【正文】 ED的底接觸層是陰極。由于典型的OLEDs是制造在玻璃襯底上的，它與硅器件的集成變得極為困難，為了使OLED更好的應(yīng)用在低成本的主動(dòng)式矩陣顯示中，人們對(duì)那些能與像素電子集成的器件的結(jié)構(gòu)的研究也日益重視，并且隨著OLED的進(jìn)一步發(fā)展和應(yīng)用，尋找一種能使OLED與其配套的半導(dǎo)體元器件集成的方法變得十分重要?！　【C觀全球OLED 產(chǎn)業(yè)發(fā)展態(tài)勢(shì)，當(dāng)前我國(guó)政府還應(yīng)該加大OLED 產(chǎn)業(yè)的支持力度，重點(diǎn)加強(qiáng)有機(jī)發(fā)光材料、裝備及面板制備工藝等環(huán)節(jié)核心技術(shù)研發(fā)和自主創(chuàng)新，積極參與全球OLED 標(biāo)準(zhǔn)的制定，從而為我國(guó)在OLED 這一新型技術(shù)領(lǐng)域搶占一席之地。目前國(guó)外具有TFT研發(fā)和生產(chǎn)能力的企業(yè)均投入大量的人力物力進(jìn)行AMOLED的研發(fā)工作，并先后制定了AMOLED戰(zhàn)略和技術(shù)規(guī)劃，整體工作在穩(wěn)步推進(jìn)。小型單色有機(jī)電致發(fā)光器件基本上都是三層結(jié)構(gòu)。其中本身能發(fā)生輻射躍遷發(fā)光的那部分只是所吸收的總體能量中很小的一部分，即總體吸收的能量中能夠轉(zhuǎn)化為電致發(fā)光部分的能量很少?！榱颂岣咂骷男屎蛪勖? , 制作出從單層到多層的OL ED, 而且近年來(lái)將研究熱點(diǎn)集中在從微觀上對(duì)構(gòu)成OL ED 的層與層內(nèi)表面的相互作用進(jìn)行研究, 提高有機(jī)材料功能層與無(wú)機(jī)ITO 玻璃表面、陰極表面及各有機(jī)功能層間的附著性, 使得來(lái)自陽(yáng)極和陰極的載流子更容易注入到有機(jī)功能薄膜中。采用雙層、三層甚至多層結(jié)構(gòu)的OLED, 能充分發(fā)揮各功能層的作用, 調(diào)節(jié)空穴和電子注入到發(fā)光層的速率, 使注入的電子和空穴限制在發(fā)光層處發(fā)生復(fù)合, 可提高器件的發(fā)光效率。為了增加空穴和電子的復(fù)合幾率, 提高器件的效率和壽命,OLED 的結(jié)構(gòu)從簡(jiǎn)單的單層器件發(fā)展到雙層器件、三層器件甚至多層器件, ?！肮曹椄呔畚铩奔夹g(shù)則可采用淀積光致抗蝕劑層的標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)制備在襯底上，而且電極可用涂層機(jī)印在薄膜上。根據(jù)發(fā)光材料的載流子注入和傳輸特性的不同，有機(jī)電致發(fā)光器件可以分為單層和多層膜夾心式等不同結(jié)構(gòu)類型。另外, 它還可以作為新型光源使用。(2) 主動(dòng)發(fā)光, 視角范圍大, 接近于180176。 MPa 的真空下蒸鍍?cè)赑VCZ 膜上, 在同樣條件下將金屬Al 蒸鍍?cè)谀ど稀９I(yè)應(yīng)用場(chǎng)合：主要應(yīng)用有各類儀器儀表、手持設(shè)備等的顯示屏。2008年10月，由清華大學(xué)組建的維信諾公司在昆山成功建成中國(guó)內(nèi)地第一條OLED大規(guī)模生產(chǎn)線，實(shí)現(xiàn)了小尺寸OLED顯示屏的量產(chǎn)。 進(jìn)入21 世紀(jì)，人們需要性能更好、更能符合未來(lái)生活需求的新一代平板顯示器，以迎接所謂的“4C”，即計(jì)算機(jī)(puter)、通信(munication)、消費(fèi)電子(consumer electronics)、汽車電子(carelectronics)以及“3G”時(shí)代。直到1990年，才由Burroughes及其合作者研究成功第一個(gè)高分子有機(jī)EL器件。OLED與LCD一樣，也有主動(dòng)式和被動(dòng)式之分。 　　