物流仿真實(shí)驗(yàn)報(bào)告(完整版)
【正文】 由圖可見(jiàn)，系統(tǒng)得擁堵現(xiàn)象消失了，模型完成。設(shè)置求解域參數(shù)求解域模式中，斯托克斯流和傳導(dǎo)介質(zhì)物理場(chǎng)下參數(shù)無(wú)需改動(dòng)，電動(dòng)流物理場(chǎng)下，D各向同性，擴(kuò)散系數(shù)1e8，遷移率2e11，x速度u，y速度v，勢(shì)能V。對(duì)傳導(dǎo)介質(zhì)DC求解，結(jié)果用電位能表示。（4）樣品分離求解。第三篇：物理仿真實(shí)驗(yàn)報(bào)告物理仿真實(shí)驗(yàn)報(bào)告良導(dǎo)體熱導(dǎo)率的動(dòng)態(tài)法測(cè)量日期年 月 日姓名學(xué)號(hào)班級(jí)學(xué)院評(píng)分教師簽名實(shí)驗(yàn)簡(jiǎn)介：在測(cè)量熱導(dǎo)率的實(shí)驗(yàn)中，最普遍采用的方法是穩(wěn)態(tài)法，即在保持被測(cè)樣品各點(diǎn)溫度不隨時(shí)間變化的情況下測(cè)量熱流，然后求出熱導(dǎo)率，這種方法實(shí)驗(yàn)條件要求嚴(yán)格不易測(cè)準(zhǔn)．而動(dòng)態(tài)法就將難于測(cè)準(zhǔn)的熱學(xué)量的測(cè)量轉(zhuǎn)變?yōu)槿菀诇y(cè)準(zhǔn)的長(zhǎng)度測(cè)量，從而顯著降低測(cè)量誤差．實(shí)驗(yàn)原理：實(shí)驗(yàn)采用熱波法測(cè)量銅、鋁等良導(dǎo)體的熱導(dǎo)率。x(1)，其中K為待測(cè)材料的熱導(dǎo)率，A是溫度對(duì)坐標(biāo)x的梯度,負(fù)號(hào)表示熱量流動(dòng)方向與溫度變化182。T182。t=D182。答：觀察測(cè)量狀態(tài)顯示中的運(yùn)行時(shí)間，到待測(cè)時(shí)間，恩下操作欄中的暫停鍵即可得到某時(shí)刻材料棒上的熱波。利用二元函數(shù)泰勒公式，可將與節(jié)點(diǎn)（xi，yi）直接相鄰的節(jié)點(diǎn)上的電位值表示為上述公式經(jīng)整理可得差分方程這就是二維拉普拉斯方程的差分格式，它將場(chǎng)域內(nèi)任意一點(diǎn)的位函數(shù)值表示為周圍直接相鄰的四個(gè)位函數(shù)值的平均值。實(shí)驗(yàn)程序： a=zeros(135,135)。a(15*i+15,15*i)=。a(15,30)=。a(15*i+j,15*i+j1)=。s=zeros(11,17)。：0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 第五十次迭代值：0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 第五十一次迭代值：0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 由以上仿真結(jié)果可知場(chǎng)域內(nèi)的近似的電位值。本實(shí)驗(yàn)通過(guò)觀察并拍攝Ｈg(5４1nm)譜線在磁場(chǎng)中得分裂情況,研究塞曼分裂譜得特征，學(xué)習(xí)應(yīng)用塞曼效應(yīng)測(cè)量電子得荷質(zhì)比與研究原子能級(jí)結(jié)構(gòu)得方法。得選擇定則就是：時(shí)為 成分，就是振動(dòng)方向平行于磁場(chǎng)得線偏振光,只能在垂直于磁場(chǎng)得方向上才能觀察到,在平行于磁場(chǎng)方向上觀察不到,但當(dāng)時(shí)，得躍遷被禁止。標(biāo)準(zhǔn)具就是由平行放置得兩塊平面玻璃或石英玻璃板組成，在兩板相對(duì)得平面上鍍有高反射率得薄銀膜，為了消除兩平板背面反射光得干涉,每塊板都作成楔形。參見(jiàn)圖２,出射角為得圓環(huán)直徑與透鏡焦距間得關(guān)系為 ,對(duì)于近中心得圓環(huán)很小，可以認(rèn)為，于就是有(13)代入到(7）式中，得(14）由上式可推出同一波長(zhǎng)相鄰兩級(jí)與級(jí)圓環(huán)直徑得平方差為(15)可以瞧出,由(１4)式與(15）式得得出 波長(zhǎng)差(16)波數(shù)差(１7)用塞曼效應(yīng)計(jì)算電子荷質(zhì)比 對(duì)于正常塞曼效應(yīng),分裂得波數(shù)差為代入測(cè)量波數(shù)差公式(17)，得（１8)若已知與,從塞曼分裂中測(cè)量出各環(huán)直徑,就可以計(jì)算出電子荷質(zhì)比。如果當(dāng)眼睛向某方向移動(dòng)，觀察到干涉紋從中心冒出來(lái)時(shí)，由干涉公式可得該處得等傾干涉條紋所對(duì)應(yīng)得厚度較大。相反若干涉條紋有吞吐現(xiàn)象則條紋得級(jí)數(shù)在減小，那么該處得等傾條紋對(duì)應(yīng)得厚度較小,此時(shí)應(yīng)調(diào)節(jié)旋扭增加厚度。在顯示器上調(diào)整并觀察光路。則在透鏡焦平面上得到一組同心圓環(huán)圖樣．在透射光束中,相鄰光束得光程差為(5）取（6）產(chǎn)生亮條紋得條件為（7）式中為干涉級(jí)次； 自由光譜范圍(標(biāo)準(zhǔn)具參數(shù)）或同一光源發(fā)出得具有微小波長(zhǎng)差得單色光與（），入射后將形成各自得圓環(huán)系列。,其上下能級(jí)得有關(guān)量子數(shù)值與能級(jí)分裂圖形如表 1—1 所示。利用塞曼分裂得裂距，計(jì)算電子得荷質(zhì)比數(shù)值。荷蘭物理學(xué)家塞曼(Ｚeemaｎ)在
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