【正文】 得放大電路的分析非常困難。 故一般可忽略它們的影響，得到簡化電路 ? ? ib 是受控源 ，且為電流控制電流源 (CCCS)。 試畫出其小信號等效模型電路。 （ 1）現(xiàn)已測得靜態(tài)管壓降 UCEQ＝ 6V，估算 Rb約為多少千歐 ； iU? oU?（ 2）若測得 和 的有效值分別為 1mV和 100mV， 解：（ 1）求解 Rb （ 2）求解 RL： ???? k565BQBE QCCb IUVRμA20CQBQ ?? ?IImA2cC E QCCCQ ???RUVI???? 111 LLcRRR 100io ????UUAu? be39。 如果溫度變化時， b點(diǎn)電位能基本不變 ，則可實(shí)現(xiàn)靜態(tài)工作點(diǎn)的穩(wěn)定。be Irr ?)1( )(fbeLc ?????? RrRRAu ?? ∥?????? ])1([ fbeb2b1i RrRRR ?∥∥ ??? k5co RRuA?ef39。 在使用一個放大電路時應(yīng)了解其信號頻率的適用范圍，在設(shè)計放大電路時，應(yīng)滿足信號頻率的范圍要求。e發(fā)射結(jié)電阻 re歸算到基極回路的電阻 發(fā)射結(jié)電容 Cb?e集電結(jié)電阻 rb?c 集電結(jié)電容 C b?c rbb39。是假想的基區(qū)內(nèi)的一個點(diǎn)。 低 頻 段 中頻段 高 頻 段 )(??)(?AmA2/mAl? h? ??中頻段 管子極間電容可視為開路， 管子的電路模型可用純電阻電路模型 來表示，耦合電容和旁路電容可視為短路 。 ??????)])(1([ fbeb2b1i eRRrRRR ?∥∥))(1()(fbeLceu RRrRRA????? ?? ∥?電路如圖所示，晶體管的 ?＝ 60， bb ?r =100Ω 。 VB VBE 且 Re可取 大些，反饋控制作用更強(qiáng)。LR例題 8 則負(fù)載電阻 RL為多少千歐？ 在上題圖示電路中，設(shè)靜態(tài)時 ICQ＝ 2mA，晶體管飽和管壓降 UCES＝ 。 (a) 畫出小信號模型圖 (c) 畫出小信號模型圖 (d) 畫出小信號模型圖 解 （ 1）求 Q點(diǎn)，作直流通路 直流通路 + VRIVVmAIβIuAKRVVI424124)40(1 0 0403 0 0)(12cCCCCEBCbBECCB?????????????????????? 如圖 ， 已知 BJT 的 β =100， VBE=。 BJT的小信號建模 4. H參數(shù)的確定 ? ? 一般用測試儀測出； ? rbe 與 Q點(diǎn)有關(guān)，可用圖示儀測出。 1 BJT的小信號建模 1. H參數(shù)的引出 ),( CEBBE vifv ?在小信號情況下，對上兩式取全微分得 CECEBEBBBEBE BCE dvvvdiivdvIV ????????用小信號交流分量表示 vbe= hieib+ hrevce ic= hfeib+ hoevce BJT的小信號建模 對于 BJT雙口網(wǎng)絡(luò)，我們已經(jīng)知道輸入輸出特性曲線如下： iB=f(vBE)? vCE=const iC=f(vCE)? iB=const 可以寫成： ),(CEBC vifi ?CECECBBCC BCE dvvidiiidiIV ????????vBE vCE iB c e b iC BJT雙口網(wǎng)絡(luò) BJT的小信號建模 CEBBEie Vivh??? 輸出端交流短路時的輸入電阻； 輸出端交流短路時的正向電流傳輸比或電流放大系數(shù)； 輸入端交流開路時的反向電壓傳輸比； 輸入端交流開路時的輸出電導(dǎo)。已知 BJT的 223。 IA＝ 2mA,IB＝ ,IC＝ +,試判斷管腳、管型。 