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基于igbt的dc-ac變換器設(shè)計(jì)畢業(yè)設(shè)計(jì)論文(完整版)

  

【正文】 PNff OIclkO C nx P F C P W M ??? 2 /_ 變量 N 代表分頻因子 ( 6 256 或 1024)。測(cè)試結(jié)果見表 62 表 62 輸入頻率測(cè)試結(jié)果( 在輸入電壓為 20V的情況下) 從上面兩個(gè)表格中的數(shù)據(jù),我們可以看到,在輸入電壓為 20V,輸入頻率為 50HZ的情況下,系統(tǒng)的輸出波形與我們想得到的結(jié)果非常接近。但其中還存在著一些缺陷,比如:如果給 IGBT加的電壓過(guò)大,會(huì)導(dǎo)致 IGBT發(fā)燙,如果這種情況發(fā)生,則在本系統(tǒng)中無(wú)法處理。是實(shí)現(xiàn)理論聯(lián)系實(shí)踐,實(shí)踐推動(dòng)理論創(chuàng)新的正確方法。 DDRB = 0x0。 timers_init()。 sbi(DDRD, 4)。 OCR2 = 0x00。 OCR1A=Sin_Zheng[i]。 sbi(PORTD,GAO)。 } if(i==128) { cbi(PORTD,DI)。 //}}WIZARD_MAP(Timers) } ISR(SIG_OVERFLOW1) { // TODO: Add your code here OCR1A=Sin_Zheng[i]。 TCNT1 = 0x0000。 void timers_init(void) { //{{WIZARD_MAP(Timers) // Timer/Counter0 Clock source: System Clock // Timer/Counter0 Clock value: Stopped // Timer/Counter0 Mode: Normal // Timer/Counter0 Output: Disconnected OCR0 = 0x00。 DDRD = 0x0c。真誠(chéng)的向尊敬的導(dǎo)師致以崇高的敬意 ! 本人的論文得以完成,與所有的授課老師以及全體同學(xué)的啟發(fā)和幫助是密不可分的,在此向他們表示衷心的謝意! 特別要感謝我的家人對(duì)我學(xué)習(xí)期間的理解、支持與鼓勵(lì) ! 計(jì)算機(jī)技術(shù)和網(wǎng)絡(luò)技術(shù)日新月異地飛速發(fā)展,人們總是處在不斷學(xué)習(xí)階段,再加上作者水平有限,所以本文肯定存在不少錯(cuò)誤和不盡如人意之處,歡迎廣大老師和同學(xué)批評(píng)指正,在此深 表感謝。華東交通大學(xué)學(xué)報(bào) [J], 1999年, 16( 3), 23 [6]浣喜明,姚為正,電力電子技術(shù) [M],北京:高等教育出版社, 2020年, 104110 [7]周志敏,周紀(jì)海,開關(guān)電源實(shí)用技術(shù)設(shè)計(jì)與應(yīng)用 [M],北京:人民郵電出版社, 2020年 8月, 162181 [8]陳永真,孟麗囡,高效率開關(guān)電源設(shè)計(jì)與制作 [M], 北京:中國(guó)電力出版社, 2020年,124130 [9]陳國(guó)呈, PWM逆變技術(shù)及應(yīng)用 [M],北京:中國(guó)電力出版社, 2020年 7月, 2540 [10]劉鳳君,多電平逆變技術(shù)及其應(yīng)用 [M],北京:機(jī)械工業(yè)出版社, 2020年 4月, 202264 [11]Jai , Power Electronic Systems Theory and Design[J], BeiJing: Tsinghua University Press,2020( 8), 34 [12]王兆安,黃俊 .電力電子技術(shù) [M].北京 :機(jī) 械工業(yè)出版社 ,2020年, 150156 [13]Dudi A. 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TO PR P F C P W M 圖 52 PWM波形流程圖 工作于相頻修正 PWM模式時(shí),計(jì)數(shù)器的數(shù)值一直累加到 ICR1 (WGM13:0 = 8) 或OCR1A(WGM13:0 = 9),然后改變計(jì)數(shù)方向。 初始化完成后,則單片機(jī)就開始采集數(shù)據(jù),此數(shù)據(jù)是脈沖數(shù)據(jù),從單片機(jī)端口輸出也就是產(chǎn)生正弦波的載波信號(hào)。