【正文】 ])。//1602顯示初始化 while(1){ds_temp()。 write_date(disdata[1])。//如果溫度大于0，不顯示 if(tflag==1) flagdat=0x2d。// } tvalue=tvalue*()。//讀取溫度值 a=ds_read()。//CPU判斷是否為低電平，是的話說明溫度傳感器在線上}void ds_write(uchar date1)//向18B20中寫入數(shù)據(jù)注意寫入是按從低位到高位的順序發(fā)送數(shù)據(jù)一次只發(fā)送一位。//顯示空白} 18B20函數(shù)處理部分在本次設(shè)計(jì)系統(tǒng)中P3^3口用來單片機(jī)與溫度傳感器通訊；它用到的相關(guān)函數(shù)如下；ds_init()18B20初始化 ； ds_write()向18B20中寫入數(shù)據(jù) ；ds_read()由18B20讀取數(shù)據(jù) ；ds_temp()從18B20中讀取溫度值 ；ds_dis()把溫度值送入1602中顯示。//開顯示，不顯示光標(biāo)，光標(biāo)不閃爍 delayms(5)。（2）4個(gè)按鍵K1～～。光標(biāo)減1)，S=1且N=1(當(dāng)寫一個(gè)字符后，整屏顯示左移)s=0當(dāng)寫一個(gè)字符后，整屏顯示不移動(dòng)數(shù)據(jù)指針設(shè)置：數(shù)據(jù)首地址為80H，所以數(shù)據(jù)地址為80H+地址碼(027H，4067H)其他設(shè)置：01H(顯示清屏，數(shù)據(jù)指針=0，所有顯示=0)；02H(顯示回車，數(shù)據(jù)指針=0)。 操作控制 1602液晶模塊內(nèi)部的字符發(fā)生存儲(chǔ)器（CGROM)已經(jīng)存儲(chǔ)了160個(gè)不同的點(diǎn)陣字符圖形。它由若干個(gè)5X7或者5X11等點(diǎn)陣字符位組成。該協(xié)議定義了幾種信號(hào)的時(shí)序：初始化時(shí)序、寫數(shù)據(jù)、讀數(shù)據(jù)。計(jì)數(shù)門的開啟時(shí)間由高溫度系數(shù)振蕩器來決定，每次測量前，首先將－55℃所對應(yīng)的一個(gè)基數(shù)分別置入減法計(jì)數(shù)器１和溫度寄存器中。C64 位ROM和單線接口高速緩存存儲(chǔ)器與控制邏輯溫度傳感器高溫觸發(fā)器TH低溫觸發(fā)器TL配置寄存器8位CRC發(fā)生器VddI/O DS18B20內(nèi)部結(jié)構(gòu)64位ROM的結(jié)構(gòu)起始８位是產(chǎn)品類型的編號(hào)，接著是每個(gè)器件的惟一的序號(hào)，共有48位，最后８位是前面56位的CRC檢驗(yàn)碼，這也是多個(gè)DS18B20可以采用一線進(jìn)行通信的原因。 DS18B20的結(jié)構(gòu) TO－92封裝的DS18B20的引腳排列見下圖。為了確保在離開掉電模式最初的幾個(gè)狀態(tài)WDT不被溢出，最好在進(jìn)入掉電模式前就復(fù)位WDT。在這種方式下，用戶不必喂狗。當(dāng)WDT激活后，用戶必須向WDTRST寫入01EH和0E1H喂狗來避免WDT溢出。WDT是一種需要軟件控制的復(fù)位方式。高128 字節(jié)與特殊功能寄存器重疊。當(dāng)振蕩器工作時(shí)，RST引腳出現(xiàn)兩個(gè)機(jī)器周期以上高電平將是單片機(jī)復(fù)位。在這種應(yīng)用中，P2 口使用很強(qiáng)的內(nèi)部上拉發(fā)送1。程序校驗(yàn) 時(shí)，需要外部上拉電阻?？臻e模式下，CPU 停止工作，允許RAM、定時(shí)器/計(jì)數(shù)器、串口、中斷繼續(xù)工 作。在單芯片上，擁有靈巧的8 位CPU 和在系統(tǒng)可編程Flash，使得AT89S52在眾多嵌入式控制應(yīng)用系統(tǒng)中得到廣泛應(yīng)用。STC 89C52是一個(gè)超低功耗，和標(biāo)準(zhǔn)51系列單片機(jī)相比較具有運(yùn)算速度快，抗干擾能力強(qiáng)，支持ISP在線編程，片內(nèi)含8k空間的可反復(fù)擦寫1000次的Flash只讀存儲(chǔ)器，具有256 bytes的隨機(jī)存取數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器（RAM），32個(gè)I/O口，2個(gè)16位可編程定時(shí)計(jì)數(shù)器。