【正文】 體中質(zhì)點(diǎn)的擴(kuò)散特點(diǎn)為：( D )。A: 低于　 　 　　　　　 　　B: 高于C: 等于 　 　　D: A或B7不可逆多晶轉(zhuǎn)變的多晶轉(zhuǎn)變溫度（ B種晶型的熔點(diǎn)。A:越長(zhǎng)；越低 B:越長(zhǎng)；越高 C: 越短；越低 D: 越長(zhǎng)；不變6吸附膜使固體表面張力（ B）。時(shí)，即在潤(rùn)濕的前提下，表面粗糙化后，液體與固體之間的潤(rùn)濕（ C）。A: 表面收縮 B: 表面弛豫C: 表面滑移 D: 表面擴(kuò)張5固體的表面能與表面張力在數(shù)值上不相等，一般說(shuō)來(lái)，同一種物質(zhì)，其固體的表面能（B）液體的表面能。 A: 二分之一 B: 三分之二 C: 四分之一 D: 五分之一4可用三T（TimeTemperatureTransformation）曲線來(lái)討論玻璃形成的動(dòng)力學(xué)條件，三T曲線前端即鼻尖對(duì)應(yīng)析出10－6體積分?jǐn)?shù)的晶體的時(shí)間是最少的，由此可得出形成玻璃的臨界冷卻速率，通常，該臨界冷卻速率愈大，則系統(tǒng)形成玻璃（ A）。 A: 1 B: 2C: 3 D: 4 3Na2O?CaO?Al2O3?SiO2玻璃的橋氧數(shù)為（ B ）。 A: 螺位錯(cuò)只作滑移，刃位錯(cuò)既可滑移又可攀移 B: 刃位錯(cuò)只作滑移，螺位錯(cuò)只作攀移 C: 螺位錯(cuò)只作攀移，刃位錯(cuò)既可滑移又可滑移 D: 螺位錯(cuò)只作滑移，刃位錯(cuò)只作攀移3硅酸鹽熔體中各種聚合程度的聚合物濃度（數(shù)量）受（ D）因素的影響。 A: 雜質(zhì)質(zhì)點(diǎn)大小 B: 晶體（基質(zhì)）結(jié)構(gòu) C: 電價(jià)因素 D: A+B+C2位錯(cuò)的滑移是指位錯(cuò)在（A ）作用下，在滑移面上的運(yùn)動(dòng)，結(jié)果導(dǎo)致永久形變。 A: 正離子空位 B: 間隙負(fù)離子C: 負(fù)離子空位 D: A或B2形成固溶體后對(duì)晶體的性質(zhì)將產(chǎn)生影響, 主要表現(xiàn)為（ D ）。 A: 同質(zhì)多晶 B: 有序—無(wú)序轉(zhuǎn)變 C: 同晶置換 D: 馬氏體轉(zhuǎn)變13. 鎂橄欖石Mg2[SiO4]是（ A ）。A: 全部四面體 B: 全部八面體 C: 1/2四面體 D: 1/2八面體CsCl單位晶胞中的“分子數(shù)”為1，Cs+填充在Cl所構(gòu)成的（ C ）空隙中。A: 5 B: 6 C: 4 D: 3NaCl單位晶胞中的“分子數(shù)”為4，Na+填充在Cl所構(gòu)成的（ B ）空隙中。A: 島狀結(jié)構(gòu) B: 層狀結(jié)構(gòu) C: 鏈狀結(jié)構(gòu) D: 架狀結(jié)構(gòu)1硅酸鹽晶體中常有少量Si4+被Al3+取代，這種現(xiàn)象稱為（ C ）。A: 負(fù)離子空位 B: 間隙正離子C: 間隙負(fù)離子 D: A或B對(duì)于形成雜質(zhì)缺陷而言，高價(jià)正離子占據(jù)低價(jià)正離子位置時(shí)，該位置帶有正電荷，為了保持電中性，會(huì)產(chǎn)生（ D ）。討論形成間隙型固溶體的條件須考慮（ D ）。 A: 位錯(cuò)不一定是直線 B: 位錯(cuò)是已滑移區(qū)和未滑移區(qū)的邊界 C: 位錯(cuò)可以中斷于晶體內(nèi)部 D: 位錯(cuò)不能中斷于晶體內(nèi)部3位錯(cuò)的運(yùn)動(dòng)包括位錯(cuò)的滑移和位錯(cuò)的攀移，其中（ A）。4SiO2熔體的橋氧數(shù)為（ D）。（A）降低 （B） 升高 （C） 不變 （D） A或B4不同氧化物的熔點(diǎn)TM和玻璃轉(zhuǎn)變溫度Tg的比值（Tg/TM）接近（ B ）易形成玻璃。A: 較高 B: 較低 C: 相同 D: A或C5由于固相的三維周期性在固體表面處突然中斷，表面上原子產(chǎn)生的相對(duì)于正常位置的上、下位移，稱為（ B）。A: 小于 B: 大于C: 小于等于 D: 等于5當(dāng)液體對(duì)固體的潤(rùn)濕角θ＜90176。A: 等于 B: 大于 C: 小于 D: A或B6表面微裂紋是由于晶體缺陷或外力作用而產(chǎn)生，微裂紋同樣會(huì)強(qiáng)烈地影響表面性質(zhì)，對(duì)于脆性材料的強(qiáng)度這種影響尤為重要，微裂紋長(zhǎng)度（ A ），斷裂強(qiáng)度（ ）。A: 準(zhǔn)確度高　　　　　　　 　　B: 適用于相變速度慢的系統(tǒng)C: 適用于相變速度快的系統(tǒng)　 　　D: A+B7可逆多晶轉(zhuǎn)變是一種同質(zhì)多晶現(xiàn)象，多晶轉(zhuǎn)變溫度（ A ）兩種晶型的熔點(diǎn)。 A: 成正比 B: 成反比 C: 相等 D: A或C7三元相圖中，相界線上的自由度為（　C　）。由它們引起的擴(kuò)散分別稱為（B ）。 A: 越緊密；越困難 B: 越疏松；越困難 C: 越緊密；活化能越小 D: 越疏松；活化能越大9不同類型的固溶體具有不同的結(jié)構(gòu)，其擴(kuò)散難易程度不同，間隙型固溶體比置換型（ D ）。 A: 自由焓相等，體積不相等 B: 自由焓不相等，體積相等 C: 自由焓和體積均相等 D: 自由焓和體積均不相等10成核長(zhǎng)大型相變是材料中常見(jiàn)的一種相變，如結(jié)晶釉的形成。11