【正文】 斷請(qǐng)求或硬件復(fù)位終止。 10PF。然而，定時(shí)器 2的標(biāo)志位 TF2 在定時(shí)器溢出的那個(gè)機(jī)器周期的 S2P2 狀態(tài)置位，并在同一個(gè)機(jī)器周期內(nèi)差續(xù)道該標(biāo)志。中斷 : AT89C52 共有 6 個(gè)中斷向量：兩個(gè)外中斷（ INT0 和 INT1），三個(gè)定時(shí)器中斷（定時(shí)器 0、 2）和串行口中斷。 引腳除了是一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)的 I/O 口外，還可以通過(guò)編程使其作為定時(shí) /計(jì)數(shù)器 2 的外部時(shí)鐘輸入和輸出占空比 50％的時(shí)鐘脈沖。但若 EXEN2 置位，且 T2EX 端產(chǎn)生由 1至 0 的負(fù)跳變，則會(huì)使 EXF2置位，此時(shí)并不能將（ RCAP2H,RCAP2L）的內(nèi)容重新裝入 TH2和 TL2 中。若 RCLX 和 TCLX 置位，則定時(shí)器 2工作于波特率發(fā)生器方式。 當(dāng) DCEN=1 時(shí)，允許定時(shí)器 2 向上或向下計(jì)數(shù)，如圖 6 所示。另外， T2EX 引腳信號(hào)的跳變使得 T2CON 中的 EXF2 置位，與 TF2 相仿， EXF2 也會(huì)激活中斷。 在計(jì)數(shù)工作方式時(shí)，當(dāng) T2 引腳上外部輸入信號(hào)產(chǎn)生由 1 至 0 的下降沿時(shí)，寄存器的值加 1，在這種工作方式下，每個(gè)機(jī)器周期的 5SP2 期間，對(duì)外部輸入進(jìn)行采樣。 例如，下面的直接尋址指令訪問(wèn)特殊功能寄存器 0A0H（即 P2 口）地址單元。 AT89C52 除了有與 AT89C51 所有的定時(shí) /計(jì)數(shù)器 0 和定時(shí) /計(jì)數(shù)器 1 外，還增加了一個(gè)定設(shè)計(jì)說(shuō)明書(shū)（畢業(yè)論文） 22 時(shí) /計(jì)數(shù)器 2。 178。 178。一般情況下， ALE 仍以時(shí)鐘振蕩頻率的 1/6 輸出固定的脈沖信號(hào)，因此它可對(duì)外輸出時(shí)鐘或用于定時(shí)目的。對(duì)端口 P3 寫(xiě)“ 1”時(shí)，他們被外部上拉電阻拉高并可作為輸入端口。對(duì)端口 P2 寫(xiě)“ 1”，通過(guò)內(nèi)部的上拉電阻把端口拉到高電平，此時(shí)可作輸入口。 178。 178。 32 個(gè)可編程 I/O 口線 178。 4． 1 AT89C52主要性能參數(shù) : 178。 的矩形波，其有效值為： I2= π ））π ＋（（π 3232I21 22d ??? dI= 32π Id= Id 晶閘管電壓、電流等的定量分析與三相半波時(shí)一致。 。 時(shí)： Ud 波形連續(xù)，工作情況與帶電阻負(fù)載時(shí)十分相似，各晶閘管 的通斷情況、輸出整流電壓 Ud 波形、晶閘管承受的電壓波形等都一樣； 區(qū)別在于：由于負(fù)載不同，同樣的整流輸出電壓加到負(fù)載上，得到的負(fù)載電流波形不同。 時(shí)電阻負(fù)載情況下的工作波形如圖 3— 5所示： 圖 3— 5 三相橋式全控整流電路帶電阻負(fù)載 ａ =90176。 3 三相橋式全控整流電路帶電阻負(fù)載 ａ =60176。 