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正文內(nèi)容

電子元器件基礎(chǔ)知識(shí)(專業(yè)版)

  

【正文】 上面舉的例子,具體來(lái)說(shuō)就是 PNP 型鍺材料低頻小功率管。當(dāng)柵 G 電壓 VG 增大時(shí), p 型半導(dǎo)體表面的多數(shù)載流子棗空穴逐漸減少、耗盡,而電子逐漸積累到反型。如果測(cè)得VF=0 或VF≈3V,且不發(fā)光,說(shuō)明發(fā)光管已壞。 普通發(fā)光二極管的檢測(cè)(1)用萬(wàn)用表檢測(cè)。如果需要 TVS 在一個(gè)變化的溫度工作,由于其反向漏電流 ID 是隨增加而增大;功耗隨 TVS 結(jié)溫增加而下降,從+25℃到+175℃,大約線性下降 50%雨擊穿電壓 VBR 隨溫度的增加按一定的系數(shù)增加。對(duì)單極性 TVS 小于 11012 秒;對(duì)雙極性TVS小于是 11011 秒。10% VBR 兩種。利用 TVS 二極管,可有效吸收會(huì)造成器件損壞的脈沖,并能消除由總線之間開關(guān)所引起的干擾(Crosstalk)。(2)檢波二極管 檢波二極管是用于把迭加在高頻載波上的低頻信號(hào)檢出來(lái)的器件,它具有較高的檢波效率和良好的頻率特性。在測(cè)試中,若正向、反向均無(wú)充電的現(xiàn)象,即表針不動(dòng),則說(shuō)明容量消失或內(nèi)部斷路;如果所測(cè)阻值很小或?yàn)榱?,說(shuō)明電容漏電大或已擊穿損壞,不能再使用。因10pF以下的固定電容器容量太小,用萬(wàn)用表進(jìn)行測(cè)量,只能定性的檢查其是否有漏電,內(nèi)部短路或擊穿現(xiàn)象。就價(jià)格而言: 鉭,鈮電容最貴;獨(dú)石、CBB較便宜;瓷片最低。 命名方法根據(jù)部頒標(biāo)準(zhǔn)(SJ73)規(guī)定,電容器的命名由下列四部分組成:第一部分(主稱);第二部分:(材料);第三部分(分類特征);第四部分(序號(hào))。常用固定電容的標(biāo)稱容量系列。鉭、鈮電解電容: 它用金屬鉭或者鈮做正極,用稀硫酸等配液做負(fù)極,用鉭或鈮表面生成的氧化膜做介質(zhì)制成。有正負(fù)極性,使用的時(shí)候,正負(fù)極不要接反。此值越大說(shuō)明光敏電阻性能越好。當(dāng)軸柄旋至極端位置“3”時(shí),阻值應(yīng)接近電位器的標(biāo)稱值。5%、177。下表是碳膜電阻的最高工作電壓。這種電位器調(diào)節(jié)方便。 碳膜電阻: 氣態(tài)碳?xì)浠衔镌诟邷睾驼婵罩蟹纸?,碳沉積在瓷棒或者瓷管上,形成一層結(jié)晶碳膜。 線繞電阻: 用康銅或者鎳鉻合金電阻絲,在陶瓷骨架上繞制成。5% 177。第一部分(主稱)電阻器 R電位器 RP第二部分:(材料) 碳膜 T金屬膜 P合成膜 U沉積膜 C合成膜 H玻璃釉膜 I金屬膜 J氧化膜 Y有機(jī)實(shí)芯 S無(wú)機(jī)實(shí)芯 N線繞 X熱敏 R光敏 G壓敏 M第三部分(分類特征)普通 1超高頻 2高阻 3高溫 4精密 7電阻器高壓 8電位器特殊函數(shù) 9高功率 G可調(diào) T小型 X測(cè)量用 L微調(diào) W多圈 D示例: -:%。在維修實(shí)踐中發(fā)現(xiàn),也有少數(shù)熔斷電阻器在電路中被擊穿短路的現(xiàn)象,檢測(cè)時(shí)也應(yīng)予以注意。B 測(cè)量功率不得超過(guò)規(guī)定值,以免電流熱效應(yīng)引起測(cè)量誤差。按其結(jié)構(gòu)可分為固定電容器、半可變電容器、可變電容器三種。陶瓷電容: 用陶瓷做介質(zhì),在陶瓷基體兩面噴涂銀層,然后燒成銀質(zhì)薄膜做極板制成??勺冸娙莸慕橘|(zhì)有空氣和聚苯乙烯兩種。2% 177。1) 名稱:聚酯(滌綸)電容(CL)電容量:40p4u 額定電壓:63630V 主要特點(diǎn):小體積,大容量,耐熱耐濕,穩(wěn)定性差 應(yīng)用:對(duì)穩(wěn)定性和損耗要求不高的低頻電路2) 名稱:聚苯乙烯電容(CB)電容量:10p1u額定電壓:100V30KV 主要特點(diǎn):穩(wěn)定,低損耗,體積較大應(yīng)用:對(duì)穩(wěn)定性和損耗要求較高的電路3) 名稱:聚丙烯電容(CBB)電容量:1000p10u額定電壓:632000V主要特點(diǎn):性能與聚苯相似但體積小,穩(wěn)定性略差應(yīng)用:代替大部分聚苯或云母電容,用于要求較高的電路4) 名稱:云母電容(CY)電容量:10p—額定電壓:100V7kV主要特點(diǎn):高穩(wěn)定性,高可靠性,溫度系數(shù)小應(yīng)用:高頻振蕩,脈沖等要求較高的電路5) 名稱:高頻瓷介電容(CC)電容量:16800p額定電壓:63500V主要特點(diǎn):高頻損耗小,穩(wěn)定性好應(yīng)用:高頻電路6) 