內(nèi)部上拉電阻的使用在鍵盤掃描的時(shí)候還要說(shuō)到。當(dāng)單片機(jī)上電時(shí),首先要對(duì)單片機(jī)的端口進(jìn)行初始化,ATMEGA16單片機(jī)與 51單片機(jī)不同, AVR端口是真正的雙向端口,不像 51偽雙向。 這樣就創(chuàng)建好了一個(gè)工程項(xiàng)目。這次我采用的是 AVR STUDIO 4進(jìn)行本系統(tǒng)的軟件設(shè)計(jì)。電感作用是抑制變頻器產(chǎn)生的高次諧波通過(guò);電容為變頻器產(chǎn)生的高次諧波提供旁路;電阻則起阻尼作用,防止或抑制諧振的產(chǎn)生。具體的控制規(guī)律如下:在輸出電壓 0u 的正半周,讓 S1保持通態(tài), S2保持?jǐn)鄳B(tài), S3和 S4交替通斷。反向偏壓應(yīng)該在- 5~- 15V之間。 9 第四章 系統(tǒng)硬件設(shè)計(jì) TLP250驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì) 典型的 IGBT柵極驅(qū)動(dòng)電路如圖 41所示。 PWM控制方式就是對(duì)逆變電路開關(guān)器件的通斷進(jìn)行控制,使輸出端得到一系列幅值相等而寬度不相等的脈沖,用這些脈沖來(lái)代替正弦波或者其他所需要的波形。 下面,我們討論一下單相全橋電壓型逆變電路。 [11] S1 S2i V1V2V3V4V D 1V D 2V D 3V D 4R LC+Ud 圖 32 換流 圖 33 單相全橋電壓型逆變電路 單相電壓型逆變電路 逆變電路根據(jù)直流側(cè)電源的性質(zhì)的不同可分為兩種:直流側(cè)是電壓源的稱為電壓型逆變電路;直流側(cè)是電流源的稱為電流型逆變電路。由電網(wǎng)提供換流電壓稱為電網(wǎng)換流。 [10] 電力器件的換流方式 圖 32 中, S S2 表示由兩個(gè)電力半導(dǎo)體器件組成的導(dǎo)電臂,電流從一個(gè)臂向另一個(gè)臂轉(zhuǎn)移的過(guò)程稱 為換流(或換相)。 S1S2RS3S4IoUo+ Ud (a) (b) 圖 31 逆變電路及其波形舉例 當(dāng)負(fù)載為電阻時(shí),負(fù)載電流 i0和電壓 u0的波形形狀相同,相位也相同。這種保護(hù)方案要求保護(hù)電路在 1- 2us內(nèi)響應(yīng)。 關(guān)斷:柵、射極間施加反壓或不加信號(hào)時(shí), MOSFET 內(nèi)的溝道消失,晶體管的基極電流被切斷, IGBT關(guān)斷。電流繼續(xù)流動(dòng),直到輸出側(cè)停止供給電流。最終構(gòu)成了完整的一個(gè)系統(tǒng),如圖 21系統(tǒng)整體框圖所示。 因此,對(duì) IGBT的保護(hù)我們也討論了兩種方案: 方案一:專門設(shè)計(jì)一電路用于保護(hù) IGBT。 3)要求控制電路和檢測(cè)電路對(duì)于電流信號(hào)的響應(yīng) 要快,一般由過(guò)電流發(fā)生到 IGBT可靠關(guān)斷應(yīng)在 10μ s以內(nèi)完成。 方案一:采用三菱驅(qū)動(dòng)模塊 M57962L。單片機(jī)算術(shù)運(yùn)算功能強(qiáng),軟件編程靈活、自由度大,可用軟件編程實(shí)現(xiàn)各種算法和邏輯控制。 [2] 基于 IGBT的 DCAC變換器的研究目的及意義 為了解決直流電能夠在任何時(shí)間及地點(diǎn)都可以轉(zhuǎn)換成交流電,能夠及時(shí)應(yīng)用于一些家電等使用交流電的儀器設(shè)備中,此變換器主要采用以 IGBT作為主要轉(zhuǎn)換元器件并采用 PWM技術(shù)提高變換器的效率,從而產(chǎn)生更加好的社會(huì)效益和經(jīng)濟(jì)效益。采用逆變技術(shù),可使所設(shè)計(jì)的電源具有許多方面的優(yōu)越性: ,我們可以控制逆變電路的工作頻率和輸出時(shí)間的比例,從而使輸出電壓或電流的頻率和幅值按照人們的意愿或設(shè)備工作的要求來(lái)靈活地變化。在設(shè)計(jì)中,我們采用 PWM逆變控制技術(shù),單片機(jī) ATMEGA16輸出 PWM波,經(jīng) TLP250驅(qū)動(dòng)模塊去驅(qū)動(dòng) IGBT為開關(guān)單元的單相電壓逆變電路。特別是不斷出現(xiàn)的各種智能化儀器儀表、個(gè)人電腦等家用電器 ,對(duì)電源質(zhì)量的要求越來(lái)越高 ,這就需要研制一種高性能的交流電源。 ,由于逆變器工作頻率高、控制速度快,對(duì)保護(hù)信號(hào)反應(yīng)快,從而增加了系統(tǒng)的可靠性。