【正文】 － － － N型半導(dǎo)體 + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + 擴(kuò)散運(yùn)動(dòng) 內(nèi)電場 E 漂移運(yùn)動(dòng) 擴(kuò)散的結(jié)果是使空間電荷區(qū)逐漸加寬，空間電荷區(qū)越寬。 一是勢壘電容 CB ， 二是擴(kuò)散電容 CD 。 引線 外殼線 觸絲線 基片 點(diǎn)接觸型 PN結(jié) 面接觸型 P N 二極管的電路符號 高頻，小電流 低頻，大電流 32 半導(dǎo)體二極管的型號 國家標(biāo)準(zhǔn)對半導(dǎo)體器件型號的命名舉例如下： 33 半導(dǎo)體二極管圖片 34 35 167。 41 4. 微變電阻 rD iD uD ID UD Q ?iD ?uD rD 是二極管特性曲線上工作點(diǎn) Q 附近電壓的變化與電流的變化之比： DDD iur???顯然， rD是對 Q附近的微小變化區(qū)域內(nèi)的電阻。 48 光電二極管 反向電流隨光照強(qiáng)度的增加而上升。反向電流受溫度的影響，溫度越高反向電流越大。都很小。 R E 24 PN結(jié)加正向電壓時(shí)，呈現(xiàn)低電阻，具有較大的正向擴(kuò)散電流； PN結(jié)加反向電壓時(shí)，呈現(xiàn)高電阻，具有很小的反向漂移電流。但由于數(shù)量的關(guān)系，起導(dǎo)電作用的主要是多子 。 11 167。 5 硅和鍺的共價(jià)鍵結(jié)構(gòu) 共價(jià)鍵共 用電子對 +4 +4 +4 +4 +4表示除去價(jià)電子后的原子 6 共價(jià)鍵中的兩個(gè)電子被緊緊束縛在共價(jià)鍵中，稱為束縛電子 ，常溫下束縛電子很難脫離共價(jià)鍵成為 自由電子 ，因此本征半導(dǎo)體中的自由電子很少，所以本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力很弱。 ? 往純凈的半導(dǎo)體中摻入某些雜質(zhì)，會(huì)使 它的導(dǎo)電能力明顯改變。 本征激發(fā)和復(fù)合的過程 9 +4 +4 +4 +4 在其它力的作用下，空穴吸引附近的電子來填補(bǔ)，這樣的結(jié)果相當(dāng)于空穴的遷移，而空穴的遷移相當(dāng)于正電荷的移動(dòng)，因此可以認(rèn)為空穴是載流子。 摻雜濃度遠(yuǎn)大于本征半導(dǎo)體中載流子濃度，所以，自由電子濃度遠(yuǎn)大于空穴濃度。 空間電荷區(qū)中內(nèi)電場阻礙 P中的空穴、 N區(qū) 中的電子（ 都是多子 ）向?qū)Ψ竭\(yùn)動(dòng)（ 擴(kuò)散運(yùn)動(dòng) ）。因 PN結(jié)正偏時(shí)，由 N區(qū)擴(kuò)散到 P區(qū)的電子，與外電源提供的空穴相復(fù)合，形成正向電流。 DDd ivr???即 )1( /SD D ?? TVveIi根據(jù) 得 Q點(diǎn)處的微變電導(dǎo) QdvdigDDd ? QVvTTeVI /S D?TVID?dd1gr ?則 常溫下（ T=300K） )mA()mV(26DDd IIVr T ??Q ?? 38 疊加 ??！ 39 167。 （ 3）動(dòng)態(tài)電阻 ZZIUZr ???45 穩(wěn)壓二極管的應(yīng)用舉例 uo iZ DZ R i