OLED顯示技術(shù)與傳統(tǒng)的LCD顯示方式不同，無(wú)需背光燈，具有自發(fā)光的特性,采用非常薄的有機(jī)材料涂層和玻璃基板，當(dāng)有電流通過(guò)時(shí)，這些有機(jī)材料就會(huì)發(fā)光。(6) AMOLED 技術(shù)AMOLED采用的基板業(yè)界有三個(gè)方向, 一個(gè)是對(duì)傳統(tǒng)的a2SiTFT 進(jìn)行改進(jìn), 二是開(kāi)發(fā)載流子遷移率高的L TPSTFT 技術(shù), 三是開(kāi)發(fā)OTFT。制約其發(fā)展的關(guān)鍵技術(shù)是驅(qū)動(dòng)IC 和面板制備技術(shù)。OLED的彩色化方案主要有“RGB 三色發(fā)光法”、以藍(lán)光材為基礎(chǔ)的“色變換法”和以白光發(fā)光層搭配彩色濾光片的“白光法”等。在高分子發(fā)光材料方面,黃色發(fā)光聚合物, 發(fā)光效率可達(dá)到35cd/197。PLED 的發(fā)展始于1990年,由于聚合物薄膜可以采用旋涂、噴墨印刷等方法制備,因此有可能大大地降低器件生產(chǎn)成本,但目前該技術(shù)遠(yuǎn)未成熟。直到1987 年, Tang 和VanSlyke 采用8羥基喹啉鋁絡(luò)合物() 作為發(fā)光層, 分別用IT O 電極和Mg : Ag 電極作為陽(yáng)極和陰極, 制成了高亮度( 1 000cd/ m2 ) , 高效率( 1. 5 lm/ W) 的綠光有機(jī)電致發(fā)光薄膜器件, 其驅(qū)動(dòng)電壓降到了10V 以下,從而取得了有機(jī)電致薄膜發(fā)光器件研究史上劃時(shí)代的進(jìn)展。由相反電極注入載流子隨后在發(fā)光層復(fù)合輻射躍遷的有機(jī)電致發(fā)光(OLED)。因此，理想的做法是研發(fā)一種OLED，其光的發(fā)射由器件頂部的透明電極透出。典型的傳統(tǒng)OLED是生長(zhǎng)在透明的陽(yáng)極例如ITO玻璃上的，發(fā)射出來(lái)的光是由最底層襯底透出，這使得它與其他電子元件如硅基顯示驅(qū)動(dòng)器的集成變得非常復(fù)雜。通過(guò)碰撞發(fā)光材料而激發(fā)的無(wú)機(jī)電致發(fā)光(IEL)。 有機(jī)電致發(fā)光的研究起步于60 年代, Pope 首次在蒽單晶上實(shí)現(xiàn)了電致發(fā)光, 但由于當(dāng)時(shí)需要在大于100V 的驅(qū)動(dòng)電壓下才能觀察到明顯的發(fā)光現(xiàn)象, 且量子效率也很低, 還由于受各種條件的制約, 未能很好地解決成膜質(zhì)量差和電荷注入效率低等問(wèn)題,所以有機(jī)電發(fā)光的發(fā)展一直處于停滯不前的狀態(tài)。小分子OLED 技術(shù)發(fā)展得較早(1987 年) , 因而技術(shù)也較為成熟。Pioneer 的紅色磷光材料,初始亮度在700cd/㎡ 時(shí),壽命預(yù)計(jì)超過(guò)30000h。(2) 彩色化實(shí)現(xiàn)彩色技術(shù)的突破是OLED 展的關(guān)鍵。是全球研究開(kāi)發(fā)的又一熱點(diǎn)。 彩色驅(qū)動(dòng)IC 難度較大, 仍需要改進(jìn)。鄧教授也因此被稱為“OLED之父”。每個(gè)OLED的顯示單元都能受控制地產(chǎn)生三種不同顏色的光。對(duì)高分子有機(jī)EL的研究工作比對(duì)小分子有機(jī)EL的研究，起步要晚得多。OLED在手機(jī)上的應(yīng)用又極大地推動(dòng)其技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展和應(yīng)用范圍的迅速擴(kuò)大，對(duì)現(xiàn)有的LCD、LED和VFD提出強(qiáng)有力的挑戰(zhàn)。 顯示技術(shù)發(fā)展歷程 中國(guó)OLED發(fā)展?fàn)顩rOLED產(chǎn)業(yè)發(fā)展受到了中國(guó)政府的高度關(guān)注，在工業(yè)和信息化部支持下，中國(guó)內(nèi)地的OLED研發(fā)取得了突破性進(jìn)展。