【正文】 SETB T0BZ 。 CJNE A,8,T0CL1 。 CJNE A,10,TCLM 。 有顯示要求？ RET 。送顯緩 INC R0 。 MOVC A,A+DPTR 。調(diào)數(shù)據(jù)處理 SJMP LOOP 。初始化顯示緩存區(qū) MOV DPTR,TAB2 。// LJMP T1ZD// ORG 0023H 。DA5 EQU 44H 。致謝首先，感謝武老師給我們這樣一次歷練的機(jī)會，是你從一開始帶著什么都不懂的我們走進(jìn)了電子、電路，感謝您嚴(yán)謹(jǐn)?shù)慕虒W(xué)態(tài)度和詼諧幽默的教學(xué)方法，教會了我如何去認(rèn)識一個未知的東西，特別是對待作業(yè)的態(tài)度，歷練了我們不畏艱難，迎難而上的精神，我想，這會是我一生的財富。如圖56所示。用PROTEUS ISIS設(shè)計(jì)硬件電路的過程① 選擇設(shè)計(jì)圖紙的到小根據(jù)設(shè)計(jì)所使用到元器件的多少，選擇合適大小的設(shè)計(jì)圖紙，操作是單擊菜單欄上的System→Set Sheet Size ，然后彈出如圖51所示的對話框，從中選擇合適大小的圖紙，也可以選擇User進(jìn)行圖紙的自定義設(shè)置。 要特別說明的是備用電源B1，可以用電池或者超級電容器()。時鐘突發(fā)寄存器可一次性順序讀寫除充電寄存器外的所有寄存器內(nèi)容。X1和X2是振蕩源。串行數(shù)據(jù)輸入端（A，B）可控制數(shù)據(jù)。在組成一個單片機(jī)應(yīng)用系統(tǒng)時，多數(shù)采用這種方式，這種方式結(jié)構(gòu)緊湊，成本低廉，可靠性高。WDT計(jì)時周期依賴于外部時鐘頻率。對Flash存儲器編程期間，該引腳還用于輸入編程脈沖（PROG）。對端口寫“1”，通過內(nèi)部的上拉電阻把端口拉到高電平，此時可作輸入口。單片機(jī)的應(yīng)用，使許多領(lǐng)域的技術(shù)水平和自動化程度大大提高，可以說當(dāng)今世界正在經(jīng)受一場以單片機(jī)技術(shù)為標(biāo)志的新技術(shù)革命浪潮的沖擊。電子萬年歷的開發(fā)與研究在信息化時代的今天亦是當(dāng)務(wù)之急，因?yàn)樗鼞?yīng)用在學(xué)校、機(jī)關(guān)、企業(yè)、部隊(duì)等單位禮堂、訓(xùn)練場地、教學(xué)室、公共場地等場合，可以說遍及人們生活的每一個角落。 仿真環(huán)境下的可運(yùn)行電子文檔。以及上述文檔的電子稿。所以說電子萬年歷的開發(fā)是國家之所需，社會之所需，人民之所需。主要單片機(jī)類型如下：(1)MCS51系列單片機(jī)MCS51系列單片機(jī)主要是指Intel公司生產(chǎn)的以51位內(nèi)核的單片機(jī)芯片，具有8位CPU、4K字節(jié)ROM、128字節(jié)RAM、可擴(kuò)展外部64K字節(jié)RAM和ROM、2個16位的定時器/計(jì)數(shù)器、4個8位并行I/O口、1個全雙工串行I/O口、21字節(jié)的專用寄存器、5個中斷源、片內(nèi)自帶振蕩器、片內(nèi)單總線等功能部件。作輸入口使用時，因?yàn)閮?nèi)部存在上拉電阻，某個引腳被外部信號拉低時會輸出一個電流。如有必要，可通過多特殊功能寄存器（SFR）區(qū)中的8EH單元的D0位置，可禁止ALE操作。除了復(fù)位（硬件復(fù)位或WDT溢出復(fù)位），沒有辦法停止WDT工作。在電路中，對電容C1和C2的值要求不是很嚴(yán)格，如果使用高質(zhì)的晶振，則不管頻率為多少，CC2通常都選擇30pF。當(dāng)A、B任意一個為低電平時停止新數(shù)據(jù)輸入，在時鐘端（CLOCK）脈沖上升沿作用下Q0為低電平。RST是復(fù)位/片選線，通過把RST輸入驅(qū)動置高電平來啟動所有的數(shù)據(jù)傳送。 DS1302與RAM相關(guān)的寄存器分為兩類：一類是單個RAM單元，共31個，每個單元組態(tài)為一個8位的字節(jié)，其命令控制字為C0H～FDH，其中奇數(shù)為讀操作，偶數(shù)為寫操作；另一類為突發(fā)方式下的RAM寄存器，此方式下可一次性讀寫所有的RAM的31個字節(jié)，命令控制字為FEH(寫)、FFH(讀)。雖然DS1302在主電源掉電后的耗電很小，但是，如果要長時間保證時鐘正常，最好選用小型充電電池。在設(shè)計(jì)過程中也可以通過此方法調(diào)整圖紙的大小。