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正文內(nèi)容

基于mosfet的單相半橋無(wú)源逆變電路的的設(shè)計(jì)論文(更新版)

  

【正文】 管在正常工作時(shí)所能承受的最大峰值電壓Um都稱為過(guò)電壓,產(chǎn)生過(guò)電壓的原因一般由靜電感應(yīng)、雷擊或突然切斷電感回路電流時(shí)電磁感應(yīng)所引起。在計(jì)算機(jī)數(shù)字通信及實(shí)時(shí)控制中作為信號(hào)隔離的接口器件,可以大大增加計(jì)算機(jī)工作的可靠性。它對(duì)輸入、輸出電信號(hào)有良好的隔離作用,所以,它在各種電路中得到廣泛的應(yīng)用。 (9)逐個(gè)脈沖關(guān)斷。SG3525的特點(diǎn)如下: (1)工作電壓范圍寬:8—35V。 (引腳15):偏置電源接入端。該端接高電平時(shí)控制器輸出被禁止。 (引腳6):振蕩器定時(shí)電阻接入端。在開環(huán)系統(tǒng)中,該端與補(bǔ)償信號(hào)輸入端(引腳9)相連,可構(gòu)成跟隨器。此電路優(yōu)點(diǎn)在于結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,使用器件少,缺點(diǎn)是輸出交流電壓幅值僅為Ud/2。 第3階段(π~ωt2 ):從ωt=π開始u2進(jìn)入了負(fù)半周期,b點(diǎn)電位高于a點(diǎn)電位,VT1和VT3由于受反向電壓而關(guān)斷,這時(shí)VT1~VT4都不導(dǎo)通,各晶閘管承受u2/2的電壓,但VT1和VT3承受的事反向電壓,VT2和VT4承受的是正向電壓,負(fù)載沒(méi)有電流通過(guò),ud=0,id=i2=0。到u2過(guò)零時(shí),電流又降為零,VT2和VT3關(guān)斷。加深理解《電力電子技術(shù)》課程的基本理論;設(shè)計(jì)指標(biāo):MOSFET電壓型單相半橋無(wú)源逆變電路設(shè)計(jì)(純電阻負(fù)載)掌握單相橋式全控橋整流電路和單相半橋無(wú)源逆變電路的工作原 理,進(jìn)行結(jié)合完成交直交電路的設(shè)計(jì); 2主電路的設(shè)計(jì):(1) 整流部分主電路設(shè)計(jì): 單項(xiàng)橋式全控整流電路帶電阻性負(fù)載電路如圖(1):圖(1)在單項(xiàng)橋式全控整流電路中,晶閘管VT1和VT4組成一對(duì)橋臂,VT2和VT3 組成另一對(duì)橋臂。 工作原理 第1階段(0~ωt1):這階段u2在正半周期,a點(diǎn)電位高于b點(diǎn)電位晶閘管VT1和VT2方向串聯(lián)后于u2連接,VT1承受正向電壓為u2/2,VT2承受u2/2的反向電壓;同樣VT3和VT4反向串聯(lián)后與u2連接,VT3承受u2/2的正向電壓,VT4承受u2/2的反向電壓。(2) 逆變部分主電路設(shè)計(jì):如圖所示,它有兩個(gè)橋臂,每個(gè)橋臂由一個(gè)全控器件和一個(gè)二極管反并聯(lián)而成。SG3525是電流控制型PWM控制器,所謂電流控制型脈寬調(diào)制器是按照接反饋電流來(lái)調(diào)節(jié)脈寬的。根據(jù)需要,在該端與補(bǔ)償信號(hào)輸入端(引腳9)之間接入不同類型的反饋網(wǎng)絡(luò),可以構(gòu)成比例、比例積分和積分等類型的調(diào)節(jié)器。 (引腳8):軟啟動(dòng)電容接入端。引腳11和引腳14是兩路互補(bǔ)輸出端。1%)V,采用了溫度補(bǔ)償,而且設(shè)有過(guò)流保護(hù)電路。—400KHz. (4)具有振蕩器外部同步功能。1%,采用溫度補(bǔ)償,作為芯片內(nèi)部電路的電源,也可為芯片外圍電路提供標(biāo)準(zhǔn)電源,向外輸出電流可達(dá)400mA,沒(méi)有過(guò)流保護(hù)電路。輸入的電信號(hào)驅(qū)動(dòng)發(fā)光二極管(LED),使之發(fā)出一定波長(zhǎng)的光,被光探測(cè)器接收而產(chǎn)生光電流,再經(jīng)過(guò)進(jìn)一步放大后輸出。在單片開關(guān)電源中,利用線性光耦合器可構(gòu)成光耦反饋電路,通過(guò)調(diào)節(jié)控制端電流來(lái)改變占空比,達(dá)到精密穩(wěn)壓目的。保護(hù)方法:阻容保護(hù)直流側(cè)過(guò)電壓保護(hù) 過(guò)電壓產(chǎn)生過(guò)程:當(dāng)某一橋臂的晶閘管在導(dǎo)通狀態(tài)突然因果載使快速熔斷器熔斷時(shí),由于直流住電路電感中儲(chǔ)存能量的釋放,會(huì)在電路的輸出端產(chǎn)生過(guò)電壓。在選擇快熔時(shí)應(yīng)考慮:1)電壓等級(jí)應(yīng)根據(jù)熔斷后快熔實(shí)際承受的電壓來(lái)確定。單相阻容保護(hù)的計(jì)算公式如下: (32) (33)S:變壓器每相平均計(jì)算容量(VA)U:變壓器副邊相電壓有效值 (V)i%:變壓器激磁電流百分值U%:變壓器的短路電壓百分值。如下圖: 并聯(lián)RC阻容吸收回路(6) 元器件及電路參數(shù)的計(jì)算:1)整流輸出電壓的平均值可按下式計(jì)算=== (21)當(dāng)α=0時(shí),取得最大值100V即= =100V從而得出=111V,α=90o時(shí),=0。在選用管子時(shí),額定電壓應(yīng)為正常工作峰值電壓的2~3倍,以保證電路的工作安全。ITn :額定電流有效值,根據(jù)管子的IT(AV) 換算出,IT(AV) 、ITM ITn 三者之間的關(guān)系: (28) (29)波形系數(shù):有直流分量的電流波形,其有效值與平均值之比稱為該波形的波形系數(shù),用Kf表示。④ 維持電流IH 。⑦ 通態(tài)電流臨界上升率di/dt。Simulink具有適應(yīng)面廣、結(jié)構(gòu)和流程清晰及仿真精細(xì)、貼近實(shí)際、效率高、靈活等優(yōu)點(diǎn),并基于以上優(yōu)點(diǎn)Simulink已被廣泛應(yīng)用于控制理論和數(shù)字信號(hào)處理的復(fù)雜仿真和設(shè)計(jì)。整流電路中,開關(guān)器件的選擇和觸發(fā)電路的選擇是最關(guān)鍵的,開關(guān)器件和觸發(fā)電路選擇的好,對(duì)整流電路的性能指標(biāo)影響很
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