集成電路封裝技術(shù)及其應(yīng)用(更新版)
【正文】 塑技術(shù)。通過這種變化，設(shè)計(jì)師可更加靈活地考慮封裝方面的芯片放置，比如，芯片可分別以垂直層疊、交錯(cuò)層疊，并排層疊的方式排列。例如，整個(gè)圓片接觸系統(tǒng)、犧牲金屬層法、柔性探針接觸法、單芯片插槽法、凸點(diǎn)夾具法、激光修復(fù)等先進(jìn)技術(shù)，MCP具體分析每種方法的測試標(biāo)準(zhǔn)、預(yù)定質(zhì)量、可靠性等級，在確定KGD成本的基礎(chǔ)上，節(jié)省測試時(shí)間甚至完全不需要老化測試，避免一個(gè)內(nèi)置芯片的缺陷導(dǎo)致整個(gè)MCP損失的潛在風(fēng)險(xiǎn)，評估KGD的先決條件是必須精確定義所需的可靠性等級。MCP是SiP架構(gòu)中的Stacked IC，而非Package stachking或Super IC stack豐富SiP所涵蓋的具體芯片的細(xì)化，技術(shù)融合難免有概念炒作之嫌。在封裝了多種不同的、用于不同目的芯片的MCP基礎(chǔ)上，一種更高封裝密度的系統(tǒng)封裝SiP成為MCP的下一個(gè)目標(biāo)。日趨流行的多功能高端手機(jī)需要更大容量、更多類型高速存儲器子系統(tǒng)的支撐。每種手機(jī)都強(qiáng)調(diào)擁有不同于其他型號的功能，這就使它需要某種特定的存儲器。各芯片通過堆疊封裝集成在一起，可實(shí)現(xiàn)較高的性能密度、更好的集成度、更低的功耗、更大的靈活性、更小的成本，目前以手機(jī)存儲器芯片封裝的批量生產(chǎn)為主，開發(fā)在數(shù)碼相機(jī)和PDA以及某些筆記本電腦產(chǎn)品中的應(yīng)用。從發(fā)展趨勢看，MCP并非全新概念，與超薄疊層芯片尺寸封裝有很多相同之處，但其顯著特征是所封裝的芯片類型增加，密度更高，以獲得最大靈活性和伸縮性。產(chǎn)業(yè)界開發(fā)各種各樣的性能測試/老化夾具的方法，降低KGD成本花費(fèi)。采用RDL技術(shù)，芯片中心的壓焊點(diǎn)可被重新分配到芯片的周邊、兩側(cè)或任何一側(cè)。 鍵合引線無搖動(dòng)技術(shù)鍵合引經(jīng)密度增高、長度延伸、形狀更復(fù)雜時(shí)，會(huì)增加短路的可能性。ORNAND架構(gòu)由市場份額領(lǐng)先的Spansion公司提出，針對3G手機(jī)，將NOR的質(zhì)量，快速隨機(jī)讀取速度與NAND的大容量和成本優(yōu)勢巧妙結(jié)合，容量在3～8Gb之間，、512Mb的產(chǎn)品，2007年提供一個(gè)全面的、容量高達(dá)8Gb的ORNAND架構(gòu)產(chǎn)品系系列，并會(huì)根據(jù)顧客要求，采用MCP技術(shù)，將SRAM、PSRAM與閃存封裝在一起供貨。PSRAM是在SRAM基礎(chǔ)上發(fā)展起來的，面對其技術(shù)潛在的巨大商機(jī)，現(xiàn)已形成歐美、日本、韓國三大陣營競爭態(tài)勢，賽普拉斯、英飛凌、美光和瑞薩組成Cellular RAM聯(lián)盟，東芝、日本電氣、富士通等日本廠家組成COSMORAM聯(lián)盟，韓國三星和現(xiàn)代組成UtRAM聯(lián)盟，三足鼎立各有產(chǎn)品推出
數(shù)學(xué)相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1