實驗報告-半導體泵浦激光原理(文件)
【正文】 （5）光功率計數(shù)值顯示不穩(wěn)定，LD激光輸出本身也不十分穩(wěn)定，測量讀數(shù)會有一定誤差。推測：降序系統(tǒng)溫度偏高，綠光532nm激光振動模式增益得到削弱所致；電流一定的情況下，隨著溫度升高，半導體激光器LD的閾值電流增大，導致發(fā)光功率降低。（物鏡、輸出鏡、KTP晶體等獨立非固定器件先不放在光軌上） 將物鏡放置在離泵浦光源距離為50mm左右的位置（物鏡靠LD側貼膜Nd:YVO4實為增益介質(zhì)）。實際實驗中反射光點并未能完全與小孔重合。 將倍頻晶體KTP放上軌道，盡量靠近物鏡（增益介質(zhì)），也用HeNe光源進行準直調(diào)節(jié)。為了方便可以全程打開著準直HeNe激光器，在不需要它的時候只需要在其出射端軌道上加遮擋屏即可。細調(diào)KTP、輸出鏡等的調(diào)節(jié)架可使綠激光功率盡可能達到最大值。根據(jù)光點隨輸出鏡旋鈕扭動方向的移動，判斷物鏡與輸出鏡是否嚴格平行?？烧{(diào)節(jié)物鏡四維調(diào)節(jié)架旋鈕使最亮光點嚴格在透鏡中心。最為關鍵和主要的步驟是光路的準直校準，具體步驟如下： 將小孔光屏置于軌道上，打開準直HeNe激光光源。因為實際實驗中升序降序所取電流值一一對應，而降序過程中由于起始激勵電源高，散熱慢而導致光路系統(tǒng)（器件）溫度會略高于升序時的溫度。（3）光路調(diào)節(jié)不夠準直，主要器件的光軸不在同一條水平線上。100%由上表數(shù)據(jù)可看出：隨激勵電流的增大（或者說LD光功率增大），532nm綠激光的轉換效率整體上呈增加趨勢?？扇菀卓闯鰧嶒炈?08nmLD的門限電流大致在70mA左右?！緦嶒灁?shù)據(jù)記錄與分析】表1 光源電流與光功率關系可調(diào)光源電流I/mA20406080100120140160180200808nmLD激光光功率P/mW可調(diào)光源電流I/mA220240260280300320340360380400808nmLD激光光功率P/mW
黨政相關相關推薦
鄂ICP備17016276號-1