等離子刻蝕工藝原理介紹(更新版)
【正文】 l y m e r , i m p r o v e s e l t o S iC H 3 F / O 2 I n c r e a s e S e l S i N t o S i O 2Ar B o m b a r d m e n tS F 6 / O 2 S i N e t c h a n t , i s o t r o p i c , O 2i m p r o v e s e l t o S i O 2C 4 F 8 / C O I n c r e a s e S e l S i O 2 t o S i NF/C比率和 Polymer的形成 C 2 F 4 C 4 F 10 C 2 F 6 CF 4 ETCHING POLYMERIZATION O 2 ADDITION H 2 Addition 1 2 3 4 DC BIAS CH3F CHF3 C4F8 聚合和腐蝕的條件 氣體內(nèi) F/C比率，腐蝕粒子與 DC Bias 大小決定了工藝的聚合和腐蝕 ? 駐留時(shí)間 = pV/Q ? 高流量和低壓力 –低駐留時(shí)間 , 反應(yīng)被吸附的時(shí)間也短。 等離子刻蝕工藝原理介紹 Etch/CSMC 等離子刻蝕工藝原理介紹包含以下幾個(gè)方面： ? 等離子體基本概念 ? 等離子刻蝕基本原理 ? 等離子刻蝕應(yīng)用 概述 ? Plasma就是等離子體 (臺(tái)灣一般稱為電漿 ), 由氣體電離后產(chǎn)生的正負(fù)帶電離子以及分子 , 原子和原子團(tuán)組成 . 只有強(qiáng)電場(chǎng)作用下雪崩電離發(fā)生時(shí) , Plasma才會(huì)產(chǎn)生 . ? 氣體從常態(tài)到等離子體的轉(zhuǎn)變 , 也是從絕緣體到導(dǎo)體的轉(zhuǎn)變 . ? Plasma 一些例子 : 熒光燈 ,閃電 , 太陽(yáng)等 . 什么是 Plasma energy gas plasma e e e e ? Plasma產(chǎn)生激活態(tài)的粒子以及離子 . 激活態(tài)粒子（自由基）在干法刻蝕中主要用于提高化學(xué)反應(yīng)速率 , 而離子用于各向異性腐蝕 (Anisotropic etch). ? 在固定 Power輸入的氣體中 , 電離和復(fù)合處于平衡狀態(tài) . 在正負(fù)離子復(fù)合或電子從高能態(tài)向低能態(tài)躍遷的過(guò)程中發(fā)射光子 . 這些光子可用于終點(diǎn)控制的檢測(cè)。 ? 對(duì)離子的能量和方向性起關(guān)鍵作業(yè)的兩個(gè)參數(shù)是功率和壓力。 ?提高 Source/TCP 功率，就增加了 wafer表面的離子通量
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