商業(yè)領(lǐng)域：主要應(yīng)用在POS機(jī)和ATM機(jī)、復(fù)印機(jī)、自動(dòng)售貨機(jī)、游戲機(jī)、公用電話亭、加油站、打卡機(jī)、門禁系統(tǒng)、電子秤等產(chǎn)品和設(shè)備的顯示屏。PVCz 和BPEA 的二氯乙烷溶液通過(guò)在IT O ( indiumt inoxide) 玻璃上旋涂成膜。有機(jī)電致發(fā)光器件(organic lightem itting devices,OL ED) 以其優(yōu)越的性能脫穎而出, 具有如下優(yōu)點(diǎn): (1) 結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單, 體積小, 重量輕, 成本低, 易進(jìn)行大規(guī)模、大面積生產(chǎn), 具有超薄、大面積、便于攜帶、平板顯示等特點(diǎn)。OL ED 的應(yīng)用前景非常誘人, 它完全可以代替陰極射線管(CRT )、液晶顯示器(LCD )、發(fā)光二極管(LED) , 實(shí)現(xiàn)顯示器件的輕量化、薄型化、高亮度、快速響應(yīng)、高清晰度、低電壓化、高效率化和低成本化。選用不同的有機(jī)材料，就能提供各種不同顏色的發(fā)光層。其特點(diǎn)是在亮度和使用壽命上有試驗(yàn)性優(yōu)勢(shì)。大多數(shù)有機(jī)電致發(fā)光材料是單極性的, 同時(shí)具有均等的空穴和電子傳輸性質(zhì)的有機(jī)材料很少, 一般只具有良好傳輸空穴的性質(zhì)或傳輸電子的性質(zhì)。因?yàn)椴捎脝螛O性的有機(jī)物質(zhì)作為單層器件的發(fā)光材料, 會(huì)使電子與空穴的復(fù)合自然地靠近某一電極,當(dāng)復(fù)合區(qū)越靠近這一電極, 就越容易被該電極所淬滅, 而這種淬滅有損于有機(jī)物的有效發(fā)光, 從而使OLED 發(fā)光效率降低。4)電致發(fā)光:激發(fā)態(tài)能量通過(guò)輻射弛豫過(guò)程產(chǎn)生光子，釋放出光能。 由于在常溫下!有機(jī)分子的磷光非常弱!所以只有其中空穴和電子復(fù)合成單重態(tài)激子的部分才能通過(guò)輻射躍遷發(fā)射熒光!從而成為有效的有機(jī)電致發(fā)光。因而發(fā)光不僅僅是在電子/空穴層，而且主要在電子B空穴傳輸層的界面。 其次，政府要加大對(duì)OLED集中支持的力度，促進(jìn)自主創(chuàng)新的平板顯示技術(shù)的發(fā)展。 隨著OLED 技術(shù)的不斷成熟，OLED 將在顯示和照明兩大領(lǐng)域逐步成為TFT LCD 和LED 的有力競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。對(duì)于有機(jī)發(fā)光器件，由于近幾年來(lái)己經(jīng)證實(shí)了真空沉積的有機(jī)小分子發(fā)光器件(OLED)具有較高效率的電致發(fā)光，使人們對(duì)它在平板顯示中的應(yīng)用潛力產(chǎn)生極大的興趣，這己經(jīng)論述過(guò)。從近期報(bào)道的一些透明有機(jī)電致發(fā)光器件(TOLED)看出，這種界面應(yīng)當(dāng)可以避免的，從原則上它能夠生長(zhǎng)在硅襯底上。的Alq作為電子傳輸層兼光發(fā)射層。/s。Alq的厚度約為1500197。在外加電壓高于15V時(shí)器件亮度可達(dá)到200cd/㎡。和2500197。的0ILED的(a)I一V特性曲線。的OlLED的(a)I一v特性曲線。 利用DW4822型晶體管特性圖示儀測(cè)得的結(jié)構(gòu)為Si/Al/Alq (1000197。到達(dá)陰極附近處的空穴使陰極處的電子空間電荷減少，使阻止電子注入的空間勢(shì)壘降低，進(jìn)一步增大了電子的注入和傳導(dǎo)。