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基于mosfet的單相半橋無源逆變電路的的設(shè)計(jì)論文-全文預(yù)覽

2025-07-18 18:40 上一頁面

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【正文】 式和主電路聯(lián)結(jié)形式確定??捎米鬟^電流保護(hù)電路的主要有快速熔斷器,直流快速熔斷器和過電流繼電器等。保護(hù)方法:阻容保護(hù)主電路的過電壓保護(hù)晶閘管的保護(hù)電路第一種是采用電子保護(hù)電路,檢測設(shè)備的輸出電壓或輸入電流,當(dāng)輸出電壓或輸入電流超過允許值時(shí),借助整流觸發(fā)控制系統(tǒng)使整流橋短時(shí)內(nèi)工作于有源逆變工作狀態(tài),從而抑制過電壓或過電流的數(shù)值。主電路的過電壓保護(hù)設(shè)計(jì)所謂過壓保護(hù),即指流過晶閘管兩端的電壓值超過晶閘管在正常工作時(shí)所能承受的最大峰值電壓Um都稱為過電壓,產(chǎn)生過電壓的原因一般由靜電感應(yīng)、雷擊或突然切斷電感回路電流時(shí)電磁感應(yīng)所引起。我們在末端加一個(gè)推挽式放大結(jié)構(gòu)進(jìn)行電壓電流放大,達(dá)到高輸出電壓,高速,高共模抑制。在計(jì)算機(jī)數(shù)字通信及實(shí)時(shí)控制中作為信號(hào)隔離的接口器件,可以大大增加計(jì)算機(jī)工作的可靠性。這就完成了電—光—電的轉(zhuǎn)換,從而起到輸入、輸出、隔離的作用。它對輸入、輸出電信號(hào)有良好的隔離作用,所以,它在各種電路中得到廣泛的應(yīng)用。b 振蕩電路: 由一個(gè)雙門限電壓均從基準(zhǔn)電源取得,其高門限電壓VH= V,低門限電壓VL=,內(nèi)部橫流源向CT 充電,其端壓VC 線性上升,構(gòu)成鋸齒波的上升沿,當(dāng)VC=VH時(shí)比較器動(dòng)作,充電過程結(jié)束,上升時(shí)間t1 為:t1= 比較器動(dòng)作時(shí)使放電電路接通,CT 放電,VC 下降并形成鋸齒波的下降沿,當(dāng)VC=VL時(shí)比較器動(dòng)作,放電過程結(jié)束,完成一個(gè)工作循環(huán),下降時(shí)間間t2 為:t2=注意:此時(shí)間即為死區(qū)時(shí)間 鋸齒波的基本周期T 為:T=t1+t2=(+)CT 振蕩頻率:f=1/T CT和RT是連接腳5和腳6的振蕩器的電阻和電容,RD是于腳7相連的放電電阻的阻值。 (9)逐個(gè)脈沖關(guān)斷。 (5)死區(qū)時(shí)間可調(diào)。SG3525的特點(diǎn)如下: (1)工作電壓范圍寬:8—35V。腳5,腳6,腳7 內(nèi)有一個(gè)雙門限比較器,內(nèi)電容充放電電路,加上外接的電阻電容電路共同構(gòu)成SG3525 的振蕩器。 (引腳15):偏置電源接入端。 (引腳12):信號(hào)地。該端接高電平時(shí)控制器輸出被禁止。該端通常接一只5 的軟啟動(dòng)電容。 (引腳6):振蕩器定時(shí)電阻接入端。 (引腳3):振蕩器外接同步信號(hào)輸入端。在開環(huán)系統(tǒng)中,該端與補(bǔ)償信號(hào)輸入端(引腳9)相連,可構(gòu)成跟隨器。在脈寬比較器的輸入端直接用流過輸出電感線圈的信號(hào)與誤差放大器輸出信號(hào)進(jìn)行比較,從而調(diào)節(jié)占空比使輸出的電感峰值電流跟隨誤差電壓變化而變化。此電路優(yōu)點(diǎn)在于結(jié)構(gòu)簡單,使用器件少,缺點(diǎn)是輸出交流電壓幅值僅為Ud/2。在直流側(cè)有兩個(gè)相互串聯(lián)的大電容,兩個(gè)電容的中點(diǎn)為直流電源中點(diǎn)。 第3階段(π~ωt2 ):從ωt=π開始u2進(jìn)入了負(fù)半周期,b點(diǎn)電位高于a點(diǎn)電位,VT1和VT3由于受反向電壓而關(guān)斷,這時(shí)VT1~VT4都不導(dǎo)通,各晶閘管承受u2/2的電壓,但VT1和VT3承受的事反向電壓,VT2和VT4承受的是正向電壓,負(fù)載沒有電流通過,ud=0,id=i2=0。雖然VT1和VT3受正向電壓,但是尚未觸發(fā)導(dǎo)通,負(fù)載沒有電流通過,所以Ud=0,id=0。到u2過零時(shí),電流又降為零,VT2和VT3關(guān)斷。在u2正半周(即a點(diǎn)電位高于b點(diǎn)電位),若4個(gè)晶閘管均不導(dǎo)通,負(fù)載電流id為零,ud也為零,VTVT4串聯(lián)承受電壓u2,設(shè)VT1和VT4的漏電阻相等,則各承受u2的一半。加深理解《電力電子技術(shù)》課程的基本理論;設(shè)計(jì)指標(biāo):MOSFET電壓型單相半橋無源逆變電路設(shè)計(jì)(純電阻負(fù)載)熟悉兩種電路的拓?fù)?,控制方法? 3掌握單相橋式全控橋整流電路和單相半橋無源逆變電路的工作原 理,進(jìn)行結(jié)合完成交直交電路的設(shè)計(jì); 2培養(yǎng)學(xué)生綜合運(yùn)用知識(shí)解決問題的能力與實(shí)際動(dòng)手能力; 2主電路的設(shè)計(jì):(1) 整流部分主電路設(shè)計(jì): 單項(xiàng)橋式全控整流電路帶電阻性負(fù)載電路如圖(1):圖(1)在單項(xiàng)橋式全控整流電路中,晶閘管VT1和VT4組成一對橋臂,VT2和VT3 組成另一對橋臂。在u2負(fù)半周,仍在觸發(fā)延遲角α處觸發(fā)VT2和VT3(VT2和VT3的α=0處為ωt=π),VT2和VT3導(dǎo)通,電流從電源的b端流出,經(jīng)VTR、VT2流回電源a端。 工作原理 第1階段(0~ωt1):這階段u2在正半周期,a點(diǎn)電位高于b點(diǎn)電位晶閘管VT1和VT2方向串聯(lián)后于u2連接,VT1承受正向電壓為u2/2,VT2承受u2/2的反向電壓;同樣VT3和VT4反向串聯(lián)后與u2連接,VT3承受u2/2的正向電壓,VT4承受u2/2的反向電壓。由于VT1和VT3導(dǎo)通,忽略管壓降,uVT1=uVT2=0,而承受的電壓為uVT2=uVT4=u2。(2) 逆變部分主電路設(shè)計(jì):如圖所示,它有兩個(gè)橋臂,每個(gè)橋臂由一個(gè)全控器件和一個(gè)二極管反并聯(lián)而成。依此原理,V1和V2交替導(dǎo)通,VD1和VD2交替續(xù)流。SG3525
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