【正文】 anroom is currently processing wafers! With increased 300mm 200mm processing capabilities including more PVD Metalization, 300mm Wet processing / Cleaning capabilities and full wafer 300mm .35um Photolithography, all in a Class One enviroment.凈化廠房Currently our PS300A and PS300B diffusion tools are capable of running both 200mm 300mm wafers. We can even process the two sizes in the same furnace load without suffering any uniformity problems! (Thermal Oxide Only)擴散Accuracy in metrology is never an issue at Process Specialties. We use the most advanced robotic laser ellipsometers and other calibrated tools for precision thin film, resistivity, CD and step height measurement. Including our new Nanometrics 8300 full wafer 300mm thin film measurement and mapping tool. We also use outside laboratories and our excellent working relationships with our Metrology tool customers, for additional correlation and calibration. 光刻間One of two SEM Labs located in our facility. In this one we are using a field emission tool for everything from looking at photoresist profiles and measuring CD39。PSGNSiP+PP+N+ N+VDDIN OUTPNSDDS集成電路中電阻 1ALSiO2 R+PP+PSUBN+R VCCN+BLNepi P+基區(qū)擴散電阻集成電路中電阻 2SiO2 RN+P+PSUBRN+BLNepi P+發(fā)射區(qū)擴散電阻集成電路中電阻 3基區(qū)溝道電阻SiO2 R N+P+PSUBRN+BLNepi P+P集成電路中電阻 4外延層電阻SiO2 RP+PSUBRNepi P+PN+集成電路中電阻 5MOS中多晶硅電阻SiO2Si多晶硅 氧化層其它： MOS管電阻集成電路中電容 1SiO2 AP+PSUBB+N+BLN+E P+NP+IA B+Cjs發(fā)射區(qū)擴散層 — 隔離層 — 隱埋層擴散層 PN電容集成電路中電容 2MOS電容AlSiO2ALP+PSUBNepiP+N+N+微電子制造工藝IC常用術語 圓片：硅片芯片 (Chip, Die)：6?、 8 ?：硅（園）片直徑： 1 ?＝ 6??150mm。NSiPB+CMOS集成電路工藝以 P阱硅柵 CMOS為例? 10。光刻膠NSiPB+CMOS集成電路工藝以 P阱硅柵 CMOS為例? 6。 VPE（ Vaporous phase epitaxy) 氣相外延生長硅SiCl4+H2→Si+HCl2。一般晶圓制造廠，將多晶硅融解 后，再利用硅晶種慢慢拉出單晶硅晶棒。二、晶圓針測制程 ? 經過 Wafer Fab之制程後，晶圓上即形成一格格的小格 ，我們稱之為晶方或是晶粒（ Die），在一般情形下，同一片晶圓上皆制作相同的晶片，但是也有可能在同一片晶圓 上制作不同規(guī)格的產品；這些晶圓必須通過晶片允收測試，晶粒將會一一經過針測（ Probe）儀器以測試其電氣特性， 而不合格的的晶粒將會被標上記號（Ink Dot），此程序即 稱之為晶圓針測制程（ Wafer Probe）。減小集電極串聯(lián)電阻? 2。光刻 I阱區(qū)光刻，刻出阱區(qū)注入孔 NSi NSiSiO2CMOS集成電路工藝以 P阱硅柵 CMOS為例? 2。光 Ⅳ p管場區(qū)光刻， p管場區(qū)注入， 調節(jié) PMOS管的開啟電壓，生長多晶硅。長 PSG（磷硅玻璃）。 亞微米 1?m的設計規(guī)范深亞微米 = ?m的設計規(guī)范 ?m 、 ?m －設計規(guī)范（最小特征尺寸）布線層數：金屬（摻雜多晶硅）連線的層數。N－襯底p+ p+漏源 柵柵氧化層場氧化層溝道P溝 MOS（ PMOS）GDSVT VGSID+VDS 0? N型襯底，施主雜質，電子導電；? 柵上加負電壓，表面吸引空穴，反型，空穴通道；? 漏加負電壓，空穴從源區(qū)經 P溝道到達漏區(qū)，器件開通 。 。 二月 21二月 2104:51:3504:51:35February 01, 2023? 1意志堅強的人能把世界放在手中像泥塊一樣任意揉捏。 二月 2104:51:3504:51Feb2101Feb21? 1越是無能的人，越喜歡挑剔別人的