dc-dc開關(guān)電源設(shè)計(jì)—畢業(yè)設(shè)計(jì)(完整版)
【正文】 斷時(shí)間，進(jìn)而調(diào)節(jié)占空比。 ； 1． 3 發(fā)揮部分 （ 1） 進(jìn)一步提高電壓調(diào)整率 ， 使 SU≤ %（ IO=5A） ； （ 2） 進(jìn)一步提高負(fù)載調(diào)整率， 使 SI≤ 1%（ Vin=48V）； （ 3） 進(jìn)一步提高效率，使 ?≥ 85%（ Vin=48V,UO=12V,IO=5A）； （ 4） 排除過(guò)流故障后，電源能自動(dòng)恢復(fù)為正常狀態(tài)； （ 5） 具有輸出電壓、電流的 測(cè)量和 數(shù)字顯示功能。 第二部分 論文正文 ： 開關(guān)電源因?yàn)槠渚哂泄男?、效率高、體積小、重量輕、穩(wěn)壓范圍寬等優(yōu)點(diǎn)日益得到廣泛的應(yīng)用。 單元模塊設(shè)計(jì) 主回路設(shè)計(jì) 主回路電路圖： 如圖所示，主回路由變壓器進(jìn)行了電氣隔離，符合題目要求 ，變壓器原邊是輸入部分，輸入電壓經(jīng)過(guò)電容濾波后到達(dá)變壓器原邊兩端，由MODFET 控制回路的導(dǎo)通和關(guān)斷，當(dāng) MOSFET 導(dǎo)通時(shí)，變壓器接受的能量除磁化電流外都傳遞到輸出端，當(dāng)其關(guān)斷時(shí)，導(dǎo)向二極管 D5 反偏而不可能有鉗位作用或能量泄放到回路，磁化能量將引起較大反壓加 在 MOSFET 集 射極之間，為防止高反壓的出現(xiàn)，設(shè)置磁復(fù)位線圈經(jīng)過(guò)二極管 D2，使存儲(chǔ)的能量反送回電源 Vin 中，變壓器副邊在 MOFET導(dǎo)通時(shí)產(chǎn)生感生電壓，經(jīng)過(guò)二極管和電容整流濾波后給負(fù)載供電，同 6 時(shí)電感儲(chǔ)存能量，當(dāng)其斷開時(shí)，電感釋放能量。 設(shè)計(jì)總結(jié) 本次設(shè)計(jì)，有一些功能，我們沒(méi)有很好的實(shí)現(xiàn)，比如我們感覺(jué)我們的輸出效率還有提高的空間，還有我們的輸出部分還不是很穩(wěn)定，我們覺(jué)得在輸出方面我們還可以進(jìn)一步改進(jìn)和提升。 通過(guò)本次設(shè)計(jì)大賽，我們學(xué)到了很多我們?cè)谡n堂上學(xué)不到的實(shí)踐能力，我們的動(dòng)手能力得到了很大的提升，我們?cè)跁舅鶎W(xué)到的知識(shí)得到了很大的實(shí)踐，讓我們書本上的知識(shí)有了更加深刻的理解。 其電路圖如下： 電路主要參數(shù)的計(jì)算及元器件的選擇 令 Vin最小時(shí)， Dmax=,?Bm=,f=82KHZ, 39。要提高輸出的效率，必須提高電源的開關(guān)頻率。 第二部分 論文正文 ............................................ 3 摘要： .................................................... 3 方案選擇：采用反擊變換器設(shè)計(jì) ............................. 4 單元模塊設(shè)計(jì) ............................................. 5 主回
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