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正文內(nèi)容

01集成電路制造工藝概述(專業(yè)版)

  

【正文】 00:05:1100:05:1100:051/22/2023 12:05:11 AM ? 1越是沒(méi)有本領(lǐng)的就越加自命不凡。 2023年 1月 22日星期日 上午 12時(shí) 5分 11秒 00:05: ? 1比不了得就不比,得不到的就不要。 格里尼克 。通過(guò)將硅片表面突出的部分減薄到下凹部分的高度來(lái)實(shí)現(xiàn)的。技術(shù)節(jié)點(diǎn) ?每塊芯片上的元件數(shù) ?摩爾定律 ?功耗 ?提高芯片可靠性 ?浴盆曲線 ?降低芯片成本 2023/1/22 26 集成電路的 5個(gè)制造階段 集成電路的 5個(gè)制造階段 第 1階段:硅片制備 第 2階段:硅片制造 ?裸露的硅片到達(dá)硅片制造廠,然后經(jīng)過(guò)各種清洗、成膜、光刻、刻蝕和摻雜步驟,加工完的硅片具有永久刻蝕在硅片上的一整套集成電路。 ?作業(yè)三 ? 3描述集成電路的圖形轉(zhuǎn)移工藝原理。諾伊思( Robert Noyce) ?仙童半導(dǎo)體公司 —— Fairchild Semiconductor ?硅 ,1959,7,30,“提出了適合于工業(yè)生產(chǎn)的集成電路理論” 2023/1/22 23 集成電路是怎么誕生的? ? 早期的許多先驅(qū)者開始在北加利福尼亞州,現(xiàn)在以硅谷著稱的地區(qū)。 2023/1/22 38 光刻區(qū) ?光刻的本質(zhì)是把(臨時(shí))電路圖形復(fù)制到覆蓋于硅片表面的光刻膠上。 諾依斯、戈登 工藝和產(chǎn)品趨勢(shì) ?工藝和結(jié)構(gòu) ?摩爾定律 特征圖形尺寸的縮小 ?特征圖形尺寸 ?CD 芯片和晶圓尺寸的增大 ?Chip ?Wafer 缺陷密度的減小 ?缺陷尺寸 ?缺陷密度 內(nèi)部連線水平的提高 ?多層連線 SIA的發(fā)展方向 ?未來(lái)技術(shù)路線圖 芯片成本 ?工藝 ?產(chǎn)品 ?成本 ?價(jià)格 ?性能 半導(dǎo)體工業(yè)的發(fā)展 ?附加值最高的工業(yè) 半導(dǎo)體工業(yè)的構(gòu)成 ?半導(dǎo)體和系統(tǒng)(或產(chǎn)品) ?三類芯片供應(yīng)商 ?IDM ?Foundry ?Fabless 生產(chǎn)階段 ?1材料準(zhǔn)備 ?2晶體生長(zhǎng)和晶圓準(zhǔn)備 ?3晶圓制造和分選 ?4封裝 ?5終測(cè) 結(jié)型晶體管 ?PN結(jié) 晶體管 ?雙極型器件 ?FETMOS ?單極性器件 ?貝爾實(shí)驗(yàn)室, 1956擴(kuò)散結(jié) 1957氧化掩膜,硅 工業(yè)發(fā)展的 50年 ?50年代,黃金時(shí)期,工藝,材料,公司,價(jià)格, ?60年代,成熟工業(yè),塑封, IFET, CMOS ?70年代,投射光刻機(jī),潔凈間,離子注入機(jī),步進(jìn)光刻機(jī),自動(dòng)化 ?80年代,全程自動(dòng)化, 1um ?90年代,銅, 開發(fā)的十年( 1951~1960) ?基本工藝和材料(黃金十年) ?雙極型和單極型 ?設(shè)備和材料的問(wèn)題內(nèi)部解決 工藝的十年( 1961~1970) ?價(jià)格下降的趨勢(shì)形成 新老公司交替 ?高產(chǎn)量的工藝,低價(jià)格的芯片 ?設(shè)備和材料的問(wèn)題導(dǎo)致半導(dǎo)體特殊供應(yīng)商形成 ?塑料封裝 1963 ?實(shí)驗(yàn)室小批量生產(chǎn) 設(shè)備的十年( 1971~1980) ?MSI— LSI,膜板引起的缺陷,接觸式光刻機(jī)造成的晶圓損傷 ?投射式光刻機(jī),離子注 機(jī),步進(jìn)式光刻機(jī),潔凈間進(jìn)一步發(fā)展,單一設(shè)備自動(dòng)化(工藝和設(shè)備結(jié)合) ?生產(chǎn)線的大批量制造 — 產(chǎn)量和利潤(rùn) 自動(dòng)化的十年( 1981~1990) ?市場(chǎng)的壓力和工藝步驟的增多 ?無(wú)人化和材料的自動(dòng)運(yùn)輸(污染源) ?美國(guó)、歐洲統(tǒng)治地位,日本崛起,四小龍(香港、臺(tái)灣、新加坡、韓國(guó))發(fā)展 生產(chǎn)的十年( 1991~2023) ?1微米 ?成熟的工業(yè) 生產(chǎn)和市場(chǎng) ?控制成本 ?銅連線 極小的紀(jì)元( 2023~至今) ?CD極限 ?180nm, 45, 32, 22nm ?晶圓 ?300mm, 450mm ?低端技術(shù)新用途 納米時(shí)代 ?um ?nm ? 197。 :05:1100:05:11January 22, 2023 ? 1意志堅(jiān)強(qiáng)的人能把世界放在手中像泥塊一樣任意揉捏。 2023年 1月 22日星期日 12
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