實驗報告-半導體泵浦激光原理(專業(yè)版)
【正文】 將輸出鏡放上軌道，打開準直光源進行校準。（2）KTP晶體損壞（實驗過程確有遇到晶體損壞，更換KTP晶體才明顯看到綠色激光光功率增強）。調(diào)節(jié)輸出鏡使返回光點通過小孔。激光倍頻是將頻率為ω的光，通過晶體中的非線性作用，產(chǎn)生頻率為2ω的光。 掌握腔內(nèi)倍頻技術(shù)，并了解倍頻技術(shù)的意義。激光產(chǎn)生必須有能提供光學正反饋的諧振腔。讓HeNe激光和小孔及808nmLD在同一軸線上。100%由上表數(shù)據(jù)可看出：隨激勵電流的增大（或者說LD光功率增大），532nm綠激光的轉(zhuǎn)換效率整體上呈增加趨勢?？烧{(diào)節(jié)物鏡四維調(diào)節(jié)架旋鈕使最亮光點嚴格在透鏡中心。 將倍頻晶體KTP放上軌道，盡量靠近物鏡（增益介質(zhì)），也用HeNe光源進行準直調(diào)節(jié)。（5）光功率計數(shù)值顯示不穩(wěn)定，LD激光輸出本身也不十分穩(wěn)定，測量讀數(shù)會有一定誤差。 產(chǎn)生532nm倍頻綠激光。電極化強度產(chǎn)生的極化場發(fā)射出次級電磁輻射。如果一個原子，開始處于基態(tài)，在沒有外來光子，將保持不變，如果有一個能量為hυ21的光子接近，則它吸收這個光子，只有當光子能量正好等于原子能級間距E1E2時才能被吸收。工作物質(zhì)主要提供粒子數(shù)反轉(zhuǎn)?！緦嶒炑b置】圖4 實驗裝置示意圖實驗使用808nm ，長度為3x3x1mm摻雜濃度 3at% α軸向切割Nd:YVO4晶體作為工作介質(zhì)，入射到內(nèi)部的光約95%被吸收，采用ΙΙ類相位匹配2x2x5mmKTP晶體作為倍頻晶體，、采用端面泵浦以提高空間耦合效率，使光束束腰在Nd:YVO4晶體內(nèi)部，諧振腔為平凹型，后腔片受熱后彎曲。在激光區(qū)的線性擬合度不是很高，尤其在220mA附近。將光屏從靠近HeNe光源一端向遠端移動，直至準直光能全部透過小孔。實際實驗中調(diào)節(jié)良久，測量并讀取得到了如表2中的數(shù)據(jù)。因為溫度的升高會引起某些方向振動模式增益得到加強，某些方向振動模增益得到減弱。一般半導體激光器的發(fā)光特性如圖5所示。當外界光場的電場強度足夠大時（如激光），物質(zhì)對光場的響應(yīng)與場強具有非
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