【正文】 由于干法刻蝕技術(shù)在圖形軼移上的突出表現(xiàn)，己成為亞微米尺寸下器件刻蝕的最主要工藝方法。Development）。最普通的正膠顯影液是四甲基氫氧化銨（TMAH）（，溫度（3）水坑（旋覆浸沒）式顯影（Puddle分辨率Resolution：～（一般采用了偏軸照明OAI_Off根據(jù)不同的檢測控制對象，可以分為以下幾種：（1）顆粒控片（Particle掩膜板縮小比例（4：1），曝光區(qū)域（Exposure1970后適用，但是其最大分辨率僅為2～4μm。Line）上。將少量液態(tài)光刻膠滴在硅片上，再經(jīng)過高速旋轉(zhuǎn)后，則在硅片表面形成一層均勻的光刻膠薄膜。為了提高IC產(chǎn)量，希望曝光時間越短越好。LED將成為主導(dǎo)產(chǎn)品，GaN晶體管也將隨材料生長和器件工藝的發(fā)展而迅猛發(fā)展，成為新一代高溫度頻大功率器件。GaN是Ⅲ族氮化物中的基本材料，也是目前研究最多的Ⅲ族氮化物材料。SiC具有很高的德拜溫度，達到12001430GaAs場效應(yīng)管器件還具有噪聲低、效率高和線性度好的特點但相比第三代半導(dǎo)體GaN和SiC，它的熱導(dǎo)率和擊穿電場都不高，因此它的功率特性方面的表現(xiàn)不足。αSiC和立方體的βSiC（稱立方碳化硅)。在大氣壓下，GaN晶體一般是六方纖鋅礦結(jié)構(gòu)。調(diào)制摻雜的AlGaN/GaN結(jié)構(gòu)具有高的電子遷移率(2000cm2/v 光刻光刻是集成電路工藝中的關(guān)鍵性技術(shù)，最早的構(gòu)想來源于印刷技術(shù)中的照相制版。由于前烘，光刻膠的厚度會減薄10%~20%（3）曝光：光刻膠通過掩模曝光，以正膠為例，感光劑DQ受光變?yōu)橐蚁┩?，再變?yōu)轸人幔ㄒ兹苡趬A液）（4）顯影：正膠的曝光區(qū)和負膠的非曝光區(qū)在顯影液中溶解，使曝光后光刻膠層中形成的潛在圖形顯現(xiàn)出來。經(jīng)過顯影之后的負膠圖形如圖（c）的右圖所示。缺點：光刻膠污染掩膜板；掩膜板的磨損，壽命很低（只能使用5～25次）；1970前使用，分辨率〉。Printing）。優(yōu)點：增大了每次曝光的視場；提供硅片表面不平整的補償；提高整個硅片的尺寸均勻性。DefectSpray（2）負性光刻膠的顯影液。從這一角度而言，刻蝕可以被稱之為最終的和最主要的圖形轉(zhuǎn)移工藝步驟。通常是在光刻工藝之后進行。影液中。所有化學(xué)品）并旋轉(zhuǎn)甩干。Development）。Thickness采用6英寸的掩膜板按照4：1的比例曝光，曝光區(qū)域（Exposure投影式曝光分類：掃描投影曝光（Scanning掩膜板直接與光刻膠層接觸。對于負性光刻膠，在經(jīng)過光照的區(qū)域會發(fā)生聚合反應(yīng)，變得難以去除。光刻工藝的主要步驟圖如下：圖31光刻工藝步驟圖光刻的主要步驟：（1）涂膠（甩膠）：在硅片表面形成厚度均勻、附著性強、沒有缺陷的光刻膠薄膜。濕氧氧化：氧化劑是通過高純水（一般被加熱到95 0C左右）的氧氣，既有氧又有水。目前，隨著 MBE技術(shù)在GaN材料應(yīng)用中的進展和關(guān)鍵薄膜生長技術(shù)的突破，成功地生長出了GaN多種異質(zhì)結(jié)構(gòu)。 GaN材料GaN是一種極穩(wěn)定，堅硬的高熔點材料，熔點約為1700℃。工業(yè)碳化硅因所含雜質(zhì)的種類和含量不同，而呈淺黃、綠、藍乃至黑色，透明度隨其純度不同而異。我們一般把禁帶寬度大于2eV的半導(dǎo)體稱為寬禁帶半導(dǎo)體。它的多型結(jié)構(gòu)如圖所示：圖21 碳化硅的多型結(jié)構(gòu)碳化硅由于化學(xué)性能穩(wěn)定、導(dǎo)熱系數(shù)高、熱膨脹系數(shù)小、耐磨性能好，除作磨料用外，還有很多其他用途，例如：以特殊工藝把碳化硅粉末涂布于水輪機葉輪或汽缸體的內(nèi)壁，可提高其耐磨性而延長使用壽命1～2倍；用以制成的高級耐火材料，耐熱震、體積小、重量輕而強度高，節(jié)能效果好。目前GaN的電子室溫遷移率可以達到900cm178。外延生長前的氧化過程還可以除去SiC襯底上的拋光損傷。在光刻中引入