時(shí)的情況 圖 3— 4 三相橋式全控整流電路（帶電阻負(fù)載 ａ =30176。 ▼ 需保證同時(shí)導(dǎo)通的 2 個(gè)晶閘管均有脈沖（采用兩種方法：一種是寬脈沖 觸發(fā)（大于 60176。 時(shí)晶閘管工作情況 設(shè)計(jì)說(shuō)明書(shū)（畢業(yè)論文） 9 時(shí)段 Ⅰ Ⅱ Ⅲ Ⅳ Ⅴ Ⅵ 共陰極組中導(dǎo)通的晶閘管 VT1 VT1 VT3 VT3 VT5 VT5 共陽(yáng)極組中導(dǎo)通的晶閘管 VT6 VT2 VT2 VT4 VT4 VT6 整流輸出電壓 Ud Ua– Ub =Uab Ua– Uc =Uac Ub– Uc =Ubc Ub– Ua =Uba Uc– Ub =Uca Uc– Ub =Ucb （ 2）三相橋式全控整流電路的特點(diǎn)：（三相全橋） ▼ 兩個(gè)同時(shí)導(dǎo)通形成供電回路，其中共陰極組和共陽(yáng)極組各有一個(gè)導(dǎo)通，且不能為同相的兩個(gè)否則沒(méi)有輸出。 178。 設(shè)計(jì)說(shuō)明書(shū)（畢業(yè)論文） 8 178。 共陰極組 — 陰極連接在一起的 3 個(gè)晶閘管（ VT1， VT3， VT5）。不超過(guò)門極電壓、電流和功率，且在可靠觸發(fā)區(qū)域之內(nèi)； 178。 （ 4）要使晶閘管關(guān)斷，只能使晶閘管的電流降到接近于零的某一數(shù)值以。 （ 5）光觸發(fā)：當(dāng)強(qiáng)光直接照射在硅片上，產(chǎn)生電子空穴對(duì)，在電場(chǎng)的作用，產(chǎn)生觸發(fā) SCR的電流。該小電流稱為 SCR 的維持電流。 2． 1． 1 晶閘管的開(kāi)關(guān)特點(diǎn)： 設(shè)計(jì)說(shuō)明書(shū)（畢業(yè)論文） 5 （ 1） 當(dāng) SCR 的陽(yáng)極和陰極電壓 UAK﹤ 0，即 EA 下正上負(fù)，無(wú)論門極 G 加什么電， SCR始終處于關(guān)斷狀態(tài)。其中太陽(yáng)能發(fā)電、風(fēng)力發(fā)電的發(fā)展較快，燃料電池更是備受關(guān)注。大型計(jì)算機(jī)所需的工作電源、微型計(jì)算機(jī)內(nèi)部的電源現(xiàn)在也都采用高頻開(kāi)關(guān)電源。 設(shè)計(jì)說(shuō)明書(shū)（畢業(yè)論文） 3 電力系統(tǒng)： 電力電子技術(shù)在電力系統(tǒng)中有非常廣泛的應(yīng)用。冶金工業(yè)中的高頻或中頻感應(yīng)加熱電源、淬火電源及直流電弧爐電源等場(chǎng)合，需要大容量整流電源。 1947 年美國(guó)貝爾實(shí)驗(yàn)室發(fā)明晶體管（ Transistor），引發(fā)了電子技術(shù)的一場(chǎng)革命；晶閘管（ 1957 年） SCR（ Silicon Controlled Rectifier）可通過(guò)門極控制開(kāi)通，但通過(guò)門極不能控制關(guān)斷，屬于半控型器件目前由于其能承受的電壓、電流容量仍是目前器件中最高 的，而且工作可靠，所以許多大容量場(chǎng)合仍大量使用。 1． 1． 1 晶閘管的發(fā)展現(xiàn)狀 晶閘管出現(xiàn)前的時(shí)期，用于電力變換的電子技術(shù)已經(jīng)存在： 1904 年出現(xiàn)了電子管(Valve)，能在真空中對(duì)電子流進(jìn)行控制，并應(yīng)用于通信和無(wú)線電，從而開(kāi)了電子技術(shù)之先河。