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正文內(nèi)容

大功率的mosfet和igbt驅(qū)動(dòng)芯片(更新版)

  

【正文】 低 。 1) 驅(qū) 動(dòng) 芯 片 的 最 大 輸 出 電 流 峰 值 受 柵 極 電 阻 Rg的 最 小 值 限 制 , 例 如 , 對(duì) 于 M57962L來(lái) 說(shuō) , Rg的 允 許 值 在 5 Ω 左 右 , 這 個(gè) 值 對(duì) 于 大 功 率 的 IGBT來(lái) 說(shuō) 高 了 一 些 , 且 當(dāng) Rg較 高 時(shí) , 會(huì) 引 起 IGBT的 開(kāi) 關(guān) 上 升 時(shí) 間 td(on)、 下 降 時(shí) 間 td(off)以 及 開(kāi) 關(guān) 損 耗 的 增 大 , 在 較 高 開(kāi) 關(guān) 頻 率 ( 5 kHz以 上 ) 應(yīng) 用 時(shí) , 這 些 附 加 損 耗 是 不 可 接 受 的 。 圖 9給 出 了 M57962L在 驅(qū) 動(dòng) 大 功 率 IGBT模 塊 時(shí) 的 典 型 電 路 圖 。 因 此 對(duì) 于 300 A以 上 的 IGBT或 者 IGBT并 聯(lián) 時(shí) , 就 需 要 考 慮 別 的 驅(qū) 動(dòng) 芯 片 , 比 如 三 菱 公 司 的 M57962L等 。 — — IGBT柵  射 極 驅(qū) 動(dòng) 電 路 接 線 必 須 小 于 1 m; 2) 高 速 系 列 : 驅(qū) 動(dòng) 電 路 中 的 信 號(hào) 延 遲 ≤ μ s 在 這 里 , 我 們 主 要 針 對(duì) EXB8..Series做 一 介 紹 。 4) 當(dāng) 過(guò) 電 流 發(fā) 生 時(shí) , TLP250得 到 控 制 器 發(fā) 出 的 關(guān) 斷 信 號(hào) , 對(duì) IGBT的 柵 極 施 加 一 負(fù) 電 壓 , 使 IGBT硬 關(guān) 斷 。 2) 由 于 流 過(guò) IGBT的 電 流 是 通 過(guò) 其 它 電 路 檢 測(cè) 來(lái) 完 成 的 , 而 且 僅 僅 檢 測(cè) 流 過(guò) IGBT的 電 流 , 這 就 有 可 能 對(duì) 于 IGBT的 使 用 效 率 產(chǎn) 生 一 定 的 影 響 , 比 如 IGBT在 安 全 工 作 區(qū) 時(shí) , 有 時(shí) 出 現(xiàn) 的 提 前 保 護(hù) 等 。 4) 輸 出 電 流 ( IO) : 177。 這 種 類 型 的 驅(qū) 動(dòng) 芯 片 主 要 有 東 芝 公 司 生 產(chǎn) 的 TLP250, 夏 普 公 司 生 產(chǎn) 的 PC923等 等 。3 結(jié)語(yǔ)由IXDN404組成的IGBT驅(qū)動(dòng)與保護(hù)電路可滿足IGBT驅(qū)動(dòng)要求,其特點(diǎn)可歸納如下:驅(qū)動(dòng)電源+20V單路供電,驅(qū)動(dòng)?xùn)艍海?5V~-5V;最大驅(qū)動(dòng)峰值電流可達(dá)8A,滿足大功率IGBT驅(qū)動(dòng)要求;電路信號(hào)延遲時(shí)間短,工作頻率可以達(dá)到100kHz或者更高,可適應(yīng)大多數(shù)電路需要;可實(shí)現(xiàn)過(guò)流保護(hù)及降柵壓慢關(guān)斷功能;電路成本相對(duì)較低。慢關(guān)斷過(guò)程時(shí)間為t3,由C2和R12決定。Z1截止,V2截止,V1導(dǎo)通,B點(diǎn)電位接近20V;Z2截止,V3截止,D點(diǎn)電位接近B點(diǎn)電位。其電路原理圖如圖1所示,主要電氣參數(shù)如表1所列。然而,在其使用過(guò)程中,發(fā)現(xiàn)了不少影響其應(yīng)用的問(wèn)題,其中之一就是IGBT的門(mén)極驅(qū)動(dòng)與保護(hù)。根據(jù)IXYS公司的使用手冊(cè),IXDN404僅能提供0~+Vcc的驅(qū)動(dòng)脈沖。