【正文】 聯(lián)RC阻容吸收回路?？烊蹖?duì)器件的保護(hù)方式分為全保護(hù)和短保護(hù)兩種。一般電力電子均同時(shí)采用幾種過(guò)電壓保護(hù)措施，怪提高保護(hù)的可靠性和合理性。在電力電子器件電路中，除了電力電子器件參數(shù)要選擇合適，驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)良好外，采用合適的過(guò)電壓保護(hù)，過(guò)電流保護(hù)，du/dt保護(hù)和di/dt保護(hù)也是必不可少的。為了可靠地、快速地觸發(fā)大功率晶閘管，常常在 觸發(fā)脈沖的前沿疊加上一個(gè)觸發(fā)脈沖。觸發(fā)電路是變流裝置中的一個(gè)重要組成部分，變流裝置是否能正常工作，與觸發(fā)電路有直接關(guān)系，因此，正確合理地選擇設(shè)計(jì)觸發(fā)電路及其各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)是保證晶閘管變流裝置安全，可靠，經(jīng)濟(jì)運(yùn)行的前提。整流部分電路則是根據(jù)題目的要求，選擇的我們學(xué)過(guò)的單相橋式整流電路。值得注意的是，只有當(dāng)時(shí)，負(fù)載電流才連續(xù)，當(dāng)時(shí)，負(fù)載電流不連續(xù)，而且輸出電壓的平均值均接近零，因此這種電路控制角的移相范圍是。 可關(guān)斷晶閘管可關(guān)斷晶閘管簡(jiǎn)稱GTO1可關(guān)斷晶閘管的工作原理 GTO的結(jié)構(gòu)、等效電路和圖形符號(hào)GTO的導(dǎo)通機(jī)理與SCR是完全一樣的。 1）晶閘管的結(jié)構(gòu)晶閘管是大功率器件，工作時(shí)產(chǎn)生大量的熱，因此必須安裝散熱器。 熟悉電力電子技術(shù)課程、電機(jī)學(xué)課程的相關(guān)知識(shí)。課程設(shè)計(jì)期間，左昊指導(dǎo)其他組員MATLAB仿真軟件的使用；陶冶為其他組員提供已借閱查找到的有關(guān)資料；溫曉波指導(dǎo)其他組員WORD以及計(jì)算公式的使用。正文4000字以上,即A4打印頁(yè)數(shù)不少于10頁(yè)。 課 程 設(shè) 計(jì)課程名稱：電力電子技術(shù)設(shè)計(jì)題目：?jiǎn)蜗鄻蚴娇煽卣麟娐? 院 （部）： 電力學(xué)院 專 業(yè)： 智能電網(wǎng)信息工程 班 級(jí)： 1401 學(xué)生姓名： 溫曉波 學(xué) 號(hào)： 1410240331 成 績(jī)： 指導(dǎo)教師： 張小燕 完成時(shí)間： 2016年12月5日至19日2 銀川能源學(xué)院課 程 設(shè) 計(jì) 評(píng) 定 意 見 設(shè)計(jì)題目： 單相橋式可控整流電路 主要指標(biāo)：電源電壓：交流311V/50Hz、觸發(fā)腳為60度。設(shè)計(jì)的成果應(yīng)包括：主電路的設(shè)計(jì)；器件的選型；驅(qū)動(dòng)電路、保護(hù)電路的概念（如側(cè)重該部分的設(shè)計(jì)則詳細(xì)描述）；用MATLAB仿真軟件中的Simulink繪制的主電路和控制電路的原理圖，電路設(shè)計(jì)過(guò)程的詳細(xì)說(shuō)明書及進(jìn)行的仿真和記錄。同組設(shè)計(jì)者及分工： 由左昊，陶冶，溫曉波組成一個(gè)設(shè)計(jì)小組；題目準(zhǔn)備期間，左昊負(fù)責(zé)熟悉MATLAB仿真軟件；陶冶負(fù)責(zé)借閱查找有關(guān)資料；溫曉波負(fù)責(zé)熟悉WORD以及計(jì)算公式的使用。