具體運(yùn)行由工頻三相電壓經(jīng)變壓器后在芯片控制下在不同的時(shí)刻發(fā)出不同的脈沖信號(hào)去控制相應(yīng)的SCR 可控硅整流為直流電給負(fù)載供電。此種控制方式其 主要優(yōu)點(diǎn)是輸出波形穩(wěn)定和可靠性高 抗干擾強(qiáng)的特點(diǎn)。 后來(lái)出現(xiàn)了水銀整流器（ Mercuryvapour thyratrons），其性能和晶閘管很相似。 178。電鍍裝置也需要整流電源。最終用戶在使用電能時(shí)常常需要進(jìn)行預(yù)處理。在各種電子裝置中，以前大量采用線性穩(wěn)壓電源供電，由于高頻開(kāi)關(guān)電源體積小、重量輕、效率高，現(xiàn)在己逐漸取代了線性電源。太陽(yáng)能發(fā)電和風(fēng)力發(fā)電受環(huán)境的制約，發(fā)出的電力質(zhì)量較差， 常需要儲(chǔ)能裝置緩沖，需要改善電能質(zhì)量，這就需要電力電子技術(shù)。 （圖 2— 1） （ 2）當(dāng) UAK﹥ 0時(shí)，只有 EGK﹥ 0,SCR 才能導(dǎo)通。 綜上所述： SCR 導(dǎo)通條件 : UAK﹥ 0 同時(shí) UGK﹥ 0，由導(dǎo)通→關(guān)斷的條件：使流過(guò) SCR 的電流降低至維持電流以下。目前，有一些場(chǎng)合使用這種方式來(lái)觸發(fā) SCR，如 高壓直流輸電（ HVDC）。 從這個(gè)角度可以看出，晶閘管是一種電流控制型的電力電子器件。應(yīng)有良好的抗干擾性能、溫度穩(wěn)定性及與主電路的電氣隔離。 178。 1 三相橋式全控整流電路帶電阻負(fù)載 ａ =0176。任意時(shí)刻共陽(yáng)極組和共陰極組中各有 1 個(gè) SCR 處于導(dǎo)通狀態(tài)。 ▼ 對(duì)觸發(fā)脈沖的要求： ● 按 VT1— VT2— VT3— VT4— VT5— VT6 的順序，相位依次差 60176。 ）。 時(shí)的波形） 晶閘管起始導(dǎo)通時(shí)刻推遲了 30176。 時(shí)工作情況 設(shè)計(jì)說(shuō)明書(shū)（畢業(yè)論文） 11 Ud 波形中每段線電壓的波形繼續(xù)后移，平均值繼續(xù)降低。 時(shí)的波形 小結(jié) ● 當(dāng) ａ≦ 60176。電感性負(fù)載時(shí)，由于電感的作用 ，使得負(fù)載電流波形變得平直，當(dāng)電感足夠大的時(shí)候，負(fù)載電流的波形可近似為一條水平線。因?yàn)樵?ａ =90176。 三相橋式全控整流電路接反電勢(shì)電感性負(fù)載時(shí)，在負(fù)載電感足夠大足以使負(fù) 載電流連續(xù)的情況下，電路工作情況與電感性負(fù)載時(shí)相似，電路中各處電壓、電 流波形均相同，僅在計(jì)算 Id 時(shí)有所不同，接反電動(dòng)勢(shì)電感性負(fù)載時(shí)的 Id 為： Id = REUd? （式中和分別為負(fù)載中的電阻值和反電動(dòng)勢(shì)的值） 小結(jié)： 變壓器二次側(cè)每相有兩個(gè)匝數(shù)相同、極性相反（ 同名端相反）的繞組。與 MCS51 產(chǎn)品指令和引腳完全兼容 178。 3 個(gè) 16 位定時(shí) /計(jì)數(shù)器 178。 4． 2 AT89C52引腳及內(nèi)部器件功能說(shuō)明： 178。 