設(shè)計(jì)電路并分析其可行性,在此基礎(chǔ)上,對(duì)所涉及的變換器系統(tǒng)進(jìn)行調(diào)試。 AVR與其他單片機(jī)相比也同樣具有單片 機(jī)的一般特點(diǎn),如功耗低、體積小、技術(shù)成熟和成本低等優(yōu)點(diǎn),并且它還具有使用普遍,內(nèi)部資源豐富,外圍電路簡(jiǎn)單,價(jià)格相對(duì)低廉的優(yōu)點(diǎn)。該芯片用來(lái)驅(qū)動(dòng) IGBT模塊時(shí),優(yōu)點(diǎn)是價(jià)格低廉,使用方便,一致性和穩(wěn)定性較好。 IGBT的導(dǎo)通與關(guān)斷是由柵極電壓 UGE來(lái)控制的,當(dāng) UGE大于開啟電壓 UGE(th)時(shí) IGBT導(dǎo)通,當(dāng)柵極和發(fā)射極間施加反向或不加信號(hào)時(shí), IGBT被關(guān)斷。一般負(fù)偏置電壓選一 5V為宜。在電機(jī)控制、中頻電源、各種開關(guān)電源以及其他高速低損耗的中小功率領(lǐng)域, IGBT 有取代 GTR 和 VDMOS的趨勢(shì)。 IGBT的驅(qū)動(dòng)原理與功率 MOSFET基本相同,為場(chǎng)控器件,通斷由柵射極電壓 UGE決定。通常的做法是: ①切斷柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)。當(dāng)開關(guān) S S4閉合, S S3斷開時(shí),負(fù)載電壓 u0為正;當(dāng)開關(guān) S S4斷開, S S3 閉合時(shí), u0為負(fù),其波形如圖 31(b)所示。這時(shí)負(fù)載電流從直流電源負(fù)極流出,經(jīng) S負(fù)載和 S3流回正極,負(fù)載電感中儲(chǔ)存的能量向直流電源反饋,負(fù)載電流逐漸減小,到 t2時(shí)刻降為零,之后 i0才反向并逐漸增大。 一般來(lái)說(shuō),換流方式可分為以下幾種: (1)器件換流。設(shè)置附加的換流電路,由換流電路內(nèi)的電容提供換流電壓,稱為脈沖換流,有時(shí)也稱為強(qiáng)迫換流或電容換流。而交流側(cè)輸出電流波形和相位因負(fù)載阻抗情況的不同而不同??梢钥闯?,該 PWM波形的脈沖寬度是按正弦規(guī)律變化,稱為 SPWM波形。希望輸出的信號(hào)為調(diào)制信號(hào),把接受調(diào)制的三角波稱為載波。在任何情況下,開通時(shí)的柵極驅(qū)動(dòng)電壓,應(yīng)該在 12~ 20V之間。 3)柵極驅(qū)動(dòng)功率 IGBT要消耗來(lái)自柵極電源的功率,其功率受柵極驅(qū)動(dòng)負(fù)、正 偏置電壓的差值Δ UGE、柵極總電荷 QG 和工作頻率 fs的影響。同樣,在 0u 的負(fù)半周,讓 S2 保持通態(tài), S1保持?jǐn)鄳B(tài), S1和 S4交替通斷,負(fù)載電壓 0u 可以得到 E? 和零兩種電平。以上各量可由下式求得 ? ?)13()(33)12()/()11()/(1............122212........................................................................................................................2RULUCRIPILLIULCUcf c o H Rffo n H Rmn HRo n H Rn HR???????????????????????? 式中 UonHR為濾波前變頻器輸出電壓 n次諧波含有率; IonHR為濾波前變頻器輸出電流 n次諧波含有率; UfcoHR為濾波前載波頻率附近電壓諧波含有率。我們需要?jiǎng)?chuàng)建一個(gè)新的項(xiàng)目,點(diǎn)擊“ Create New Project”按鈕。但在設(shè)置過(guò)程中要小心謹(jǐn)慎,以免鎖死單片機(jī)。 PORTn:從 引腳輸出信號(hào),當(dāng) DDRn為 1時(shí),可以通過(guò) PORTn= x等端口操作語(yǔ)句給引腳輸出賦值。不推薦直接將未用引腳與 VCC 或 GND 連接,因?yàn)檫@樣可能會(huì)在引腳偶然作為輸出時(shí)出現(xiàn)沖擊電流。本系統(tǒng)采用相位與頻率修正 PWM模式。方框圖同時(shí)包含了普通的 PWM輸出以及反向 PWM 輸出。 OCR1x寄存器處于極值時(shí)說(shuō)明了相頻修
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