【正文】 ? ? ? ????? ??? ? ? ? ? ?? ? ? ? ? ?????????? ?????25 167。 由 b引起的反射為： Γ電壓傳輸系數(shù) 則可以寫成： T I RII212V V VV V jb?? ? ? ? ? ? ??112I I I 22 4 1( ) e x p t a n224T V V V j bjb b??? ??? ? ? ????? ? ????所引入的相位差為： 1 1ta n2 b?? ???? ????22 167。此外還要求兩種移相狀態(tài)下插入損耗要小，并且要盡可能相等，否則兩種移相狀態(tài)下輸出信號(hào)大小不同，這將引起寄生調(diào)幅。 19 167。 3. 相位誤差 相位誤差指標(biāo)有時(shí)采用最大相移偏差來表示，也就是各頻點(diǎn)的實(shí)際相移和理論相移之間的最大偏差值；有時(shí)給出的是均方根（ RMS）相位誤差，是指各位相位誤差的均方根值。同理，為保證直流偏置（開關(guān)脈沖）不干擾電路其他部分，在 RF的輸入輸出端上也需要高通濾波器。這一基本概念包含了利用 T型網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)，當(dāng)串聯(lián)器件在低阻狀態(tài)（電感），而并聯(lián)電路在高阻狀態(tài)（電容）時(shí)像一個(gè)低通濾波器。該設(shè)計(jì)的中心頻率為 3GHz。 高阻狀態(tài)下開關(guān)器件電容采用 10 167。 隔離度定義為理想開關(guān)在導(dǎo)通態(tài)傳給負(fù)載的功率與開關(guān)處于斷開態(tài)時(shí)傳遞到負(fù)載實(shí)際功率之比，它是開關(guān)在斷開態(tài)時(shí)開關(guān)性能的度量。 FET開關(guān)的線性工作區(qū)域 FET開關(guān)的橫截面圖 6 167。 a 基本 PIN結(jié)橫截面圖 b 正偏 c 反 偏 正偏條件下的電阻記為 Rs，與偏置電流 ，使 PIN結(jié)二極管在高頻下有很好的隔離度。 教學(xué)重點(diǎn)教學(xué) 重點(diǎn) 掌握：射頻移相器的各種性能指標(biāo)，常見移相器的移相原 理、電路結(jié)構(gòu)、性能參數(shù)等。其中 CT為 PIN結(jié)二極管的總電容，包括了結(jié)電容 Cj和封裝寄生電容 Cp。 7 167。 9 167。 SPDT的串聯(lián)和并聯(lián)結(jié)構(gòu) 在串聯(lián)結(jié)構(gòu)中，當(dāng)開關(guān)器件 SD1在低阻狀態(tài)和器件 SD2在高阻狀態(tài)時(shí)，輸入信號(hào)到輸出 1，否則到輸出 2。 射頻開關(guān) 5. 串 并聯(lián)開關(guān)結(jié)構(gòu) 圖（ a）是一種最簡(jiǎn)單的串 — 并聯(lián)開關(guān)結(jié)構(gòu)，當(dāng)串聯(lián)器件在低阻狀態(tài)和并聯(lián)器件在高阻狀態(tài)時(shí)，該開關(guān)是“通”。 射頻開關(guān) 6. 開關(guān)速度的考慮 （ 1）開關(guān)器件所致速度限制 開關(guān)速度術(shù)語與測(cè)量 當(dāng) pin二極管用作射頻開關(guān)時(shí) ,限制開關(guān)速度的主要因素是當(dāng)二極管偏置從正偏到反偏切換時(shí)，從本征區(qū)域移動(dòng)電荷需要的時(shí)間，即存儲(chǔ)電荷的耗盡時(shí)間。 開關(guān)電路三端口網(wǎng)絡(luò)表示 16 167。 5. 電壓駐波比 4. 插入損耗和插入波動(dòng) 插入損耗的定義為傳輸網(wǎng)絡(luò)未插入前負(fù)載吸收功率與傳輸網(wǎng)絡(luò)插入后負(fù)載吸收功率之比的分貝數(shù)。 一位開關(guān)線型移相器 1l 2l傳輸路徑長(zhǎng)度為 或 ，當(dāng)信號(hào)通過較長(zhǎng)的路徑時(shí)，它產(chǎn)生附加相位延遲為： 2 1 2 1p2( ) ( )fl l l lv???? ? ? ? ???d?從公式可以看出這類移相器一個(gè)有趣特性，其相移差值 直接與頻率成正比。 射頻移相器 1 ( 1 + j b ) j bG = =1 + ( 1 + j b ) 2 + j b 加載線型移相器 176。 反射型移相器 23 167。 射頻移相器 為了移相器匹配，需要： 11 0S ?由于考慮的是無損情況： 21 1 2 11SS??從而得到： nn2n21XBX? ??? nX因此相移 可以僅用 項(xiàng)來表達(dá)，為： 1 n2n22 t a n1XX?? ???? ?????由此還可以得到： n1= t a n4X ????????n1s i n2B ?????????27 167。這兩路信號(hào)在功率合成電路中相加。對(duì)于大多數(shù)應(yīng)用，附加的衰減直接影響鏈路預(yù)算。 31 167。在該衰減器中，兩個(gè) SPDT開關(guān)用于在直通線和參考線之間變換信道。因此，該技術(shù)適用于達(dá)到 2 dB的較小衰減比特?cái)?shù)。故這一技術(shù)也稱之為開關(guān)式電阻器法，這種衰減器的結(jié)構(gòu)示意圖如圖 。衰減器線性度可采用類似于放大器線性度定義的方式來定義，即衰減器插入損耗增大 1dB時(shí)的工作點(diǎn)位 1dB壓縮點(diǎn)，這個(gè)參量通常定義在輸入端，而不像放大器是定義在輸出端。對(duì)于 MESFET的衰減器，所用基本器件機(jī)理是用柵極電壓控制來改變零偏的 FET的低場(chǎng)電阻，此時(shí) MESFET可以用 R和 C并聯(lián)組合模型來表示，如圖（ c）和（ d）所示，電阻 和 值是柵極電壓的函數(shù)。當(dāng)二極管用在并聯(lián)諧振電路時(shí)得到的反射系數(shù)，其變化為輸入功率的函數(shù)。 射頻衰減器 PIN二極管限幅器 43 μm? τ利用 PIN二極管在正偏置下具有電導(dǎo)調(diào)制作用，即隨外加正偏流的增加， I層電阻迅速下降。第一節(jié)介紹由二極管，三極管組成的射頻開關(guān)的原理、結(jié)構(gòu)、性能衡量指標(biāo)和性能改善方法及設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)該注意的問題等。