圖2 保護(hù)過(guò)程設(shè)IGBT已經(jīng)導(dǎo)通。 幾點(diǎn)說(shuō)明1)為使驅(qū)動(dòng)功率達(dá)到最大,本電路將兩路輸入輸出并聯(lián)使用,最大驅(qū)動(dòng)峰值電流可達(dá)8A,這個(gè)峰值電流是由電容Cc瞬間放電產(chǎn)生;2)光耦6N137輸出為輸入反相,IXDN404為同相輸入輸出,為保證控制邏輯正確,中間需加一級(jí)反相器,也可采用帶反相的IXDI404;3)圖2中可在E點(diǎn)處加入一個(gè)光耦,其輸出可作為短路保護(hù)信號(hào)送給控制邏輯,以封鎖本路及其它各路的PWM信號(hào),確保主電路安全;4)IXDN404驅(qū)動(dòng)電路對(duì)脈沖信號(hào)非常敏感,實(shí)際操作時(shí)要保證連線盡量短,輸出要用雙絞線接IGBT,電路所用元器件也可采用貼片式,既縮小驅(qū)動(dòng)電路體積,也提高了工作穩(wěn)定度。 表 2給 出 了 TLP250的 開(kāi) 關(guān) 特 性 , 表 3給 出 了 TLP250的 推 薦 工 作 條 件 。 圖 3和 圖 4給 出 了 TLP250的 兩 種 典 型 的 應(yīng) 用 電 路 。 圖 5給 出 了 TLP250驅(qū) 動(dòng) IGBT時(shí) , 1 200 V/200 A的 IGBT上 電 流 的 實(shí) 驗(yàn) 波 形 ( 50 A/10 μ s) 。 注 : 1) 標(biāo) 準(zhǔn) 系 列 : 驅(qū) 動(dòng) 電 路 中 的 信 號(hào) 延 遲 ≤ 4 μ s 圖 6給 出 了 EXB8..Series的 功 能 方 框 圖 。 表 6給 出 了 EXB8..Series工 作 時(shí) 的 推 薦 工 作 條 件 。 EXB8..Series使 用 不 同 的 型 號(hào) , 可 以 達(dá) 到 驅(qū) 動(dòng) 電 流 高 達(dá) 400 A, 電 壓 高 達(dá) 1 200 V的 各 種 型 號(hào) 的 IGBT。 — — IGBT柵  射 極 驅(qū) 動(dòng) 電 路 接 線 應(yīng) 為 雙 絞 線 ; 它 不 是 電 源 濾 波 器 電 容 。 對(duì) 于 IGBT的 過(guò) 電 流 處 理 完 全 由 驅(qū) 動(dòng) 芯 片 自 身 完 成 , 對(duì) 于 電 機(jī) 驅(qū) 動(dòng) 用 的 三 相 逆 變 器 實(shí) 現(xiàn) 無(wú) 跳 閘 控 制 有 較 大 的 幫 助 。 3) EXB8..Series驅(qū) 動(dòng) 芯 片 內(nèi) 集 成 了 功 率 放 大 電 路 , 這 在 一 定 程 度 上 提 高 了 驅(qū) 動(dòng) 電 路 的 抗 干 擾 能 力 。3 結(jié) 語(yǔ) 1 系統(tǒng)組成及工作原理 逆變電源主電路正弦波中頻逆變電源的主電路構(gòu)成如圖1中的上半部分所示,圖中K1為空氣開(kāi)關(guān)。V1~V4為4只IGBT,構(gòu)成橋式逆變電路。 主控制電路主控制部分的原理框圖如圖2所示。驅(qū)動(dòng)電路的性能不僅直接關(guān)系到IGBT器件本身的工作性能和運(yùn)行安全,而且影響到整個(gè)系統(tǒng)的性能和安全。影響開(kāi)關(guān)速度的另一個(gè)重要因素是柵極電阻RG,減小RG可以降低IGBT的開(kāi)關(guān)損耗,但由于雜散電感的存在,使得IGBT關(guān)斷時(shí)的集射極間的尖峰電壓增大,SKHI驅(qū)動(dòng)器將RG分成RGON和RGOFF(見(jiàn)圖3),這樣兩個(gè)參數(shù)可分別控制,并可根據(jù)IGBT容量的不同,分別調(diào)整RGON和RGOFF,以獲得最佳驅(qū)動(dòng)效果。10%)和輸出電壓的頻率(400Hz177。電源經(jīng)海軍多個(gè)部隊(duì)和基地、軍工單位、研究所的實(shí)際使用,取得了令人滿意的效
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