態(tài)時序分析已經(jīng)越來越多地被用到數(shù)字集成電路設(shè)計的驗證中。 跨時域的信號要經(jīng)過同步器同步，防止亞穩(wěn)態(tài)傳播。 同步電路是由時序電路 (寄存器和各種觸發(fā)器 )和組合邏輯電路構(gòu)成的電路，其所有操作都是在嚴格的時鐘控制下完成的。 g) SRAM: SRAM 的英文全稱是 Static Random Access Memory ，翻譯成中文就是 靜態(tài)隨機存儲器 。 IIR 單位響應(yīng)為無限脈沖序列 FIR 單位響應(yīng)為有限的 iir 幅頻特性精度很高，不是線性相位的，可以應(yīng)用于對相位信息不敏感的音頻信號上； fir 幅頻特性精度較之于 iir 低，但是線性相位，就是不同頻率分量的信號經(jīng)過 fir 濾波器后他們的時間差不變。 將最簡或與式兩次求反再使用摩根定理就可得到或非 或非表達式。 MOS 管漏極特性是漏極電壓與漏源極電壓之間曲線叫漏極特性曲線。這時一個周期最多表示一個高，一個低。 從原理來看，并行