【正文】 整流電路中，開關(guān)器件的選擇和觸發(fā)電路的選擇是最關(guān)鍵的，開關(guān)器件和觸發(fā)電路選擇的好，對整流電路的性能指標影響很大。⑦ 通態(tài)電流臨界上升率di/dt。ITn ：額定電流有效值，根據(jù)管子的IT(AV) 換算出，IT(AV) 、ITM ITn 三者之間的關(guān)系： （28） （29）波形系數(shù)：有直流分量的電流波形，其有效值與平均值之比稱為該波形的波形系數(shù)，用Kf表示。如下圖： 并聯(lián)RC阻容吸收回路（6） 元器件及電路參數(shù)的計算：1）整流輸出電壓的平均值可按下式計算=== （21）當α=0時，取得最大值100V即= =100V從而得出=111V，α=90o時，=0。在選擇快熔時應(yīng)考慮：1）電壓等級應(yīng)根據(jù)熔斷后快熔實際承受的電壓來確定。在單片開關(guān)電源中，利用線性光耦合器可構(gòu)成光耦反饋電路，通過調(diào)節(jié)控制端電流來改變占空比，達到精密穩(wěn)壓目的。1%，采用溫度補償，作為芯片內(nèi)部電路的電源，也可為芯片外圍電路提供標準電源，向外輸出電流可達400mA，沒有過流保護電路。1％）V，采用了溫度補償，而且設(shè)有過流保護電路。 (引腳8)：軟啟動電容接入端。SG3525是電流控制型PWM控制器，所謂電流控制型脈寬調(diào)制器是按照接反饋電流來調(diào)節(jié)脈寬的。 工作原理 第1階段（0~ωt1）：這階段u2在正半周期，a點電位高于b點電位晶閘管VT1和VT2方向串聯(lián)后于u2連接，VT1承受正向電壓為u2/2，VT2承受u2/2的反向電壓；同樣VT3和VT4反向串聯(lián)后與u2連接，VT3承受u2/2的正向電壓，VT4承受u2/2的反向電壓。掌握單相橋式全控橋整流電路和單相半橋無源逆變電路的工作原 理，進行結(jié)合完成交直交電路的設(shè)計； 2到u2過零時，電流又降為零，VT2和VT3關(guān)斷。此電路優(yōu)點在于結(jié)構(gòu)簡單，使用器件少，缺點是輸出交流電壓幅值僅為Ud/2。 （引腳6）：振蕩器定時電阻接入端。 （引腳15）：偏置電源接入端。 （9）逐個脈沖關(guān)斷。在計算機數(shù)字通信及實時控制中作為信號隔離的接口器件，可以大大增加計算機工作的可靠性。可用作過電流保護電路的主要有快速熔斷器，直流快速熔斷器和過電流繼電器等。其有效辦法是在晶閘管的陽極回路串聯(lián)入電感。將此電流按晶閘管標準電流取相近的電流等級即為晶閘管的額定電流。⑥ 斷態(tài)電壓臨界上升率du/dt。 整流電路的設(shè)計方法多種多樣，且根據(jù)負載的不同，又可以設(shè)計出很多不同的電路。因為保護電路和觸發(fā)電路的種類較多，因此要選擇一個適合本課題的電路就比較難。2)變壓器的選取根據(jù)參數(shù)計算可知:變壓器應(yīng)選變比為2,晶閘管承受最大電壓為考慮到2倍裕量，取400V.晶閘管的選擇原則：Ⅰ所選晶閘管電流有效值ITn 大于元件 在電路中可能流過的最大電流有效值。兩組輪流導通，變壓器二次電流是正、負對稱的方波，電流的平均值和有效值相等，其波形系數(shù)為1。3）快熔的值應(yīng)小于被保護器件的允許值、4）為保證熔體在正常過載情況下不熔化，應(yīng)考慮其時間電流特性。但又不能完全根據(jù)裝置運行時可能出現(xiàn)的暫時過電流和過電壓的數(shù)值來確定器件參數(shù)，必須充分發(fā)揮器件應(yīng)有的過載能力。光耦合器（optical coupler，英文縮寫為OC）亦稱光電隔離器，簡稱光耦。腳1 及腳2 分別為芯片內(nèi)誤差放大器的反相輸入端、同相輸入端。在該端與引腳2之間接入不同類型的反饋網(wǎng)絡(luò)，可以構(gòu)成比例、比例積分和積分等類型調(diào)節(jié)器。 SG3525的結(jié)構(gòu)和工作原理: (引腳1)：誤差放大器反向輸入端。在這段區(qū)間里，ud=u2，id=iVT1=iVT3=ud/R。培養(yǎng)一定的電力電子的實驗和調(diào)試能力； 5若在觸發(fā)角α處給VT1和VT4加觸發(fā)脈沖，VTVT4即導通，電流從a端經(jīng)VTR、VT4流回電源b端。負載接在直流電源中點和兩個橋臂連接點之間。該端接外部同步脈沖信號可實現(xiàn)與外電路同步。 (引腳13)：輸出級偏置電壓接入端。 （6）內(nèi)置軟啟動電路。由于光耦合器輸入輸出間互相隔離，電信號傳輸具有單向性等特點，因而具有良好的電絕緣能力和抗干擾能力。第二種是在適當?shù)牡胤桨惭b保護器件，例如，RC阻容吸收回路、限流電感、快速熔斷器、壓敏電阻或硒堆等。電容C的單位為μF，電阻的單位為歐姆，電容C的交流耐壓≥U：正常工作時阻容兩端交流電壓有效值。其定義是在室溫40176。一般IH值從幾十到幾百毫安，由晶閘管電流容量大小而定。模型圖： 仿真電路打開新建模型窗口，將所需元件模塊從模塊庫中拖入新建模型窗口并改名，設(shè)定有關(guān)參數(shù)后將各模塊庫連接組成仿真模型，如下圖