【摘要】物理電子技術(shù)與系統(tǒng)教師:趙小蘭聯(lián)系:33356107Email:物理電子技術(shù)與系統(tǒng)?課程內(nèi)容:?1、物理電子學(xué)基本概念、定律及等離子體物理和應(yīng)用;?2、真空技術(shù)及其應(yīng)用?課時:48課授+16實驗?實驗安排:13-16周梁添?成績:60%期末+20%實驗+20%作業(yè)考勤課程內(nèi)容
2025-01-18 02:14
【摘要】數(shù)字電子技術(shù)實驗箱簡介集成芯片面包板一、數(shù)字電子技術(shù)實驗箱數(shù)字電子技術(shù)實驗箱簡介二、面包板無孔槽面包板是由許多小方孔(孔內(nèi)有金屬彈簧片)組成的塑料板,電路元器件和連線可插于小孔中。豎向5孔相通集成芯片安
2025-08-05 07:27
【摘要】第5章PWM整流電路概述低壓大電流高頻整流電路電壓型單相單管PWM整流電路電壓型單相橋式PWM整流電路電壓型三相橋式PWM整流電路概述整流電路的理想狀態(tài)傳統(tǒng)整流電路存在的問題PWM整流電路的分類整流電路的理想狀態(tài)λ=1u0≡U0(電壓型)或輸出電流i0≡I0(電流
2025-05-14 22:08
【摘要】第一篇:《電力電子技術(shù)》讀書報告 《電力電子技術(shù)》讀書報告 通過閱讀《電力電子技術(shù)》我認識到,電力電子技術(shù)就是應(yīng)用于電力領(lǐng)域的電子技術(shù)。具體地說,就是使用電力電子器件(如晶閘管,GTO,IGBT等...
2024-11-09 12:53
【摘要】《電力電子技術(shù)》試卷第1頁(共2頁)河南理工大學(xué)萬方科技學(xué)院2022-2022學(xué)年第一學(xué)期《電力電子技術(shù)》試卷(A卷)考試方式:閉卷本試卷考試分數(shù)占學(xué)生總評成績的70%一、填空題(本題30分,每空2分)1、全控型電力電子器件中,開關(guān)速
2025-01-07 22:09
【摘要】下一頁總目錄章目錄返回上一頁第19章電力電子技術(shù)電力電子器件可控整流電路逆變電路交流調(diào)壓電路直流斬波電路下一頁總目錄章目錄返回上一頁本章要求、工作原理、特性和主要參數(shù)。2.理解可控整流電路的工作原理、掌
2025-07-20 07:58
【摘要】1現(xiàn)代電力電子技術(shù)ModernPowerElectronicsTechnology大連理工大學(xué)李國鋒2022年8月2目錄?第1章概述?第2章電力電子器件?第3章AC-DC變換?第4章DC-DC變換?第5章DC-AC變換?第6章AC-A
2025-08-16 02:09
【摘要】電力電子技術(shù)復(fù)習(xí)資料一、簡答題1、晶閘管導(dǎo)通的條件是什么?(1)晶閘管陽極和陰極之間施加正向陽極電壓(2)晶閘管門極和陰極之間必須施加適當(dāng)?shù)恼蛎}沖電壓和電流2、有源逆變實現(xiàn)的條件是什么?(1)晶閘管的控制角大于90度,使整流器輸出電壓Ud為負(2)整流器直流側(cè)有直流電動勢,其極性必須和晶閘管導(dǎo)通方向一致,其幅值應(yīng)大于變流器直流側(cè)的平均電壓
2025-08-11 03:32
【摘要】電力電子技術(shù)課程綜述系別:電子信息及電氣工程系專業(yè):自動化班級:姓名:學(xué)號:目錄摘要: 2緒論 3: 3: 3: 4 4本課程簡介 5: 5 5根據(jù)門極)驅(qū)動信號的不同 5根據(jù)載流
2025-07-14 01:16
【摘要】第10章電力電子技術(shù)的應(yīng)用晶閘管直流電動機系統(tǒng)變頻器和交流調(diào)速系統(tǒng)不間斷電源開關(guān)電源功率因數(shù)校正技術(shù)電力電子技術(shù)在電力系統(tǒng)中的應(yīng)用電力電子技術(shù)的其他應(yīng)用
2025-04-30 01:43
【摘要】三峽大學(xué)電氣與新能源學(xué)院10-1第10章電力電子技術(shù)應(yīng)用晶閘管直流電動機系統(tǒng)變頻器和交流調(diào)速系統(tǒng)不間斷電源開關(guān)電源功率因數(shù)校正技術(shù)電力電子技術(shù)在電力系統(tǒng)中應(yīng)用電力電子技術(shù)的其他應(yīng)用三峽大學(xué)電氣與新能源學(xué)院10-2晶閘管直流電動機系統(tǒng)
2025-02-16 15:29
【摘要】2-1與信息電子電路中的二極管相比,電力二極管具有怎樣的結(jié)構(gòu)特點才使得其具有耐受高壓和大電流的能力?答:,使得硅片中通過電流的有效面積增大,顯著提高了二極管的通流能力。,也稱漂移區(qū)。低摻雜N區(qū)由于摻雜濃度低而接近于無摻雜的純半導(dǎo)體材料即本征半導(dǎo)體,由于摻雜濃度低,低摻雜N區(qū)就可以承受很高的電壓而不被擊穿。2-2.使晶閘管導(dǎo)通的條件是什么?答:使晶閘管導(dǎo)通的條件是:晶閘管承受正
2025-04-17 07:00