功率三角形 放大電路向電阻性負(fù)載提供的 輸出功率 在輸出特性曲線上，正好是三角形 ?ABQ的面積，這一三角形稱為 功率三角形 。對于NPN管，輸出電壓表現(xiàn)為底部失真。 飽和區(qū)特點(diǎn)： iC不再隨 iB的增加而線性增加，即 BC ii ?? ? 此時 CB ii ???截止區(qū)特點(diǎn)： iB=0， iC= ICEO vCE= VCES ，典型值為 ① 波形的失真 飽和失真 2. 動態(tài)工作情況分析 3. BJT的三個工作區(qū) 圖解分析法 ? 飽和失真是輸出回路產(chǎn)生失真。 ? 在輸出特性曲線上，作出直流負(fù)載線 VCE=VCC－ ICRc，與 IBQ曲線的交點(diǎn)即為 Q點(diǎn)，從而得到 VCEQ 和 ICQ。 通常，放大電路中直流電源的作用和交流信號的作用共存，這使得電路的分析復(fù)雜化。 ? V(BR)CEO——基極開路時集電極和發(fā)射 極間的擊穿電壓。 截止區(qū)： iC接近零的區(qū)域，相當(dāng) iB=0的曲線的下方。 實(shí)現(xiàn)這一傳輸過程的兩個條件是： （ 1） 內(nèi)部條件： 發(fā)射區(qū)雜質(zhì)濃度遠(yuǎn)大于基區(qū)雜質(zhì)濃度，且基區(qū)很薄。 發(fā)射結(jié)正偏，發(fā)射區(qū)電子不斷向基區(qū)擴(kuò)散，形成發(fā)射極電流 IE。 兩種類型的三極管 發(fā)射結(jié) (Je) 集電結(jié) (Jc) 基極 ， 用 B或 b表示（ Base） 發(fā)射極 ， 用 E或 e 表示（ Emitter）； 集電極 ， 用 C或 c 表示（ Collector）。 外部條件： 發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。 IB=IBEICBO?IBE IB B E C N N P EB RB EC IE ICBO ICE IC=ICE+ICBO ?ICE IBE CBE III ??發(fā)射區(qū)發(fā)射電子 電子在基區(qū)擴(kuò)散和復(fù)合 集電區(qū)收集電子 2. 電流分配關(guān)系 發(fā)射極注入電流傳輸?shù)郊姌O的電流設(shè) ?? EnCII?? 即根據(jù)傳輸過程可知 IC= InC+ ICBO IB= IB’ ICBO 通常 IC ICBO ECII?? 則有 ? 為電流放大系數(shù)，它只與管子的結(jié)構(gòu)尺寸和摻雜濃度有關(guān)，與外加電壓無關(guān) 。 vCE ? 1V (1) 當(dāng) vCE=0V時，相當(dāng)于發(fā)射結(jié)的正向伏安特性曲線。 ? ? BJT的主要參數(shù) 1. 電流放大系數(shù) (2) 集電極發(fā)射極間的反向飽和電流 ICEO ICEO=（ 1+ ） ICBO ? 2. 極間反向電流 ICEO (1) 集電極基極間反向飽和電流 ICBO 發(fā)射極開 路時，集電結(jié)的反向飽和電流。 動態(tài)： 輸入信號不為零時，放大電路的工作狀態(tài)，也稱 交流工作狀態(tài) 。 設(shè)所有電容對交流信號均可視為短路。L= RL∥ Rc， 是交流負(fù)載電阻。Q39。對于 NPN管， 輸出電壓表現(xiàn)為頂部失真。 例題 2 共射極放大電路 例題 3 改變電路的哪些參數(shù)使 Q點(diǎn)從Q1移到 Q2， Q2移到 Q3， Q3移到Q4？失真情況如何？ 原則：發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。 IE=IB+ IC A B C IA IB IC C為發(fā)射極 B為基極 A為集電極。此時 BJT工作在哪個區(qū)域？