霍爾效應測磁場實驗報告(更新版)
【正文】 應的?；魻栯妷旱挠嬎愎绞荲=（V1V2+V3V4）247。測量時應將“輸入選擇”開關置于“VH”擋，將“電壓表量程”選擇按鍵開關置于“200” mV擋，霍爾傳感器的靈敏度為：245mV/mA/T。在的作用下，電荷將在元件沿Z方向的兩端面堆積形成電場（見圖2），它會對載流子產(chǎn)生一靜電力，其大小為方向與洛侖茲力相反，即它是阻止電荷繼續(xù)堆積的。 WORD資料可編輯 實 驗 報 告學生姓名： 學 號： 指導教師： 實驗地點： 實驗時間：一、實驗室名稱：霍爾效應實驗室 二、 實驗項目名稱：霍爾效應法測磁場三、實驗學時： 四、實驗原理：（一）霍耳效應現(xiàn)象將一塊半導體（或金屬）薄片放在磁感應強度為B的磁場中，并讓薄片平面與磁場方向（如Y方向）垂直。當沿X方向通以電流后，載流子（對N型半導體是電子）e將以平均速度v沿與電流方向相反的方向運動，在磁感應強度為B的磁場中，電子將受到洛侖茲力的作用，其大小為方向沿Z方向。螺線管左右接線柱（即“紅”、“黑”）分別接勵磁電流IM的“正”、“負”，這時磁場方向為左邊N右邊S。計算霍爾電壓時，VVVV4方向的判斷：按步驟（4）的方向連線時，IM、IH換向開關置于“O”（即“+”）時對應于V1（+B、+IH），其余狀態(tài)依次類推。（二）研究勵磁特性。十、實驗結論：在一個有限長通電螺線管內(nèi)，當LR時，軸線上磁場在螺線管中部很大范圍內(nèi)近于均勻，在端面附近變化顯著。 專業(yè)整理分享
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