【正文】 而對(duì)直流可以看成開路，這樣，交流、直流所走的通道是不同的。 (152) ICBO IBE ? IBE ICBO進(jìn)入 N區(qū)，形成IBE。 (140) B E C N N P EB RB EC IE 集電結(jié)反偏，有少子形成的反向電流 ICBO。反向電流大，說明管子的單向?qū)щ娦圆?，因此反向電流越小越好? 注意 : (120) PN結(jié)的單向?qū)щ娦? PN 結(jié) 加上正向電壓、正向偏置 的意思就是 ： P 區(qū)加正電壓、 N 區(qū)加負(fù)電壓。 一、 N 型半導(dǎo)體 (114) 二、 P 型半導(dǎo)體 在硅或鍺晶體中摻入少量的三價(jià)元素，如硼（或銦），晶體點(diǎn)陣中的某些半導(dǎo)體原子被雜質(zhì)取代，硼原子的最外層有三個(gè)價(jià)電子，與相鄰的 半導(dǎo)體原子形成共價(jià)鍵時(shí)，產(chǎn)生一個(gè)空穴。 1. 自由電子、空穴和載流子 自由電子和空穴都稱為 載流子 。 絕緣體： 有的物質(zhì)幾乎不導(dǎo)電，稱為 絕緣體 ，如橡皮、陶瓷、塑料和石英。 (17) 共價(jià)鍵中的兩個(gè)電子被緊緊束縛在共價(jià)鍵中，稱為 束縛電子 ，常溫下束縛電子很難脫離共價(jià)鍵成為 自由電子 ，因此本征半導(dǎo)體中的自由電子很少，所以本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力很弱。 。 (119) 。 (128) 主要參數(shù) 1. 最大整流電流 IOM 二極管長(zhǎng)期使用時(shí)，允許流過二極管的最大正向平均電流。 可互換么？ (137) 電流分配和放大原理 IC mA ?A RB IB EC EB mA + – IE + – 6V 3DG6 B C E 共發(fā)射極接法 基極電路 集電極電路 (138) 實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)： IB /mA 0 IC /mA IE /mA 結(jié) 論 : (1) IE = IC + IB (2) IC 和 IE 比 IB大的多 (3) 當(dāng) IB = 0 時(shí) , IC (4)發(fā)射結(jié)正偏 , 集電結(jié)反偏 (139) B E C N N P EB RB EC IE 基區(qū)空穴向發(fā)射區(qū)的擴(kuò)散可忽略。 即： UCE?UBE ， ?IBIC (149) 三、主要參數(shù) 共發(fā)射極電路在靜態(tài)（無信號(hào)輸入）時(shí)集電極電流 IC與基極電流 IB的比值稱為共發(fā)射極 靜態(tài)電流（直流）放大系數(shù)： BCII?_ _ _?工作于動(dòng)態(tài)的三極管，基極電流的變化量 ?IB與它引起的集電極電流的變化量 ?IC的比值稱為 動(dòng)態(tài) 電流 （ 交流）放大系數(shù)： BII C????1. 電流放大系數(shù) ? 和 ? (150) 例： UCE=6V時(shí) ： IB = , IC = mA； IB = , IC = mA。 (167) 用估算法確定靜態(tài)值 放大電路中各點(diǎn)的電壓或電流都是在靜態(tài)直流上附加了小的交流信號(hào)。 信號(hào)的不同分量可以分別在不同的通道分析。 –射極反向擊穿電壓 U(BR)CEO 當(dāng)集 射極之間的電壓 UCE超過一定的數(shù)值時(shí)， ICEO突然大幅度上升 ,三極管就會(huì)被擊穿。 BCC B OBC B OCBECEIIIIIIII ??????(143) B E C IB IE IC NPN型三極管 B E C IB IE IC PNP型三極管 (144) 特性曲線 IC mA ?A V V UCE UBE RB IB EC EB 實(shí)驗(yàn)線路 + – + – (145) 一、 輸入特性曲線 UCE ≥ 1V IB(?A) UBE(V) 20 40 60 80 UCE =0V UCE = 當(dāng)集 –射極電壓 UCE為常數(shù)時(shí) ,輸入電路中基極電流 IB與基 –射極電壓 UBE之間的關(guān)系曲線 IB =f(UBE) 。 以上均是二極管的直流參數(shù)，二極管的應(yīng)用是主要利用它的單向?qū)щ娦?，主要?yīng)用于整流、限幅、保護(hù)等等。 外電場(chǎng) 變窄 (122) 二、 PN 結(jié)反向偏置 － － － － + + + + 內(nèi)電場(chǎng) 外電場(chǎng) N P + _ 內(nèi)電場(chǎng)被加強(qiáng)，多子的擴(kuò)散受抑制。 +4 +4 +3 +4 空穴 硼原子 P 型半導(dǎo)體中空穴是多子，電子是少子 。 (111) 溫度越高，載流子的濃度越高。 半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性 (13) 半導(dǎo)體 的導(dǎo)電機(jī)理不同于其它物質(zhì)，所以它具有不同于其它物質(zhì)的特點(diǎn)。 硅和鍺的晶體結(jié)構(gòu)： 完全純凈的、具有晶體結(jié)構(gòu) 的半導(dǎo)體。 P 型半導(dǎo)體： 空穴濃度大大增加的雜質(zhì)半導(dǎo)體，也稱為 空