【正文】 等離子體刻蝕 干法刻蝕n 刻蝕原理；，使其被撞原子飛濺出來，形成刻蝕。216。 s，勒克斯 光刻工藝流程光刻 8－顯影 (Development)正常顯影過顯影不完全顯影欠顯影顯影后剖面光刻 8－顯影 (Development) 光刻工藝流程光刻 9－堅膜（ Hard Bake）n 蒸發(fā) PR中所有有機溶劑n 提高刻蝕和注入的抵抗力n 提高光刻膠和表面的黏附性n 堅膜溫度 : 100 到 1300Cn 堅膜時間： 1 到 2 分鐘堅膜工藝：烘箱、紅外燈n 堅膜不足：光刻膠不能充分聚合，黏附性變差，顯影時易浮膠、鉆蝕。堅膜 1)清洗硅片 Wafer Clean2)預烘和打底膠 Prebake and Primer Vapor涂膠 Photoresist Coating前烘 Soft Bake 光刻工藝流程對準 Alignment曝光 Exposure后烘 Post Exposure Bake顯影 Development 光刻工藝流程堅膜 Hard Bake圖形檢測 Pattern Inspection 光刻工藝流程光刻 1－清洗光刻 2－預烘和打底膜n SiO2:親水性；光刻膠：疏水性；n 預烘：去除 Si片水汽，增強光刻膠與表面的黏附性；大約 1000C；n 打底膜：涂 HMDS（六甲基乙硅氮烷），去掉 SiO2表面的 OH，增強光刻膠與表面的黏附性。? 曝光 Exposure216。；n 優(yōu)點：分辨率高；不需光刻版（直寫式）；n 缺點：產量低（適于制備光刻版）；X射線曝光： λ ＝ 240197。表 1 影響光刻工藝效果的一些參數(shù) 分辨率 R的限制n 設一任意粒子（光子、電子），根據(jù)不確定關系，有 ΔLΔp ≥hn 粒子束動量的最大變化為 Δp =2p，相應地n 若 ΔL 為線寬，即為最細線寬，則n 最高分辨率 分辨率 ① 對光子： p=h/λ ，故 。 接近式曝光 曝光方式n 利用光學系統(tǒng)，將光刻版的圖形 投影在硅片上。 HF:NH4F: H2O=3ml:6g:10ml (HF溶液濃度為 48％ )n HF ：腐蝕劑，216。干法腐蝕： 刻蝕 3μ m以下線條n 優(yōu)點：各向異性強；分辨率高； 。n 缺點： 鉆蝕嚴重 （各向異性差）， 難于獲得精細圖形。n 優(yōu)點：光刻版壽命長。若可分辨的最小線 寬為 L線條間隔也是 L），則分辨率 R為 R＝ 1/(2L) (mm1) R的主要因素：① 曝光系統(tǒng)（光刻機）：如 X射線（電子束）的 R高于紫外光。n 準分子激光： KrF： λ= 248nm ； ArF： λ= 193nm ； n F2激光器： λ= 157nm 。n 掩膜版尺寸： ① 接觸式接近式和投影式曝光機： 1∶1 ② 分步重復投影光刻機（ Stepper）： 4∶1 ； 5∶1 ； 10∶1Clean Room凈化間n 潔凈等級： 塵埃數(shù) /m3； （塵埃尺寸為 ） 10萬級： ≤ 350萬，單晶制備； 1萬級： ≤35 萬，封裝、測試； 1000級： ≤ 35000，擴散、 CVD； 100級： ≤ 3500，光刻、制版；n 深亞微米器件 （塵埃尺寸為 ） 10級： ≤ 350，光刻、制版； 1級： ≤ 35，光刻、制版；n光刻工藝的基本步驟216。② 影響因素：溫度，時間。堅膜控制正常堅膜 過堅膜 光刻工藝流程光刻 10－圖形檢測（ Pattern Inspection）? 檢查發(fā)現(xiàn)問題，剝去光刻膠，重新開始– 光刻膠圖形是暫時的– 刻蝕和離子注入圖形是永久的? 光刻工藝是可以返工的， 刻蝕和注入以后就不能再返工? 檢測手段： SEM（掃描電子顯微鏡）、光學顯微鏡n 問題： 能否用光學顯微鏡檢查 m尺寸的圖形 ?216。n 對濕法腐蝕：抗蝕能力較強； 干法腐蝕：抗蝕能力較差?；娌牧涎谀げ牧息?金屬版（ Cr版）： Cr2O3抗反射層 /金屬 Cr / Cr2O3基層n 特點：針孔少，強度高，分辨率高。n 刻蝕氣體：惰性氣體， Ar氣；濺射刻蝕原理 干法刻蝕n 原理：