P1 口： P1 口是一個(gè)帶內(nèi)部上拉電阻的 8 位雙向 I/O 口， P1 的輸出緩沖級(jí)可驅(qū)動(dòng)（吸收或輸出電流） 4 個(gè) TTL 邏輯門電路。做輸入口使用時(shí)，因?yàn)閮?nèi)部存在上拉電阻，某個(gè)引腳被外部信號(hào)拉低時(shí)會(huì)輸出一個(gè)電流（ I1L）。此時(shí)，被外部拉低的 P3 口將用上拉電阻輸出電流（ I1L）。要注意的是：每當(dāng)訪問(wèn)外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器時(shí)將跳過(guò)一個(gè) ALE 脈沖。 EA/VPP： 外部訪問(wèn)允許。 XTAL2： 振蕩器反相放大器的輸出端。定時(shí) /計(jì)數(shù)器 2 的控 制和狀態(tài)位位于 T2CON（參見(jiàn)表 3） T2MOD（參見(jiàn)表 4），寄存器對(duì)（ RCAO2H、 RCAP2L）是定時(shí)器自動(dòng)重裝載方式下的捕獲 /自動(dòng)重裝載寄存器。 MOV 0A0H, data 間接尋址指令訪問(wèn)高 128 字節(jié) RAM，例如，下面的間接尋址指令中， R0的內(nèi)容為 0A0H，則訪問(wèn)數(shù)據(jù)字節(jié)地址為 0A0H，而不是 P2 口（ 0A0H） . MOV R0, data 堆棧操作也是間接尋 址方式，所以，高 128 位數(shù)據(jù) RAM 亦可作為堆棧區(qū)使用。若在第一個(gè)機(jī)器周期中采到的值為 1，而在下一個(gè)機(jī)器周期中采到的值為 0，則在緊跟著的下一個(gè)周期的 S3P1 期設(shè)計(jì)說(shuō)明書(shū)（畢業(yè)論文） 24 間寄存器加 1。捕獲方式如圖 4所示。這種方式下， T2EX 引腳控制計(jì)數(shù)器方向。 波特率發(fā)生器的方式與自動(dòng)重裝載方式相仿，在此方式下， TH2 翻轉(zhuǎn)使定時(shí)器 2 的寄存器用 RCAP2H 和 RCAP2L 中的 16 位數(shù)值重新裝載，該數(shù)值由軟件設(shè)置。所以，當(dāng)定時(shí)器 2 作為波特率發(fā)生器使用時(shí)， T2EX 可作為附加的外部中斷源來(lái)使用。當(dāng)時(shí)鐘振蕩頻率為 16MHz 時(shí)，輸出時(shí)鐘頻率范圍為 61Hz— 4MHz。所有這些中斷源如圖 9所示。 設(shè)計(jì)說(shuō)明書(shū)（畢業(yè)論文） 30 178。 用戶也可以使用外部時(shí)鐘。 由硬件復(fù)位終止空閑狀態(tài)只需要兩個(gè)機(jī)器周期有效復(fù)位信號(hào)。為使單片機(jī)能正常工作，被鎖存的 EA 電平值必須與該引腳當(dāng)前的邏輯電平保持一致。 178。 設(shè)計(jì)說(shuō)明書(shū)（畢業(yè)論文） 34 178。加密位不可直接校驗(yàn)，加密位不可直接校驗(yàn)，加密位的校驗(yàn)可通過(guò)對(duì)存儲(chǔ)器的校驗(yàn)和寫(xiě)入狀態(tài)來(lái)驗(yàn)證。 設(shè)計(jì)說(shuō)明書(shū)（畢業(yè)論文） 35 （ 032H） =FFH 申明為 12V 編程電壓。與電源相位相同的方波。之間，所以 P0 口接顯示兩位動(dòng)態(tài)顯示的 LED 顯示器。 