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電子信息工程課程設計--溫度測量系統(tǒng)設計(更新版)

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【正文】 示醒目、都分段碼和位碼,要想讓它亮必須驅(qū)動它! 以共陽極4位數(shù)碼管為例,即首先要選中你想要電亮的數(shù)碼管的位,要想讓4個數(shù)碼管全亮須4個位全選中,所謂選中的含義就是給高電平(共陽極)。23222120212223低位字節(jié)24高位字節(jié)Msb 單位=℃ LsbSSSSS262524符號位 DS18B20的分辨率(8) 內(nèi)部存儲器分配:DS18B20H 高速暫存寄存器是DS18B20 高速暫存寄存器的存儲分配溫度值低位字節(jié)E2ROM溫度值高位字節(jié)TH/用戶字節(jié)1TH/用戶字節(jié)1(報警上限)TL/用戶字節(jié)2TL/用戶字節(jié)2(報警下限)程序設置字節(jié)程序設置字節(jié)保留保留保留CRC 圖37 DS18B20 高速暫存寄存器的存儲分配DS18B20 采用TO—92封裝或8腳SOIC封裝。與 DALLAS 公司早期生產(chǎn)的 DS1820 相比,DS18B20具有如下特點:(1) 精度:DS18B20 在10℃~+85℃范圍內(nèi)精度為+℃。 (1)光刻ROM中的64位序列號是出廠前被光刻好的,它可以看作是該DS18B20的地址序列碼。高溫度系數(shù)晶振隨溫度變化其振蕩率明顯改變,所產(chǎn)生的信號作為計數(shù)器2的脈沖輸入。圖32:RC復位電路. 晶振電路晶振是晶體振蕩器的簡稱,在電氣上它可以等效成一個電容和一個電阻并聯(lián)再串聯(lián)一個電容的二端網(wǎng)絡,電工學上這個網(wǎng)絡有兩個諧振點,以頻率的高低分其中較低的頻率是串聯(lián)諧振,較高的頻率是并聯(lián)諧振。/PSEN:外部程序存儲器的選通信號。P2口在FLASH編程和校驗時接收高八位地址信號和控制信號。在FIASH編程時,P0 口作為原碼輸入口,當FIASH進行校驗時,P0輸出原碼,此時P0外部必須被拉高。AT89C2051是一種帶2K字節(jié)閃爍可編程可擦除只讀存儲器的單片機。 主控芯片的選擇本系統(tǒng)主要有采集溫度模塊,顯示模塊,報警模塊?,F(xiàn)場溫度直接以“一線總線”的數(shù)字方式傳輸,大大提高了系統(tǒng)的抗干擾性。但其信號輸出靈敏度比較低,容易受到環(huán)境干擾和前置放大器溫度漂移的影響,因此不適合測量微小的溫度變化。學習較復雜電子系統(tǒng)設計的一般方法,了解和掌握模擬、數(shù)字電路等知識解決電子信息方面常見實際問題的能力,由有學生自行設計和調(diào)試。1%,分辨率≤℃;在LED中顯示溫度;用繪圖軟件畫出總體電路圖;提交格式符合要求,內(nèi)容完整的設計報告。方案三:數(shù)字式DS18B20溫度傳感器。 顯示部分方案一:使用液晶顯示屏顯示轉(zhuǎn)換結(jié)果。雖然市面上有著功能更為強大的單片機芯片,但都價格不菲。VCC:供電電壓。在FLASH編程和校驗時,P1口作為第八位地址接收。作為輸入,由于外部下拉為低電平,P3口將輸出電流(ILL)這是由于上拉的緣故。/EA/VPP:在FLASH編程期間,此引腳也用于施加12V編程電源(VPP)。晶振有一個重要的參數(shù),那就是負載電容值,選擇與負載電容值相等的并聯(lián)電容,就可以得到晶振標稱的諧振頻率。圖35中的斜率累加器用于補償和修正測溫過程中的非線性,其輸出用于修正計數(shù)器1的預置值。 低五位一直都是1,TM是測試模式位,用于設置DS18B20在工作模式還是在測試模式。(4) 電源電壓范圍:在保證溫度轉(zhuǎn)換精度為+℃的情況下,電源電壓可為+~+。本設計在軟件介紹部分會就DS18B20 溫度傳感器件具體介紹其每一部分的時序。動態(tài)掃描他在沒個時間只能點亮一位數(shù)碼管,但是由于掃描頻率的設置,單片機的速度是很快的,但幾十MS內(nèi)就能讓4位數(shù)碼管循環(huán)亮滅很多次,這些人的肉眼是分辨不出來的,數(shù)碼管的亮度可以通過軟件設置(掃描頻率的設置)調(diào)整。通過這種方法就能把溫度測出來。本設計采用的是基于單總線協(xié)議的溫度測控系統(tǒng)。(1) 初始化基于單總線上的所有傳輸過程都是以初始化開始的,初始化過程由主機發(fā)出復位脈沖和從機響應的應答脈沖組成。主機在發(fā)出功能命令之前,必須送出合適的ROM命令。不同類型的單總線芯片有不同的功能命令,也有的芯片無功能命令(如可尋址開關芯片DS2405),在實際應用中可根據(jù)設計的需要加以選擇。