（忽略 BJT的飽和壓降） 例題 4 解： （ 1） uA403 0 0 k2V1bBECCB ????RVVI3 . 2 m AuA4080BC ????? II ?5 . 6 V3 . 2 m A2kV12CcCCCE ?????? IRVV靜態(tài)工作點(diǎn)為 Q（ 40uA， ， ） BJT工作在放大區(qū)。 ? H參數(shù)與工作點(diǎn)有關(guān)，在放大區(qū)基本不變。b b 39。 Rb vi Rc RL iV?bI?cI?OV?bI?Vs t 例題 7 解： （ 1） 4Vk4mA212cCCCCE ??????? RIVVmA2uA4050BC ???? IβIuA40k3 0 0 V12bCCbBECCB ??????RVRVVIioV VVA????soVS VVA????放大電路如圖所示 ,已知 ?=50。 )( C E SC E Q UU ? )( CE QUV CC ?＜ )]//([ LCCQ RRI)( C E SC E Q UU ? ＞ ?? k3LR 時， UCEQ＝ VCC－ ICQRc＝ 6V。 （ 1） 用估算法計算 Q點(diǎn)； （ 2） 求輸入電阻 ； （ 3） 用小信號模型分析法求電壓增益 。這種說法是否正確？ 共集電極電路 2. 復(fù)合管 作用：提高電流放大系數(shù)，增大電阻 rbe 復(fù)合管也稱為 達(dá)林頓管 不同類型的管子復(fù)合后，其類型決定于 T1管。 高頻段 器件的 極間電容的容抗變小 ，分流的作用增大，因而使放大倍數(shù)下降，這時，放大器實(shí)際上是一個低通濾波器。 lg f dB32lg20 ?注意折線化曲線的誤差 － 20dB/十倍頻 折線化近似畫法 單級高頻響應(yīng) 2. 共射極放大電路的高頻響應(yīng) ① ?型高頻等效電路 A等效電路 單級高頻響應(yīng) 2. 共射極放大電路的高頻響應(yīng) ① ?型高頻等效電路 對節(jié)點(diǎn) c 列 KCL得 B電路簡化 R sbeb ?rC M R cc++V 0+g mV beV beV beV beV besV ?eb ?V ?bb ?reb ?eb ?V ?eb ?C0j)( cbebocoebm ???? ??? CVVRVVg ?????cb?C忽略 的分流得 ebcmo ??? VRgV ??cboeb j)( cb ?? ??? CVVI C ????又因?yàn)榉Q為 密勒電容 MCcbcmebM j)1(1cb ????? ? CRgIVZC ???則表示若用個電容之間存在一和相當(dāng)于 , , e b MC?cbcmM )1( ??? CRgC等效后斷開了輸入輸出之間的聯(lián)系 R cc+V 0+g mV beV beV beV beV besV ??eb ?V ?eb ?eb ?V ?CR+2. 共射極放大電路的高頻響應(yīng) ① ?型高頻等效電路 B電路簡化 單級高頻響應(yīng) 最后 Meb CCC ?? ?ebbbs //)( ???? rrRRsebbbsebs VrrRrV ?? ????? ???2. 共射極放大電路的高頻響應(yīng) ② 高頻響應(yīng) 單級高頻響應(yīng) R cc+V 0+g mV beV beV beV beV besV ??eb ?V ?eb ?eb ?V ?CR+Meb CCC ?? ? ebbbs //)( ???? rrRRseb j11 VRCV ???????ebcmo ??? VRgV ??sebbbsebs VrrRrV ?? ????? ???由電路得 )/j(1 H0ssoH ffAVVVVVVVVA VSSebebOV ????????????????????電壓增益表達(dá)式 又 其中 ebbbsebcm0??????? rrRrRgAV?