由于電子和空穴濃度非常高，所以形成了相互依存的電子一空穴等離子體。,是具有電子的負(fù)電中心對(duì)空穴的俘獲截面，為具有空穴的正電中心對(duì)電子的俘獲截面。在傳統(tǒng)的OLED中觀察到的是陷阱電荷限制電流傳導(dǎo) (I)。 具有不同厚度PL的OILED的亮度一電流密度關(guān)系曲線，可以看出在電流密度為10mA/cm擴(kuò)下，沒(méi)有PL的器件其EL亮度為30一40cd/㎡，具有50197。這是由于從ITO到CuPc的空穴勢(shì)壘比由ITO直接到HTL層的空穴勢(shì)壘降低的更多，提高了載流子的注入效率。所以對(duì)于PL層的材料的選取還有待進(jìn)一步的研究。圖中IV特性很一致說(shuō)明電流和電極面積成比例，但開(kāi)啟電壓不受頂電極面積的影響，也表明在電極接觸層附近增強(qiáng)電場(chǎng)并不明顯的影響電流。由于它們較大的凝結(jié)潛熱，真空沉積的Al原子當(dāng)熱沉積到有機(jī)膜表面時(shí)與下面的Alq起化學(xué)反應(yīng)，形成界面缺陷降低了接觸能量勢(shì)壘。 濺射后(a)沒(méi)有PL層的樣品表面和(b)具有PL層的樣品表面AFM圖像近年來(lái)關(guān)于有機(jī)材料的電致發(fā)光方面的研究和產(chǎn)品開(kāi)發(fā)非常熱門，是國(guó)際上競(jìng)爭(zhēng)得最激烈的前沿科學(xué)領(lǐng)域之一。預(yù)計(jì)OLED將被廣泛應(yīng)用于國(guó)防、家庭、及各種數(shù)碼儀器設(shè)備中，并作為信息時(shí)代一個(gè)國(guó)家的科技水準(zhǔn)之一，在整個(gè)國(guó)民經(jīng)濟(jì)及國(guó)防工業(yè)中將占有舉足輕重的地位。 與OLED相比OILED的不同對(duì)該OILED的I一V特性及EL譜進(jìn)行了測(cè)試，發(fā)現(xiàn)與傳統(tǒng)的OLED相類似。當(dāng)PL厚度從50～15OA時(shí)，工作電壓有3V的下降?？磥?lái)，材料生產(chǎn)上還有待革命性的突破才行。主要是電子注入效率低，限制了電流強(qiáng)度，從而導(dǎo)致發(fā)光效率和發(fā)光強(qiáng)度低:相當(dāng)大的陷阱密度限制了電流并導(dǎo)致了有機(jī)材料的極化，也可能會(huì)導(dǎo)致無(wú)輻射的載流子復(fù)合。而OLED的知識(shí)產(chǎn)權(quán)基本被美國(guó)柯達(dá)和日本的幾家公司壟斷，目前僅柯達(dá)就壟斷有近百項(xiàng)專利，并且目前還在以每年幾十項(xiàng)的速度增長(zhǎng)，而且它們目前并不愿輕易出賣授權(quán)，這對(duì)于一些開(kāi)發(fā)，投資實(shí)力不強(qiáng)的企業(yè)是一個(gè)較難跨越的門檻。 另外將低溫多晶硅技術(shù)與OLED結(jié)合起來(lái)的有源矩陣驅(qū)動(dòng)有機(jī)電致發(fā)光顯示技術(shù)是未來(lái)發(fā)展的方向，日本與臺(tái)灣廠家紛紛將非晶硅生產(chǎn)線改造成為多晶硅生產(chǎn)線與OLED配套并已經(jīng)實(shí)現(xiàn)小尺寸顯示面板的量產(chǎn)。新興的OLED技術(shù)為中國(guó)大陸顯示器行業(yè)實(shí)現(xiàn)跨越式發(fā)展提供了一個(gè)難得的歷史機(jī)遇。 謝首先感謝我的導(dǎo)師張春林老師在我學(xué)習(xí)期間對(duì)我的幫助。：[1]牛連斌，場(chǎng)致發(fā)光器件性能的改善與機(jī)理研究[D].蘭州：蘭州大學(xué)，2007.[2]李思淵，靜電感應(yīng)器件作用理論[M].蘭州:蘭州大學(xué)出版社，1989.[3]趙俊卿，謝士杰，韓圣浩等，真空蒸鍍雙層有機(jī)電致發(fā)光器件及其穩(wěn)定性[J]，半導(dǎo)體學(xué)報(bào), 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