【正文】 生成氫氧化鈉和氫氧化鉀；(2)二氧化硅屬于酸性氧化物，可與氫氧化鈉溶液反應(yīng)生成硅酸鈉和水，反應(yīng)的離子方程式為：SiO2+2OH=SiO32 +H2O；(3)氧化鈉與氧化鉀屬于可溶性氧化物，氧化鋁屬于兩性氧化物，二氧化硅屬于酸性氧化物，上述四種物質(zhì)都能溶解在氫氧化鈉溶液中，氧化鎂和氧化鐵屬于堿性氧化物且難溶于水，因此，濾渣A的成分有MgO和Fe2O3；(4)步驟②生成沉淀的成分是硅酸，洗滌過濾出的沉淀的方法是：向過濾器中注入蒸餾水至浸沒沉淀，待水自然流出后，重復(fù)上述操作兩到三次；(5)步驟③用灼燒的方法使硅酸分解生成二氧化硅，化學(xué)方程式為：H2SiO3SiO2+H2O，實(shí)驗(yàn)室灼燒固體時(shí)需要用到的儀器有坩堝、泥三角、酒精燈、玻璃棒、坩堝鉗和三腳架。13．高純二氧化硅可用來制造光纖。若該元素用R表示，則A為R的氧化物，D與NaOH溶液反應(yīng)生成C和H2。10．單質(zhì)Z是一種常見的半導(dǎo)體材料，可由X通過如下圖所示的路線制備，其中X為Z的氧化物，Y為氫化物，分子結(jié)構(gòu)與甲烷相似，回答下列問題：（1）能與X發(fā)生化學(xué)反應(yīng)的酸是_________；由X制備Mg2Z的化學(xué)方程式為_________?！军c(diǎn)睛】硅酸鹽由鹽的書寫改寫為氧化物的形式為：活潑金屬氧化物?較活潑金屬氧化物?二氧化硅?水的順序書寫；注意：①氧化物之間以“?”隔開；②系數(shù)配置出現(xiàn)的分?jǐn)?shù)應(yīng)化為整數(shù)；③金屬氧化物在前(活潑金屬氧化物→較活潑金屬氧化物)，非金屬氧化物在后。(2)用氧化物的組成表示其化學(xué)式： _______。（2）檢驗(yàn)化合物乙的化學(xué)方程式：___________________________________________________。圖b為一種多硅酸根，其中Si原子的雜化形式為________，化學(xué)式為________________。（3）高鐵上安裝有許多玻璃，氫氟酸可以處理玻璃表面的微裂紋，氫氟酸與比例中的二氧化硅反應(yīng)的化學(xué)方程式______________________________。2．下列除去雜質(zhì)的方法正確的是（ ）物質(zhì)雜質(zhì)試劑主要操作ACl2（g）HCl（g）飽和食鹽水、濃硫酸洗氣BSiO2Fe2O3氫氧化鈉溶液過濾CFeCl2FeCl3Cu過濾D氫氧化鐵膠體氯化鐵過濾A．A B．B C．C D．D【答案】A【解析】【分析】【詳解】A．Cl2難溶于飽和食鹽水，HCl極易溶于水，然后用濃硫酸干燥，可以除去氯氣中的HCl，A正確；B．SiO2能和氫氧化鈉溶液反應(yīng)，F(xiàn)e2O3與NaOH不反應(yīng)，不能用來除去SiO2 中的Fe2O3，B錯(cuò)誤；C．FeCl3和Cu發(fā)生反應(yīng)：2Fe3++Cu=2Fe2++Cu2+，除去了Fe3+，又引入了Cu2+，C錯(cuò)誤；D．氫氧化鐵膠粒和氯化鐵溶液都能通過濾紙，應(yīng)該用滲析的方法除去氫氧化鐵膠體中的氯化鐵溶液，D錯(cuò)誤；答案選A 。3，故不選；⑧不反應(yīng)，有碳的時(shí)候反應(yīng)3 SiO2+6C+2N2Si3N4+6CO，故選；故答案為：C。6．硅鐵合金廣泛應(yīng)用于冶金工業(yè)，可用于鑄鐵時(shí)的脫氧劑、添加劑等，回答下列問題：（1）基態(tài)Fe原子價(jià)層電子的電子排布圖為________，基態(tài)Si原子電子占據(jù)最高能級的電子云輪廓圖為________形?！驹斀狻?1)基態(tài)Fe原子的核外價(jià)電子排布式為[Ar]3d64S2，基態(tài)Fe原子價(jià)層電子為其3d、4s能級上電子，則基態(tài)Fe原子的核外價(jià)電子排布圖為；基態(tài)Si原子電子占據(jù)的能級有1s、2s、2p，最高能級為2p，其電子云輪廓圖為啞鈴形；(2)綠簾石的組成為Ca2FeAl2(SiO4) (Si2O7)O(OH)，將其改寫成氧化物的形式為4CaO?Fe2O3?2Al2O3?6SiO2?H2O；(3)SiCl4分子的中心原子為Si，形成4個(gè)σ鍵，價(jià)層電子對數(shù)為4，具有正四面體結(jié)構(gòu)；四鹵化硅的沸點(diǎn)逐漸升高，為分子晶體，沸點(diǎn)與相對分子質(zhì)量有關(guān)，相對分子質(zhì)量越大，沸點(diǎn)越高；(4)配離子為[Fe(H2O)6]2+，中心離子為Fe3+，配體為H2O，則配位數(shù)為6；中配體為H2O和en，其中O和N原子均能提供孤對電子，則配位原子為O和N； (5)硅酸鹽中的硅酸根(SiO44)為正四面體結(jié)構(gòu)，所以中心原子Si原子采取了sp3雜化方式；圖(b)為一種無限長層狀結(jié)構(gòu)的多硅酸根，圖(a)中一個(gè)SiO44四面體結(jié)構(gòu)單元中其中有3個(gè)氧原子的貢獻(xiàn)率為，SiO44四面體結(jié)構(gòu)單元含有1個(gè)硅、氧原子數(shù)目=1+3=，Si、O原子數(shù)目之比為1:=2:5，故化學(xué)式或Si2O52。（5）取變紅溶液于試管中加熱，觀察到的現(xiàn)象有_______________________________________?！敬鸢浮縈g2SiO4 2MgO（2）B和a溶液反應(yīng)的離子方程式是_____________________?！敬鸢浮繗浞? SiO2+MgO2↑+Mg2Si Mg2Si+4HCl=2MgCl2+SiH4 非極性鍵、極性鍵 【解析】【詳解】單質(zhì)Z是一種常見的半導(dǎo)體材料，則Z為Si，X為Z的氧化物，則X為SiO2，Y為氫化物，分子結(jié)構(gòu)與甲烷相似，則Y為SiH4，加熱SiH4分解得到Si與氫氣。（3）反應(yīng)④的離子方程式為：_____________________________________。(2)步驟①中涉及SiO2 反應(yīng)的離子方程式為_________________________ 。請回答下列問題(各元素用相應(yīng)的元素符號表示)：(1)在上述生產(chǎn)過程中，屬于置換反應(yīng)的有____(填反應(yīng)代號)。(1)氮化硅膜與二氧化硅膜相比較具有表面化學(xué)性能穩(wěn)定等優(yōu)點(diǎn)，故氮化硅膜可用于半導(dǎo)體工業(yè)。三硅酸鎂與鹽酸反應(yīng)的化學(xué)方程式為________________________________。