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單相橋式全控整流電路課程設(shè)計(更新版)

2025-08-07 11:55上一頁面

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【正文】 聯(lián)RC阻容吸收回路??烊蹖ζ骷谋Wo方式分為全保護和短保護兩種。一般電力電子均同時采用幾種過電壓保護措施,怪提高保護的可靠性和合理性。在電力電子器件電路中,除了電力電子器件參數(shù)要選擇合適,驅(qū)動電路設(shè)計良好外,采用合適的過電壓保護,過電流保護,du/dt保護和di/dt保護也是必不可少的。為了可靠地、快速地觸發(fā)大功率晶閘管,常常在 觸發(fā)脈沖的前沿疊加上一個觸發(fā)脈沖。觸發(fā)電路是變流裝置中的一個重要組成部分,變流裝置是否能正常工作,與觸發(fā)電路有直接關(guān)系,因此,正確合理地選擇設(shè)計觸發(fā)電路及其各項技術(shù)指標是保證晶閘管變流裝置安全,可靠,經(jīng)濟運行的前提。整流部分電路則是根據(jù)題目的要求,選擇的我們學過的單相橋式整流電路。值得注意的是,只有當時,負載電流才連續(xù),當時,負載電流不連續(xù),而且輸出電壓的平均值均接近零,因此這種電路控制角的移相范圍是。 可關(guān)斷晶閘管可關(guān)斷晶閘管簡稱GTO1可關(guān)斷晶閘管的工作原理 GTO的結(jié)構(gòu)、等效電路和圖形符號GTO的導通機理與SCR是完全一樣的。 1)晶閘管的結(jié)構(gòu)晶閘管是大功率器件,工作時產(chǎn)生大量的熱,因此必須安裝散熱器。 熟悉電力電子技術(shù)課程、電機學課程的相關(guān)知識。課程設(shè)計期間,左昊指導其他組員MATLAB仿真軟件的使用;陶冶為其他組員提供已借閱查找到的有關(guān)資料;溫曉波指導其他組員WORD以及計算公式的使用。正文4000字以上,即A4打印頁數(shù)不少于10頁。 課 程 設(shè) 計課程名稱:電力電子技術(shù)設(shè)計題目:單相橋式可控整流電路 院 (部): 電力學院 專 業(yè): 智能電網(wǎng)信息工程 班 級: 1401 學生姓名: 溫曉波 學 號: 1410240331 成 績: 指導教師: 張小燕 完成時間: 2016年12月5日至19日2 銀川能源學院課 程 設(shè) 計 評 定 意 見 設(shè)計題目: 單相橋式可控整流電路 主要指標:電源電壓:交流311V/50Hz、觸發(fā)腳為60度。設(shè)計的成果應包括:主電路的設(shè)計;器件的選型;驅(qū)動電路、保護電路的概念(如側(cè)重該部分的設(shè)計則詳細描述);用MATLAB仿真軟件中的Simulink繪制的主電路和控制電路的原理圖,電路設(shè)計過程的詳細說明書及進行的仿真和記錄。同組設(shè)計者及分工: 由左昊,陶冶,溫曉波組成一個設(shè)計小組;題目準備期間,左昊負責熟悉MATLAB仿真軟件;陶冶負責借閱查找有關(guān)資料;溫曉波負責熟悉WORD以及計算公式的使用。3)培養(yǎng)獨立思考、獨立收集資料、獨立設(shè)計的能力;4)培養(yǎng)分析、總結(jié)及撰寫技術(shù)報告的能力。 單相全控橋式整流電路具有輸出電流脈動小,功率因數(shù)高,變壓器二次電流為兩個等大反向的半波,沒有直流磁化問題,變壓器利用率高的優(yōu)點。廣義上講,晶閘管還包括其許多類型的派生器件。只有門極觸發(fā)是最精確、迅速而可靠的控制手段。在電源電壓負半周期間,晶閘管VTVT2承受正向電壓,在時觸發(fā),VTVT4導通,VTVT2受反相電壓截止,負載電流從VTVT4中換流至VTVT2中在時,電壓過零,VTVT2因電感中的感應電動勢一直導通,直到下個周期VTVT4導通時,VTVT2因加反向電壓才截止。這部分的選擇主要考慮到電路的簡單性,所以才這樣的保護電路部分。根據(jù)控制要求決定晶閘管的導通時刻,對變流裝置的輸出功率進行控制。只有當晶閘管的陽極電流即主回路電流上升到晶閘管的掣住電流以上時,晶閘管才能導通,所以觸發(fā)信號應有足夠的寬度才能保證被觸發(fā)的晶閘管可靠的導通,對于電感性負載,脈沖的寬度要寬些,~1MS,相當于50HZ、18度電度角。觸發(fā)電路同時受控于電壓uc與同步電壓us控制。過電流分載和短路兩種情況。為保證熔體在正常過載情況下不熔化,應考慮其時間電流特性。:2電壓上升率dv/dt的抑制加在晶閘管上的正向電壓上升率dv/dt也應有所限制,如果dv/dt過大,由于晶閘管結(jié)電容的存在而產(chǎn)生較大的位移電流,該電流可以實際上起到觸發(fā)電流的作用,使晶閘管正向阻斷能力下降,嚴重時引起晶閘管誤導通。由于這個結(jié)的伏安特性很分散,無法找到一條典型的代表曲線,只能用一條極限高阻門極特性和一條極限低阻門極特性之間的一片區(qū)域來代表所有元件的門極伏安特性,如圖52陰影區(qū)域所示。延遲時間隨門極電流的增大而減少,延遲時間和上升時間隨陽極電壓上升而下降。晶閘管的額定電壓 UTn =(2~3)UTM UTM :工作電路中加在管子上的最大瞬時電壓 2額定電流IT(AV) IT(AV) 又稱為額定通態(tài)平均電流。一般掣住電流比維持電流大(2~4)倍。8通態(tài)電流臨界上升率di/dt。A1個晶閘管KP1034個電阻其中主電路負載電阻最大為500Ω1個電感主電路負載700mH1個6系統(tǒng)仿真 帶電阻電感性負載的仿真: 啟動MATLAB,進入SIMULINK后建文檔,繪制單相橋式全控整流電路模型,如圖,雙擊各模塊,在出現(xiàn)的對話框內(nèi)設(shè)置模塊。這次的課程設(shè)計是我設(shè)計時間最長的一次,也是收獲最大的一次
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