光催化降解小分子有機(jī)污染物甲醛的研究(更新版)
【正文】 較多的能提電子的中心，也即陽離子易發(fā)生價態(tài)變化的。氧化物只要有可變的價態(tài)都有一定的催化作用，而不象金屬催化劑受周期表位置的限制。 （ 2）測得 O2轉(zhuǎn)為 O吸 時量熱法測得微分吸附熱為 ， （ 3）測得 CO在 NiO上微分吸附熱是 ， 而在已經(jīng)吸附了 O2的催化劑表面微分吸附熱是 293KJ/mol。 n型半導(dǎo)體生成條件 ?A)非化學(xué)計量比化合物中含有過量的金屬原子或低價離子可生成 N型半導(dǎo)體。 ?受主型摻雜 ?它減少了可提供電子的物質(zhì)濃度。 ?在外電場作用下，滿帶電子可以定向地向受主能級躍進(jìn)遷，這種主要靠準(zhǔn)自由空穴導(dǎo)電的半導(dǎo)體稱之主 P型半導(dǎo)體。 ? 溫度升高，降低受主能級位置或增加受主雜質(zhì)濃度都可以提高 p型半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力。在受主能級上有空穴存在。半導(dǎo)體的禁帶寬度一般在 。 ? 禁帶：在導(dǎo)帶（空帶）和滿帶之間沒有能級不能填充電子這個區(qū)間叫禁帶。 ?如果出現(xiàn)的雜質(zhì)能級靠近滿帶上部稱為受主能級。 半導(dǎo)體導(dǎo)電性影響因素 ? 溫度升高，提高施主能級位置，增加施主雜質(zhì)濃度可提高n型半導(dǎo)體的導(dǎo)電性。如 NiO其中 Ni2+缺位，以各缺位相當(dāng)于兩個單位的正電荷 “ 2+”，由于晶體保持電中性，必然引起缺位附近兩個 Ni2+離子價態(tài)的變化，即2Ni2++“2+”→2Ni 3+，這里 Ni3+=Ni2+， Ni2+可以接受電子稱為受主原子，當(dāng)溫度升高時空穴可以成為自由空穴。導(dǎo)電率升高。 ?對于 P型，凡是使導(dǎo)電率下降的物質(zhì)為施主型雜質(zhì)，相反則為受主型雜質(zhì)。 L BL A?? a ?? 吸 附 為 r d s? ??? ??L BL A?? b ?? 吸 附 為 r d s? ??? ??L BL A?? c ? 最 佳? ??? ??半導(dǎo)體氧化物催化機(jī)理 A + B CA B施 主 鍵受 主 鍵ee舉例： CO在 NiO上氧化反應(yīng) ? CO+1/2O2=CO2 △ H=272KJ/mol （ 1） O2在 NiO上發(fā)生吸附時，電導(dǎo)率由 1011歐姆 1厘米 1上升為 107歐姆 1厘米 1 。 ?金屬氧化物與金屬催化劑的區(qū)別是氧化物可以催化氧化還原反應(yīng)，主要是氧化反應(yīng)其次是脫氫、氧化脫氫及加氫。 ?如果 CO在 n型半導(dǎo)體 ZnO上氧化 O2吸附是控制步驟，則 ZnO電子增多有利于 O2的吸附， ZnO摻入 Li+（受主）使 n型導(dǎo)電率下降，摻入施主給電子有利于 O2變成負(fù)離子，降低 CO氧化活化能。 晶體配位場理論 要點(diǎn) ? 中心離子與其周圍配位體（氧離子）的相互作用而使中心離子的 d軌道能級在配位體電場的作用下會分裂為幾個能量不同的部分。而對于 d4， d5， d6， d7 △ p則電子應(yīng)盡可能量相對較低的軌道，出現(xiàn)強(qiáng)場低自旋排布，而△ p則電子應(yīng)盡可能分占不同的 d軌道并保持自旋平行，出現(xiàn)弱場高自旋的電子排布。按 SN1機(jī)理吸附作用對弱場中電子構(gòu)型為d3和 d8離子 CFSE
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