外文翻譯中文---簡(jiǎn)易微機(jī)電系統(tǒng)設(shè)備的無線供電方案(更新版)
【正文】 （ Hz） 對(duì)于前面提到的原因系數(shù)，耦合是一個(gè)值得探討的重要人物，以變壓器設(shè)計(jì)的。 C時(shí)相對(duì)磁導(dǎo)率 2020 阻抗 ohm 線圈阻抗的測(cè)定是使用 40 千赫至 110 兆赫的安捷倫 4294A 阻抗分析儀在頻率范圍內(nèi)。二次是一個(gè)邊長(zhǎng)的平方平均螺旋彈簧圈 12mm 作為幾何圖。加工涉及電子束蒸發(fā)的銅層的一氧化硅晶片，并發(fā)射的圖案。在這個(gè)文件中，主要關(guān)注的是提高耦合系數(shù)，找出最佳工作頻率范圍。寄生電阻和電容的主要是更重要的一面相比，那些在第二位的。）我們使用這個(gè)尺寸的關(guān)系，以獲取以下的耦合系數(shù)。由于能源領(lǐng) 域所取得的轉(zhuǎn)讓是通過磁場(chǎng)在空氣中的差距，重要的是涉及變壓器性能之間耦合的主要和次要的。對(duì)于這樣一個(gè)戰(zhàn)略，有線圈的必要性歸納能力，但許多系統(tǒng)允許這種線圈計(jì)算在內(nèi)，離開了 MEMS 系統(tǒng)布線免費(fèi)互連。作為替代方案， 1氫化非晶硅（ α Si： H的）太陽能電池陣列已被證明是一個(gè)靜電 MEMS5，6片上電源。因此，某些情況下驅(qū)動(dòng)一個(gè)這樣的芯片有可能需要不 只一個(gè)電源，從而增加了連接數(shù)目，這會(huì)對(duì)封裝不利 。獲得接近于 的耦合系數(shù) 。 中文 6298 字 畢業(yè)設(shè)計(jì)外文資料翻譯 學(xué) 院： 理工學(xué)院 專 業(yè)： 過程裝備與控制工程 姓 名： 學(xué) 號(hào)： 外文出處： Dept. of Electrical Engineering, ____________Univ. of Notre Dame 附 件： ； 。實(shí)驗(yàn)和模擬用來使主副變壓器耦合良好。然而，大多數(shù)微機(jī)電系統(tǒng)設(shè)備，尤其是微致動(dòng)器，對(duì)于供電有特殊的要求；有些設(shè)備需要高電壓，然而有些又會(huì)需要高功率輸入。Qu et al展示了 16mm 20mm 略上面提到的產(chǎn)生 30電壓 V的溫度差異不能產(chǎn)生電力 MEMS器件的許多可用的數(shù)量。當(dāng) 副線圈 的差距插入到空氣中，能源是耦合從主方到二次側(cè)。擬議可拆卸集成變壓器的不同連接到傳統(tǒng)的一，二次是在沒有物理其余的變壓器，但不是在同一個(gè)硅芯片上集成。 （同樣，相同的關(guān)系，可為次要方面。 該系列電阻降低效率到負(fù)載的能量轉(zhuǎn)移，電感和寄生電容一起形成一個(gè)共振頻率相當(dāng)于 f=1/2π 電路 與自我，實(shí)行了變壓器，一個(gè)工作頻率上的限制以外的輔助不再作為一個(gè)電感器的功能，而是作為一個(gè)電容器。電路中的元素具有不同的配置不同的重要性變壓器。 4（ 1）。金屬制品業(yè) 副線圈 是安裝在印刷電路板，便于操作。 C， 400 kHz， 50 mT 150 mW/cm3 平均邊長(zhǎng) 12mm 感應(yīng)系數(shù) μ H 25176。 圖 4 利用集總元件對(duì) 副線圈的阻抗測(cè)量和曲線擬合 ((b)中對(duì)應(yīng)參數(shù) ， L = μH ,R = Ω ,C = 67 pF)。 （對(duì)于一個(gè)理想的變壓器，這應(yīng)該同意測(cè)量方 K 的主。 頻率（ Hz） （ b）三種 不同形式的主線圈布局所對(duì)應(yīng)的耦合系數(shù)。） 為了驗(yàn)證耦合系數(shù)是合理的，二次電壓的比值，以留下深刻 影響 的開路電壓測(cè)量和初級(jí)圖繪制在頻率范圍從 50 千赫至 3 兆赫， 如圖 5（ b） 所示 。圖 6給出了實(shí)驗(yàn)結(jié)果，從而為這個(gè) 副線圈 有 2mm 的空氣間隙和 10。它也表明， 10 圈的首要可以只磁通量的核心，以及一個(gè) 20圈的初選。結(jié)果從 圖 9電感和漏一串聯(lián)諧振內(nèi)二次寄生電容。是建立一個(gè)芯片上可容納的供電計(jì)劃 滿足微機(jī)電系統(tǒng) 器件特殊的電源要求，它是有關(guān)證明了我們的原型變壓器的多功能性。 參考文獻(xiàn) （ 見原文 ） 附件 2：外文原文 （復(fù)印件）
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