圖 56連接端子在PROTEUS 中的最終設(shè)計(jì)圖如圖57所示圖 57仿真圖最后分別對各元器件的屬性值進(jìn)行設(shè)置，單擊按鈕，進(jìn)行電氣檢測，查看接線是否合理，說明硬件電路已經(jīng)順利的完成。其次，我要感謝與我一次努力的同學(xué)，正是他們的存在，才讓我有了在沒有頭緒時仍能堅(jiān)持下去的決心，等到風(fēng)輕云淡，回首發(fā)現(xiàn)，那段艱辛而快樂的時光，是值得被記憶的。DA6 EQU 45H 。// LJMP UAZD ORG 0030HTAB1: DB 3FH,06H,5BH,4FH,66H,6DH,7DH,07H 。送入09段碼 MOV R0,30H 。SJCL: JB BLBZ,SJCL1 。取段碼 MOV R0,A 。 MOV A,FER 。XSC0: CLR XSBZ 。 MOV K,0 。 MOV XQR,0 。 RETIT1ZD: NOP RETIUAZD: NOP PUSH PSW PUSH ACC JNB RI,UAZD1 。50ms定時 MOV TL0,0B0H 。 MOV A,XQR 。 MOV A,K 。 RETXSZC: JB XSBZ,XSC0 。取段碼 MOV R0,A 。十位數(shù)取出 DIV AB 。調(diào)顯示輸出 CALL SJCL ?？傊袛? MOV R7,9 。// LJMP WZD1// ORG 001BH 。DA4 EQU 43H 。本次設(shè)計(jì)的電子萬年歷也存在的不足的地方，有待于以后的改進(jìn)。選擇，從中可以選擇電路原理中的兩個通用的端子，一個是接地，一個是電源。 對電子萬年歷的硬件電路設(shè)計(jì)通過PROTEUS ISIS軟件的VSM（虛擬仿真技術(shù)），用戶可以對模擬電路、數(shù)字電路、模數(shù)混合電路，以及基于微控制器的系統(tǒng)連同所有外圍接口電子元器件一起仿真。 DS1302與RAM相關(guān)的寄存器分為兩類:一類是單個RAM單元，共31個，每個單元組態(tài)為一個8位的字節(jié)，其命令控制字為C0H～FDH，其中奇數(shù)為讀操作，偶數(shù)為寫操作；再一類為突發(fā)方式下的RAM寄存器，在此方式下可一次性讀、寫所有的RAM的31個字節(jié)。 此外，DS1302 還有年份寄存器、控制寄存器、充電寄存器、時鐘突發(fā)寄存器及與RAM相關(guān)的寄存器等。當(dāng)Vcc2小于Vcc1時，DS1302由Vcc1供電。在整個中斷響應(yīng)過程中CPU所執(zhí)行的操作步驟如下：（1）完成當(dāng)前指令的操作（2）將PC內(nèi)容壓入堆棧（3）保存當(dāng)前的中斷狀態(tài)（4）阻止同級的中斷請求（5）將中斷程序入口地址送PC寄存器（6）執(zhí)行中斷服務(wù)程序（7）返回 8位移位寄存器74LS164（串行輸入，并行輸出）74LS164為8位移位寄存器,其主要電特性的典型值如表32：表32 74LS164主要電特性典型值型號fmPn54/7416436MHz185mW54/74LS16436 MHz80mW當(dāng)清除端（CLEAR）為低電平時，輸出端（QA－QH）均為低電平。另一種方式由外部時鐘源提供一個時鐘信號到XTAL1端輸入，而XTAL2端浮空。當(dāng)WDT激活后，晶振工作，WDT在每個機(jī)器周期都會增加。要注意的是：每當(dāng)訪問外部數(shù)據(jù)存儲器時將跳過一個ALE脈沖。l P2口：P2口是一個帶內(nèi)部上拉電阻的8位雙向I/O，P2的輸出緩沖級可驅(qū)動（吸收或輸出電流）4個TTL邏輯門電路。 器件的選用單片機(jī)AT89C51電容RESPACK8三個74LS164串行接口傳感器DS1302單片機(jī)自70年代問世以來以微處理器（MPU）技術(shù)及超大規(guī)模集成電路技術(shù)的發(fā)展為先導(dǎo)，用廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域拉動得到蓬勃發(fā)展，單片機(jī)功能正日漸完善。 二十一世紀(jì)是數(shù)字化技術(shù)高速發(fā)展的時代，而單片機(jī)在數(shù)字化高速發(fā)展的時代扮演著極為重要的角色。 圖紙部分： 設(shè)計(jì)原理圖、電路圖、程序流程圖，仿真調(diào)試過程抓圖、正常工作圖片。 電子文檔：上述內(nèi)容的電子稿。由于社會對信息交換不斷提高的要求及高新技術(shù)的逐步發(fā)展，促使電子萬年歷發(fā)展并且投入市場得到廣泛應(yīng)用。（2）AT89C51單片機(jī)AT89C51單片機(jī)的主要特性如下：l 與MCS51產(chǎn)品指令系統(tǒng)完全兼容l 4K字節(jié)的在線編程Flash存儲器，1000次擦寫周期l