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單片機技術數(shù)字鐘電路的設計(更新版)

2025-08-21 21:56上一頁面

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【正文】 正常DIP10顯示秒JP1正常DB9F提供電源JP2正常SIP3提供電源JP3正常SIP3提供電源電容正常保證溫漂電解電容100uF 10V正常復位三極管8550正常TO92B放大晶振正常XTL1提供時序頻率圖31品名封裝規(guī)格數(shù)量器件號焊接注意電阻直插(RJ 1/4W)1006R1,R4,R7,R10,R14,1002001R131K1R202K6R2,R5,R8,R11,R15,2K6R3,R6,R9,R12,R16,排阻10K*81RN1注意方向電容直插()30pF2C9,C112C7, C105C1,C2,C3,C4,C5不需焊接電解超小型()100μF/25v2C6,C8注意正負極二極管直插41481D2注意正負極穩(wěn)壓管1D1注意正負極三極管85506Q1,Q2,Q3,Q4,Q5,Q6注意方向數(shù)碼塊共陽LG5641BH1U1(12P座)注意方向LG5621DH1U3(10P座)注意方向晶振1X1小方鍵2S1,S2插件RS2329臥、孔1JP1不需焊接電源座1JP2白色3芯座1JP3注意方向IC座DIP161U2:MAX202CPE不需焊接DIP201U4:HD74LS244P注意方向DIP401U5:P89C52X2BN注意方向:89SC5289SC52AT89C51單片機是國Atmel公司生產(chǎn)的采用高性能的靜態(tài)89C2051設計,是一個低電壓,高性能CHMOS 8位單片機,片內(nèi)含4kbytes的可反復擦寫的只讀Flash程序存儲器和128 bytes的隨機存取數(shù)據(jù)存儲器(RAM),器件采用ATMEL公司的高密度、非易失性存儲技術生產(chǎn),兼容標準MCS51指令系統(tǒng),片內(nèi)置通用8位中央處理器和Flash存儲單元。在本次主要的是時間的設計,因此對時間的精度要求是比較高的,竟量是誤差減少到最小值,但是為了更好的練習復習自己在以前所學習的編程能力,所以不采用單片機加時鐘芯片的方案,直接用軟件編程實現(xiàn)鐘控功能。能實現(xiàn)時鐘時、分、秒的顯示。系統(tǒng)由、LED數(shù)碼管、按鍵、三極管、74LS24電阻等組成。另外用單片機實現(xiàn)本設計也有兩種可選的子方案:第一種,用軟件編程實現(xiàn)設計中的鐘控功能;另一種則選用單片機加時鐘芯片實現(xiàn)鐘控功能?!?,是對時間調(diào)整\鬧鈴時間設置,和其他功能的區(qū)分。在本設計中XTAL1和XTAL2兩端跨接12MHz晶體振蕩器,其發(fā)出的脈沖直接送入內(nèi)部時鐘電路。 在本次主要是使用的是數(shù)字鬧鐘,因此主要部分是數(shù)字鐘的實現(xiàn),因此要實現(xiàn)這樣的功能必須要在硬件的電路上實現(xiàn)數(shù)字鐘的實現(xiàn),然后在此基礎上逐步實現(xiàn)其他的功能, 數(shù)字電子鐘的程序大概可以分為三個部分:時鐘主程序、時鐘顯示程序、時鐘中斷程序。定義一個堆棧段BIT_SEG SEGMENT BIT 。秒min: DS 1 。相當于小匯編的ORG LJMP MAINCSEG AT 000BH 。定時器0,1:方式一 MOV IE,8AH 。50ms單元加1 CJNE R1,5,ExitInt MOV R1,0 。省電模式Display3: PUSH B PUSH ACC PUSH DPL PUSH DPH PUSH 00H MOV R0,buffer MOV B,0FEH MOV DPTR,SEG_TABDisplay1: MOV A,R0 MOVC A,A+DPTR 。調(diào)整分鐘 AJMP SetSec 。都是走頓角的話這對設計的要求要更高。 第八節(jié) 單片機實訓總結 在這一周的單片機的實訓使我感受很深,由于我之前單片機課程學得不好。再往下就是調(diào)試電路,剛開始幾次都沒能
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