以STC89C52單片機(jī)為處理核心，通過數(shù)字溫度傳感器DS18B20將檢測到的數(shù)據(jù)輸入單片機(jī)進(jìn)行處理，與聲光報(bào)警電路組合就可以構(gòu)成溫度報(bào)警系統(tǒng)，這種設(shè)計(jì)系統(tǒng)的成本較小，結(jié)構(gòu)簡單、操作方便，并且測量也很準(zhǔn)確，能夠滿足工業(yè)、農(nóng)業(yè)生產(chǎn)對溫度要求不是特別高的地方。該電路設(shè)計(jì)新穎、功能強(qiáng)大、結(jié)構(gòu)簡單。而熱電偶和熱電阻測出的一般都是電壓，再轉(zhuǎn)換成對應(yīng)的溫度，這些方法相對比較復(fù)雜，需要比較多的外部硬件支持。C, 186。 C, up to a maximum resolution of 186。將單片機(jī)控制方法運(yùn)用到溫度控制系統(tǒng)中，可以克服溫度控制系統(tǒng)中存在的嚴(yán)重滯后現(xiàn)象，同時(shí)在提高采樣頻率的基礎(chǔ)上可以很大程度的提高控制效果和控制精度。溫度信號(hào)由溫度芯片DS18B20采集，并以數(shù)字信號(hào)的方式傳送給單片機(jī)。使用Atmel 公司高密度非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)制造，與工業(yè)80C51 產(chǎn)品指令和引腳完全兼容。作為輸出口，每位能驅(qū)動(dòng)8個(gè)TTL邏 輯電平。 在flash編程和校驗(yàn)時(shí)，P1口接收低8位地址字節(jié)。P3口是一個(gè)具有內(nèi)部上拉電阻的8 位雙向I/O 口，p3 輸出緩沖器能驅(qū)動(dòng)4 個(gè) TTL 邏輯電平。MCS51器件有單獨(dú)的程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。直接尋址方式訪問特殊功能寄存器（SFR）。當(dāng)WDT激活后，晶振工作，WDT在每個(gè)機(jī)器周期都會(huì)增加。為了復(fù)位WDT，用戶必須向WDTRST 寫入01EH 和0E1H（WDTRST 是只讀寄存器）。通過中斷退出掉電模式的情形有很大的不同。為了防止WDT在待機(jī)模式下復(fù)位AT89S52，用戶應(yīng)該建立一個(gè)定時(shí)器，定時(shí)離開待機(jī)模式，喂狗，再重新進(jìn)入待機(jī)模式。開漏單總線接口引腳。高速暫存器RAM由9個(gè)字節(jié)的存儲(chǔ)器組成。 DS18B20的接口電路當(dāng)DS18B20處于寫存儲(chǔ)器操作和溫度A/D轉(zhuǎn)換操作時(shí)，總線上必須有上拉，上拉開啟時(shí)間最大為10us。數(shù)據(jù)和命令的傳輸都是低位在先。管腳功能　 LCD1602引腳圖LCD1602采用標(biāo)準(zhǔn)的16腳接口，其中：　　 第1腳：VSS為電源地　　 第2腳：VCC接5V電源正極　　 第3腳：V0為液晶顯示器對比度調(diào)整端，接正電源時(shí)對比度最弱，接地電源時(shí)對比度最高　　 第4腳：RS為寄存器選擇，高電平1時(shí)選擇數(shù)據(jù)寄存器、低電平0時(shí)選擇指令寄存器　　 第5腳：RW為讀寫信號(hào)線，高電平時(shí)進(jìn)行讀操作，低電平時(shí)進(jìn)行寫操作。因?yàn)?602識(shí)別的是ASCII碼，試驗(yàn)可以用ASCII碼直接賦值，在單片機(jī)編程中還可以用字符型常量或變量賦值，如39。液晶LCD的RS、RW175。 具體程序如下所示； void lcd_init()//1602初始化{ write_(0x38)。 }void lcd_display()//1602顯示初始化{lcd_init()。//CPU將總線拉高 dq=0。//初始化溫度傳感器 ds_write(0xcc)。// tvalue=8。 disdata[0]=tvalue/1000+0x30。//十位為0不顯示 } } write_(0xc0)。//第二行第四個(gè)顯示溫度個(gè)位 write_(0xc4