3）培養(yǎng)獨(dú)立思考、獨(dú)立收集資料、獨(dú)立設(shè)計(jì)的能力；4）培養(yǎng)分析、總結(jié)及撰寫技術(shù)報(bào)告的能力。 單相全控橋式整流電路具有輸出電流脈動(dòng)小，功率因數(shù)高，變壓器二次電流為兩個(gè)等大反向的半波，沒有直流磁化問(wèn)題，變壓器利用率高的優(yōu)點(diǎn)。廣義上講，晶閘管還包括其許多類型的派生器件。只有門極觸發(fā)是最精確、迅速而可靠的控制手段。在電源電壓負(fù)半周期間，晶閘管VTVT2承受正向電壓，在時(shí)觸發(fā)，VTVT4導(dǎo)通，VTVT2受反相電壓截止，負(fù)載電流從VTVT4中換流至VTVT2中在時(shí)，電壓過(guò)零，VTVT2因電感中的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)一直導(dǎo)通，直到下個(gè)周期VTVT4導(dǎo)通時(shí)，VTVT2因加反向電壓才截止。這部分的選擇主要考慮到電路的簡(jiǎn)單性，所以才這樣的保護(hù)電路部分。根據(jù)控制要求決定晶閘管的導(dǎo)通時(shí)刻，對(duì)變流裝置的輸出功率進(jìn)行控制。只有當(dāng)晶閘管的陽(yáng)極電流即主回路電流上升到晶閘管的掣住電流以上時(shí)，晶閘管才能導(dǎo)通，所以觸發(fā)信號(hào)應(yīng)有足夠的寬度才能保證被觸發(fā)的晶閘管可靠的導(dǎo)通，對(duì)于電感性負(fù)載，脈沖的寬度要寬些，~1MS，相當(dāng)于50HZ、18度電度角。觸發(fā)電路同時(shí)受控于電壓uc與同步電壓us控制。過(guò)電流分載和短路兩種情況。為保證熔體在正常過(guò)載情況下不熔化，應(yīng)考慮其時(shí)間電流特性。:2電壓上升率dv/dt的抑制加在晶閘管上的正向電壓上升率dv/dt也應(yīng)有所限制,如果dv/dt過(guò)大，由于晶閘管結(jié)電容的存在而產(chǎn)生較大的位移電流，該電流可以實(shí)際上起到觸發(fā)電流的作用，使晶閘管正向阻斷能力下降，嚴(yán)重時(shí)引起晶閘管誤導(dǎo)通。由于這個(gè)結(jié)的伏安特性很分散，無(wú)法找到一條典型的代表曲線，只能用一條極限高阻門極特性和一條極限低阻門極特性之間的一片區(qū)域來(lái)代表所有元件的門極伏安特性，如圖52陰影區(qū)域所示。延遲時(shí)間隨門極電流的增大而減少，延遲時(shí)間和上升時(shí)間隨陽(yáng)極電壓上升而下降。晶閘管的額定電壓 UTn =（2～3）UTM UTM ：工作電路中加在管子上的最大瞬時(shí)電壓 2額定電流IT(AV) IT(AV) 又稱為額定通態(tài)平均電流。一般掣住電流比維持電流大（2～4）倍。8通態(tài)電流臨界上升率di/dt。A1個(gè)晶閘管KP1034個(gè)電阻其中主電路負(fù)載電阻最大為500Ω1個(gè)電感主電路負(fù)載700mH1個(gè)6系統(tǒng)仿真 帶電阻電感性負(fù)載的仿真： 啟動(dòng)MATLAB，進(jìn)入SIMULINK后建文檔，繪制單相橋式全控整流電路模型，如圖，雙擊各模塊，在出現(xiàn)的對(duì)話框內(nèi)設(shè)置模塊。這次的課程設(shè)計(jì)是我設(shè)計(jì)時(shí)間最長(zhǎng)的一次，也是收獲最大的一次