多路溫度測量在工業(yè)生產(chǎn)和交通設備運行監(jiān)控中起著相當重要的作用,由于誤操作或是器件的性能問題導致的設備引起的意外事故,通過對多個器件的溫度檢測和實時溫度的數(shù)據(jù)采集,獲得溫度值,可以有效的避免事故的發(fā)生,同時也為技術(shù)分析提供重要的實時的數(shù)據(jù)記錄資料??傊徽撛谀膫€應用領域中,數(shù)據(jù)采集與處理將直接影響工作效率和所取得的經(jīng)濟效益。參考文獻[1][M]. 北京:高等教育出版社.[2][D]. 武漢:華中科技大學. [3](1 Wire Bus) 技術(shù)及其應用. 中國學術(shù)期刊全文數(shù)據(jù)庫[DB/OL].2003 – 8/2006 – 06.[4]. 中國學術(shù)期刊全文數(shù)據(jù)庫[DB/OL].2001 – 10/2006 – 06.[5]DALLAS DS1338 2Wire RTC with 56Byte NV RAM[6] [DB/OL]. 1998 04/2006 – 06.附錄一元器件清單CommentDescriptionDesignatorFootprintLibRefQuantityAT89S52  LOCK40PINAT89S5X1Cap Pol2Polarized Capacitor (Axial)C1, C2Cap Pol22Cap Pol1Polarized Capacitor (Radial)C3Cap Pol11CapCapacitorC4, C5, C8, C13Cap4LED0Typical INFRARED GaAs LEDD1LED0LED011N40071 Amp General Purpose RectifierD2Diode 1N40011BellElectrical BellLS1PIN2Bell1排阻Header, 9PinP1HDR1X9Header 91電源Header, 2Pin, Right AngleP4HDR1X2HHeader 2H18050PNP General Purpose AmplifierQ1, Q2, Q3, Q4, Q5, Q6, Q7, Q8BCYW3/E42N390682N5551NPN Bipolar TransistorQ9BCYW3NPN1Res1Resistor若干Res126Res2ResistorR3Res21SWPBSwitchS1, S2, S3, S4, S5SPST2SWPB578053Terminal Positive Voltage RegulatorU178XX78L051LEDLEDU2 LED1DS18B20DS18B20U3, U4, U5, U6, U7, U8, U9, U10 DS18B208XTALCrystal OscillatorY1BCYW2/XTAL1附錄二軟件清單include include include sbit KEY1=P1^0。unsigned char code ds18b20_num2[8]={0x28,0x31,0xc5,0xb8,0x00,0x00,0x00,0xB9}。unsigned char code ds18b20_num10[8]={0x28,0x39,0xc5,0xb8,0x00,0x00,0x00,0x18}。unsigned char code WeiMa[]={0xfe,0xfd,0xfb,0xf7,0xef,0xdf,0xbf,0x7f}。void Init_Timer0(void)。 TempData[0]=0x39。 if(k==13) { k=1。 TempH=temp4。 TempData[6]=0x39。// SPEAK=!SPEAK。amp。i) { delay(60)。 TempL1=TempL1*6/10。 //個位溫度,帶小數(shù)點 TempData1[5]=DuanMa[TempL1]。 LATCH2=1。 DataPort=0。 LATCH1=0。 TR0=1。 } } }void KeyScan(){ if(KEY1==0) { if((KEY2==0)||(KEY3==0)) { delay(30)。 DQ = 1。 //如果x=0則初始化成功, x=1則初始化失敗 DelayUs2x(25)。 DQ = 1。 DQ = datamp。 unsigned int b=0。 Init_DS18B20()。 //高位 b=8。 TempData[1]=DuanMa[1]。n++) { ROM_NUM[n]=ds18b20_num3[n]。 } else if(m==5) { for(n=0。 } TempData[0]=DuanMa[0]。n8。 TempData[1]=DuanMa[9]。n++) { ROM_NUM[n]=ds18b20_num11[n]。 }}
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