設(shè)計(jì)說(shuō)明書(shū)（畢業(yè)論文） 47 5． 3 移相觸發(fā)脈沖的控制原理 相位控制要求以變流電路的自然換相點(diǎn)為基準(zhǔn)，經(jīng)過(guò)一定的相位延遲后，再輸出觸發(fā)信號(hào)使晶閘管導(dǎo)通。為了保證觸發(fā)脈沖延遲相位的精度，用一個(gè)定時(shí)器測(cè)量同步電壓信號(hào)的周期，并由此計(jì)算出 60176。己時(shí)輸出一次觸發(fā)脈沖，直到單片機(jī)再次檢測(cè)到 A 相同步信號(hào)的正跳變時(shí)，這個(gè)周期結(jié)束，開(kāi)始下一個(gè)周期。例如，實(shí)測(cè)正向轉(zhuǎn)折電壓為 680V，反向擊穿電壓為 730V，各減去 100V 取整數(shù)，則 UDRM=500(v), URRM=600(V)將其中數(shù)值較小者 UDRM=500(v)作為該元件型號(hào)上的額定電壓。導(dǎo)通時(shí)，平均電流允許為 100A，此時(shí)的峰值電流將是 314A，有效值則是 157A。整流電路的脈波數(shù)總是有限的，在輸出的直流電壓中總是有紋波的。因此必須采用專用于保護(hù)晶閘管的快速熔斷器。這種保護(hù)措施對(duì) 過(guò)載是有效的，但是在發(fā)生短路故障時(shí)，由于過(guò)電流繼電器的動(dòng)作及自動(dòng)開(kāi)關(guān)的跳閘都需要一定的時(shí)間，如果短路電流比較大，這種保護(hù)方式不是很有效。 晶閘管過(guò)電壓的保護(hù)措施通常采用阻容保護(hù)。這是過(guò)電壓保護(hù)的基本方法。 2 過(guò)電壓保護(hù) 晶閘管耐受過(guò)電壓的的能力極差，當(dāng)電路中電壓超多其反相擊穿電壓時(shí)，即使時(shí)間極短，也容易損壞。快速熔斷器的接入方式有三種，其一是快速熔斷器輸出（負(fù)載）端，這種接法對(duì)輸出回路的過(guò)載或者短路起保護(hù)作用，但對(duì)原件本身 故障引起的過(guò)電流不起保護(hù)作用。 6． 1． 2 晶閘管的保護(hù) 1 過(guò)電流保護(hù) 由于晶閘管的熱容量很小，一旦發(fā)生過(guò)電流時(shí)，溫度就會(huì)急劇上 升而可能把 PN 結(jié)燒壞，造成元件內(nèi)部短路或者開(kāi)路。時(shí)，則允許通過(guò)的正弦半波電流的平均值應(yīng)相應(yīng)降低。通常選擇可控硅的額定電壓為實(shí)際工作電壓峰值的 2 一 3 倍。電角度 時(shí)間，否則會(huì)造成觸發(fā)脈沖的遺漏。電角度所對(duì)應(yīng)的時(shí)間。 圖 2 為三相橋式全控整流電路，觸發(fā)脈沖信號(hào)輸出的時(shí)序也可由單片機(jī)根據(jù)同步信號(hào)電平確定，當(dāng)單片機(jī)檢測(cè)到 A 相同步信 號(hào)時(shí)，輸出脈沖時(shí)序通常采用移相觸發(fā)脈沖的方法，即用一個(gè)同步電壓信號(hào)和一個(gè)定時(shí)器完成觸發(fā)脈沖的計(jì)算。由于鍵盤(pán)存在一定的局限性每輸入觸發(fā)角時(shí)必須先確認(rèn)一次然后在 輸入想要按下的鍵值否則將會(huì) 發(fā)生紊亂。使用該比較電路，無(wú)論輸入的同步電壓信號(hào)高還是低， LM339的輸出信號(hào)都能較 準(zhǔn)確的反映同步輸入信號(hào)的過(guò)零點(diǎn)， R2 和 C3 對(duì)輸出信號(hào)進(jìn)行濾波