【正文】 XPS中一般以譜峰面積計(jì)算，不計(jì)入背散射效應(yīng)。XPS ?? XPS分析方法v化合態(tài)識別 伴峰 216。XPS ?? XPS分析方法v化合態(tài)識別 Auger線 216。識別化合態(tài)的主要方法就是測量 X射線光電子譜的峰位位移。XPS ?? XPS分析方法v定性分析 譜線的識別 216。216。 XPS ?? XPS分析方法v定性分析 譜線的類型 絕緣體的譜線一般比導(dǎo)體的譜線寬 Pauling建議XA和 XB是 A,XPS ?? XPS中的化學(xué)位移v電荷勢模型 電荷勢模型是由 Siegbahn等人導(dǎo)出的一個(gè)忽略弛豫效應(yīng)的簡單模型。這時(shí)，標(biāo)準(zhǔn) Ar2p3/2譜線的結(jié)合能 ?216。 ?K? Mg2p3/2Cu Pd是比較合適的材料。XPS ?? X射線光電子譜儀的能量校準(zhǔn) vX射線光電子譜儀的能量校準(zhǔn) 計(jì) 子 1s 2s 3p 3s 3p 3d 4sHeLiBeBCNOFNeNa這時(shí)軌道電子結(jié)構(gòu)將作出調(diào)整，電子軌道半徑會(huì)出現(xiàn)收縮或膨漲，這一過程叫 “電子弛豫 ”。 XPS ?? X射線光電子譜基本原理v突然近似 216。 在一般的 X射線光電子譜儀中，沒有 X射線單色器，只是用一很薄 (1~2?m)的鋁箔窗將樣品和激發(fā)源分開，以防止 X射線源中的散射電子進(jìn)入樣品室，同時(shí)可濾去相當(dāng)部分的軔致輻射所形成的 X射線本底。是內(nèi)層電子的軌道結(jié)合能， EKEBtheEnergyKiic它不僅能探測表面的化學(xué)組成，而且可以確定各元素的化學(xué)狀態(tài)，因此，在化學(xué)、材料科學(xué)及表面科學(xué)中得以廣泛地應(yīng)用。levelon: IncidentXPS ?? X射線光電子譜儀 vX射線光電子譜儀XPS ?? X射線光電子譜儀vX射線光電子譜儀216。 除在一般的分析中人們所經(jīng)常使用的 Al/Mg雙陽極 X射線源外，人們?yōu)槟承┨厥獾难芯磕康?，還經(jīng)常選用一些其他陽極材料作為激發(fā)源。表示 EaSCF用Koopmans定理確定的 (n, l, j)軌道電子結(jié)合能。因弛豫過程與光電子發(fā)射同時(shí)進(jìn)行，所以加速了光電子的發(fā)射，提高了光電子動(dòng)能。SCF理論方法直接計(jì)算方法在用 XPS測定內(nèi)層電子結(jié)合能與理論計(jì)算結(jié)果進(jìn)行比較時(shí)，必須有一共同的結(jié)合能參照基準(zhǔn)。X射線光電子譜儀的能量校準(zhǔn)工作是經(jīng)常性的，一般地說，每工作幾個(gè)月或半年，就要重新校準(zhǔn)一次。216。L3MMCu?荷電電勢的大小同樣品的厚度、 X射線源的工作參數(shù)等因素有關(guān)。在實(shí)際的工作中，一般選用 (CH2)n中的　 C1s峰， (CH2)n一般來自樣品的制備處理及機(jī)械泵油的污染。216。 XPS ?? XPS中的化學(xué)位移v電荷勢模型 含碳化合物 C1s電子結(jié)合能位移同原子電荷 q的關(guān)系 XPS ?? XPS中的化學(xué)位移v等效原子實(shí)方法 216。216。LMM,ContaminatingXPS ?? XPS分析方法v定性分析 譜線的類型 發(fā)射的光電子動(dòng)能為：其中： n是受振蕩損失的次數(shù)， EP是體等離子激元損失的能量， ES是受表面等離子激元損失的能量。216。由于元素所處的化學(xué)環(huán)境不同，它們的內(nèi)層電子的軌道結(jié)合能也不同，即存在所謂的化學(xué)位移。在實(shí)際分析中，一般用 Auger參數(shù) α作為化學(xué)位移量來研究元素化學(xué)狀態(tài)的變化規(guī)律。Fadley就多晶固體光電發(fā)射，提出如下強(qiáng)度計(jì)算公式：其中 dIK為來自 dxdydz體積元為檢測器所測得的 K層的光電子譜線強(qiáng)度。 小面積 XPS是近幾年出現(xiàn)的一種新型技術(shù)。– 半無限厚原子清潔表面樣品： 為避免 ?0，將 Auger參數(shù)改進(jìn)為 p峰的強(qiáng)度比為 1:2； d線為 2:3； f線為 3:4。O的光電子譜線， Auger線及屬于 C,XPS ?? XPS分析方法v定性分析 譜線的類型 (K?)Al216。XPS ?? XPS分析方法v定性分析 譜線的類型 216。即： XPS ?? XPS中的化學(xué)位移v價(jià)勢模型 兩個(gè)化合物間結(jié)合能的化學(xué)位移為：用 ZDO(Zero A原子失去電子時(shí)QA0；得到電子時(shí) QA0；純共價(jià)鍵時(shí) QA=0。根據(jù)前面所講的計(jì)算方法可以知道對于處于環(huán)境為 1和 2的某種原子有： 216。測試時(shí)用低能電子束中和試樣表面的電荷，使Ec，216。荷電效應(yīng)將使樣品出現(xiàn)一穩(wěn)定的表面電勢 VS，它對光電子逃離有束縛作用。?PdAEIES200216。216?？紤]相對論校正 216。XPS ?? X射線光電子譜基本原理v絕熱近似 線靶能量 (eV) 相對強(qiáng)度 能量 (eV) 相對強(qiáng)度K?1 K?2 K?’ K?3 K?4 K?5 K?6 K? XPS ?? X射線光電子譜儀vX射線光電子譜儀216。xray隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展， XPS也在不斷地完善。216。theenergyXPS ?? 光電效應(yīng)v光電效應(yīng)根據(jù) Einstein的能量關(guān)系式有： 靶 Al XPS ?? X射線光電子譜基本原理v絕熱近似 XPS ?? X射線光電子譜基本原理v結(jié)合能參照基準(zhǔn) 在實(shí)際的工作中，是選擇在 Fermi能級附近有很高狀態(tài)密度的純金屬作為標(biāo)樣。XPS ?? X射線光電子譜儀的能量校準(zhǔn)v能量坐標(biāo)標(biāo)定 216。制備超薄樣品；216。XPS ?? X射線光電子譜儀的能量校準(zhǔn)v荷電效應(yīng) 內(nèi)標(biāo) 法 XP