名稱:低頻瓷介電容(CT)電容量:10p—額定電壓:50V100V主要特點(diǎn):體積小,價(jià)廉,損耗大,穩(wěn)定性差應(yīng)用:要求不高的低頻電路7) 名稱:玻璃釉電容(CI)電容量:10p—額定電壓:63—400V主要特點(diǎn):穩(wěn)定性較好,損耗小,耐高溫(200度)應(yīng)用:脈沖、耦合、旁路等電路8) 名稱:鋁電解電容(CD)電容量:額定電壓:主要特點(diǎn):體積小,容量大,損耗大,漏電大應(yīng)用:電源濾波,低頻耦合,去耦,旁路等9) 名稱:鉭電解電容(CA)鈮電解電容(CN)電容量: 額定電壓:主要特點(diǎn):損耗、漏電小于鋁電解電容應(yīng)用:在要求高的電路中代替鋁電解電容10) 名稱:空氣介質(zhì)可變電容器可變電容量:1001500p主要特點(diǎn):損耗小,效率高;可根據(jù)要求制成直線式、直線波長(zhǎng)式、直線頻率式及對(duì)數(shù)式等應(yīng)用:電子儀器,廣播電視設(shè)備等11) 名稱:薄膜介質(zhì)可變電容器可變電容量:15550p主要特點(diǎn):體積小,重量輕;損耗比空氣介質(zhì)的大應(yīng)用:通訊,廣播接收機(jī)等12) 名稱:薄膜介質(zhì)微調(diào)電容器可變電容量:129p主要特點(diǎn):損耗較大,體積小應(yīng)用:收錄機(jī),電子儀器等電路作電路補(bǔ)償13) 名稱:陶瓷介質(zhì)微調(diào)電容器可變電容量:主要特點(diǎn):損耗較小,體積較小應(yīng)用:精密調(diào)諧的高頻振蕩回路14) 名稱:獨(dú)石電容容量范圍:耐壓:二倍額定電壓。3. 設(shè)計(jì)電路板時(shí),應(yīng)注意電容齊防爆閥上端不得有任何線路,并應(yīng)留出2mm以上的空隙。應(yīng)注意的是:在測(cè)試操作時(shí),特別是在測(cè)較小容量的電容時(shí),要反復(fù)調(diào)換被測(cè)電容引腳接觸A、B兩點(diǎn),才能明顯地看到萬(wàn)用表指針的擺動(dòng)。反向擊穿電壓VB:二極管反向電流急劇增大到出現(xiàn)擊穿現(xiàn)象時(shí)的反向電壓值。改進(jìn)后的 TVS 二極管還具有適應(yīng)低壓電路(<5 V)的特點(diǎn),且封裝集成度高,適用于在印制電路板面積緊張的情況下使用。 TVS的特性參數(shù)①最大反向漏電流 ID 和額定反向關(guān)斷電壓 VWM。因此,C 是數(shù)據(jù)接口電路選用 TVS 的重要參數(shù)。在規(guī)定的脈沖持續(xù)時(shí)間內(nèi),TVS 的最大峰值脈沖功耗 PM 必須大于被保護(hù)電路內(nèi)可能出現(xiàn)的峰值脈沖功率。(3)擊穿特性當(dāng)反向電壓增加到某一數(shù)值時(shí),反向電流急劇增大,這種現(xiàn)象稱為反向擊穿。正常情況下,接通后就能正常發(fā)光。正向偏置的 EB 結(jié)有空穴從發(fā)射極注入基區(qū),其中大部分空穴能夠到達(dá)集電結(jié)的邊界,并在反向偏置的 CB 結(jié)勢(shì)壘電場(chǎng)的作用下到達(dá)集電區(qū),形成集電極電流 IC 。多數(shù)國(guó)產(chǎn)管用 xxx 表示,其中每一位都有特定含義:如 3 A X 31,第一位3代表三極管,2代表二極管。(3)電流放大系數(shù) β 的估算選用歐姆檔的 R*100(或 R*1K)檔,對(duì) NPN 型管,紅表筆接發(fā)射極,黑表筆接集電極,測(cè)量時(shí),只要比較用手捏住基極和集電極(兩極不能接觸),和把手放開兩種情況小指針擺動(dòng)的大小,擺動(dòng)越大,β 值越高。按制作材料分,晶體管可分為鍺管和硅管兩種。來(lái)判斷紅外 LED 加上適當(dāng)正向電流后是否發(fā)射紅外光。余下的“”筆接被測(cè)發(fā)光管的正極(P 區(qū)),余下的“+”筆接被測(cè)發(fā)光管的負(fù)極(N 區(qū))。(2)反向特性二極管兩端加上反向電壓時(shí),反向電流很小,當(dāng)反向電壓逐漸增加時(shí),反向電流基本保持不變,這時(shí)的電流稱為反向飽和電流。串行連接分電壓,并行連接分電流。VC 與 VBR 之比稱為箝位因子,一般在 ~ 之間④電容量 C電容量 C 是 TVS 雪崩結(jié)截面決定的、在特定的 1MHZ 頻率下測(cè)得的。爾后,隨著脈沖電流按指數(shù)衰減,TVS 兩極的電壓也不斷下降,最后恢復(fù)到起始狀態(tài)。TVS 二極管是和被保護(hù)電路并聯(lián)的,當(dāng)瞬態(tài)電壓超過(guò)電路的正常工作電壓時(shí),二極管發(fā)生雪崩,為瞬態(tài)電流提供通
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