igbt模塊使用上的注意事項(xiàng)(更新版)
【正文】 限制值與 VGE Rg 的依賴關(guān)系 N 系列 IGBT 模瑰，由於內(nèi)裝有電流限制回路，因此，可限制短路時(shí)的集電極電流，使模塊能承受的極限電流值保以提高。保護(hù)電路的設(shè)計(jì)，在使用 IGBT 模塊時(shí)尤為重要。此外，也與保護(hù)電路設(shè)計(jì)密切相關(guān)。 8. 另裝 時(shí)的注意事項(xiàng) 在實(shí)際安裝 IGBT 模塊時(shí)，請?zhí)貏e注意如下幾點(diǎn)： 1. 安裝散熱片時(shí)，在模塊里面涂以熱復(fù)合材料，并充分固定牢。 c. 在溫度發(fā)生急劇變化的場所裝置表面含有結(jié)露水的情況出現(xiàn)，應(yīng)避開這種場所，盡量放在溫度變化小的地方。 2. 在模塊端子處測定驅(qū)動(dòng)電壓是否為符合要求的電壓值。 3. 開、關(guān)時(shí)的浪涌電壓等的測定，請?jiān)诙俗犹帨y定。 e. 外部端子，請?jiān)谖醇庸さ臓顟B(tài)下保管。冷卻體原件安裝表面的加工方面，要保此粗糙度在 10mm 以下，平面度在 0100mm 以內(nèi)。此處由於驅(qū)動(dòng)電路的接線方法不同，器件有可能產(chǎn)生誤動(dòng)作。（例如，過電流時(shí)，切斷時(shí)間太長，吸收 回路電容容量過小等。這時(shí)，應(yīng)特別注意，要將裝置中過電流容限值設(shè)定在該模塊限制電流值之下方為安全。 此外，由於 IGBT 模塊為 MOS 結(jié)構(gòu)，對於靜電流就要十分注意。因此，根據(jù)額定損耗，開關(guān)損耗所產(chǎn)生的熱量，控制器件結(jié)溫（ Tj）在 150oC 以下（通常為安全起見，以 125oC 以下為宜），請使用這時(shí)的集電流以下為宜。 a. 電壓規(guī)格 IGBT 模塊的電壓規(guī)格與所使用裝置的輸入電源即市電電源電壓緊密相關(guān)。 2. 防止靜電對策 IGBT 的 VGE 的保證值為 177。 3. 盡量在底板良好接地的情況下操作。一旦有短路情況發(fā)生，應(yīng)立即切斷輸入信號。 為了進(jìn)行散熱設(shè)計(jì)，首先要計(jì)算出器件產(chǎn)生的損耗，該損耗使結(jié)溫升至允許值以下來選擇散熱片。 為使并聯(lián)時(shí)電流能平衡，適當(dāng)改變器件的特性及接線方法。常溫的規(guī)定為 5－ 35“C，常濕的規(guī)定為 45—75％左右。 2. 搬運(yùn) a. 請不要受下 墮沖
公司管理相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1