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正文內(nèi)容

spwm橋式逆變電路湖南工學(xué)院-全文預(yù)覽

2025-07-10 14:50 上一頁面

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【正文】 HO和LO分別與兩輸入HIN和LIN相對應(yīng),SD為保護信號輸入端,當(dāng)該腳接高電平時,IR2110的輸出信號全被封鎖,其對應(yīng)的輸出端HO和LO恒為低電平;而當(dāng)該腳接低電平時,IR2110的輸出信號跟隨HIN和LIN而變化,兩路均能正常輸出,在實際電路里,該端接用戶的保護電路的輸出。驅(qū)動芯片采用IR公司生產(chǎn)的大功率MOSFET和IGBT專用驅(qū)動集成電路芯片IR2110,IR2110是IR公司生產(chǎn)的大功率MOSFET和IGBT專用驅(qū)動集成電路,可以實現(xiàn)對MOSFET和IGBT的最優(yōu)驅(qū)動,該芯片具有光耦隔離和電磁隔離的優(yōu)點,同時還具有快速完整的保護功能和自帶死區(qū),因而它可以提高控制系統(tǒng)的可靠性,減少電路的復(fù)雜程度。SPWM信號產(chǎn)生電路如圖4所示,其仿真輸出波形結(jié)果如圖5所示。圖3 CD4538的管腳和功能表在設(shè)計SPWM時要考慮死區(qū)的影響,所以在設(shè)計的時間重點放在死區(qū)延時上。對于正弦波的負半周,也可以用同樣的方法得到PWM波形。如果把上述脈沖序列利用相同數(shù)量的等幅而不等寬的矩形脈沖代替,使矩形脈沖的中點和相應(yīng)正弦波部分的中點重合,且使矩形脈沖和相應(yīng)的正弦波部分面積(沖量)相等,就得到脈沖序列。沖量即指窄脈沖的面積。PWM控制的基本原理:PWM(Pulse Width Modulation)控制就是對脈沖的寬度進行調(diào)制的技術(shù)。晶閘管需一段時間才能恢復(fù)正向阻斷能力,換流結(jié)束后還要使VTVT4承受一段反壓時間t,tb= t5 t4應(yīng)大于晶閘管的關(guān)斷時間tq。 在ur的負半周,V1保持?jǐn)鄳B(tài),V2保持通態(tài)。 調(diào)制信號ur為正弦波,載波uc在ur的正半周為正極性的三角波,在ur的負半周為負極性的三角波。全橋逆變電路,它有四個橋臂,每個橋臂由一個可控器件和一個反并聯(lián)二極管組成。技術(shù)指標(biāo)及要求1)直流輸入電壓100V;2)阻感負載;(R取學(xué)號尾數(shù)Ω,L取學(xué)號尾數(shù)X2mH);3)交流輸出電壓頻率為50HZ。若采用標(biāo)準(zhǔn)正弦波作為PWM調(diào)制波,常稱為SPWM,是目前應(yīng)用較多的一種逆變控制技術(shù)。PWM技術(shù)的理論基礎(chǔ)為面積等效原理,即將形狀不同但面積相等的窄脈沖加之于線性慣性環(huán)節(jié)時,得到的輸出效果基本相同。關(guān)鍵詞:SPWM;單相橋式逆變;MATLAB 目錄摘 要 21 緒論 4 4 42逆變主電路 5 5 5 63驅(qū)動電路的設(shè)計 7 7 94過流保護 115電路元件清單 126單極性SPWM單相橋式逆變電路總圖 137MATLAB建模與仿真 14 14 14 14總結(jié) 18參考文獻 19致謝 20附錄 21 1 緒論設(shè)計一單極性SPWM單相橋式逆變電路仿真,運用MATLAB中的SIMULINK對電路進行仿真。關(guān)于逆變主電路的選擇可以有以下兩種選擇,第一采用全橋逆變主電路,第二采用半橋逆變主電路,本次設(shè)計采用的是全橋逆變,關(guān)于全橋逆變主電路的選擇和半橋逆變主電路的選擇下面做一個詳細介紹。 原理內(nèi)容:沖量相等而形狀不同的窄脈沖加在具有慣性的環(huán)節(jié)上時,其效果基本相同。 當(dāng)uruc時使V4關(guān)斷,V3導(dǎo)通, uo=0。 主電路在每個開關(guān)周期內(nèi)輸出電壓在正和零(或負和零)間跳變,正、負兩種電平不會同時出現(xiàn)在一個開關(guān)周期內(nèi),故稱為單極性SPWM。忽略換流過程,io可近似成矩形波,展開成傅里葉級數(shù): 基波電流有效值 :
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