集成電路制造技術(shù)(完整版)
【正文】 O2 （ Al膜等）的粘附性及耐磨性。；n 優(yōu)點(diǎn)：分辨率高；不需光刻版（直寫式）；n 缺點(diǎn)：產(chǎn)量低（適于制備光刻版）；X射線曝光： λ ＝ 240197。n 過堅(jiān)膜：光刻膠流動(dòng)造成分辨率變差，易翹曲和剝落n 若 T300℃ ：光刻膠分解，失去抗蝕能力。表 1 影響光刻工藝效果的一些參數(shù) 分辨率 R的限制n 設(shè)一任意粒子（光子、電子），根據(jù)不確定關(guān)系，有 ΔLΔp ≥hn 粒子束動(dòng)量的最大變化為 Δp =2p，相應(yīng)地n 若 ΔL 為線寬，即為最細(xì)線寬，則n 最高分辨率 分辨率 ① 對(duì)光子： p=h/λ ，故 。秒）； n比例系數(shù)；n 光敏度 S是光刻膠對(duì)光的敏感程度的表征；n 正膠的 S大于負(fù)膠光刻膠光敏度 S 光刻膠 Photoresist(PR)光刻膠抗蝕能力n 表征光刻膠耐酸堿（或等離子體）腐蝕的程度。 接近式曝光 曝光方式n 利用光學(xué)系統(tǒng)，將光刻版的圖形 投影在硅片上。 要求：透光度高，熱膨脹系數(shù)與掩膜材料匹配。 HF:NH4F: H2O=3ml:6g:10ml (HF溶液濃度為 48％ )n HF ：腐蝕劑，216。n 特點(diǎn)：各向異性好；選擇性差。 13:11:4913:11:4913:111/28/2023 1:11:49 PMn 1以我獨(dú)沈久，愧君相見頻。 1:11:49 下午 1:11 下午 13:11:49一月 21n 沒有失敗，只有暫時(shí)停止成功！。 一月 211:11 下午 一月 2113:11January 28, 2023n 1少年十五二十時(shí)，步行奪得胡馬騎。 一月 21一月 2113:11:4913:11:49January 28, 2023n 1意志堅(jiān)強(qiáng)的人能把世界放在手中像泥塊一樣任意揉捏。 一月 211:11 下午 一月 2113:11January 28, 2023n 1業(yè)余生活要有意義，不要越軌。 1:11:49 下午 1:11 下午 13:11:49一月 21n 楊柳散和風(fēng)，青山澹吾慮。 13:11:4913:11:4913:111/28/2023 1:11:49 PMn 1成功就是日復(fù)一日那一點(diǎn)點(diǎn)小小努力的積累。 13:11:4913:11:4913:11Thursday, January 28, 2023n 1乍見翻疑夢(mèng)，相悲各問年。 Si3N4＋ F*→ SiF 4↑+N 2↑n 刻蝕速率：刻蝕速率介于 SiO2與 Si之間； （ SiN鍵強(qiáng)度介于 SiO鍵和 SiSi鍵）n 選擇性： ①CF 4： 刻蝕 Si3N4/SiO2 選擇性差； ②CHF 3：刻蝕 Si3N4/SiO2 選擇性為 24。 NH4F→NH 3↑+HF SiO2的濕法刻蝕 濕法刻蝕Si3N4的濕法腐蝕n 腐蝕液：熱 H3PO4， 180℃ ；被刻蝕材料 Si3N4 SiO2 Si刻蝕速率（nm/min） 10 1 熱 H3PO4刻蝕速率對(duì)比 濕法刻蝕n 干法刻蝕：等離子體氣體刻蝕（ Plasma Etch） n 優(yōu)點(diǎn)：n 各向異性腐蝕強(qiáng)；n 分辨率高；n 刻蝕 3μ m以下線條。 ② 乳膠版－鹵化銀乳膠 n 特點(diǎn)：分辨率低（ 23 μm ），易劃傷。n 缺點(diǎn)：光學(xué)系統(tǒng)復(fù)雜， 對(duì)物鏡成像要求高。n 負(fù)膠抗蝕能力大于正膠；n 抗蝕性與分辨率的矛盾：分辨率越高，抗蝕性越差 ；1）紫外 汞燈n gline（ 436 nm）， – 常用在 μ m光刻n iline（ 365 nm）， – 常用在 μ m光刻 光源n KrF（ 248 nm）， μ m, μ m and μ mn ArF（ 193 nm）， μ m（ 目前 32nm）n F2（ 157 nm）， –應(yīng)用 μ m2）深紫外 DUV準(zhǔn)分子激光器3）下一代光刻N(yùn)GL(Next Generation Lithography)n 極紫外 Extreme UV (EUV) lithography 波長(zhǎng)： 1014nmn X射線 XRay lithography 波長(zhǎng)： 1nmn 電子束 Electron beam (Ebeam) lithography 波長(zhǎng)： 未來技術(shù)趨勢(shì) 光源接觸式曝光n 硅片與光刻版緊密接觸。n 最高分辨率 限制 ：② 對(duì)電子、離子：具有波粒二象性（德布羅意波），則 ， n 最細(xì)線寬： a. E給定： m↑→ ΔL ↓→R↑ ，即 R離子 R電子 b. m給定： E↑→ ΔL ↓→R↑ 分辨率 衍射光投射光強(qiáng)度偏離的折射光被凸鏡收集的衍射光216。 不能。極短紫外光（ EUV）： λ ＝ 10—14nm② 下一代曝光方法 光刻工藝流程商用 Xray光刻機(jī)光刻 7－曝光后烘焙（后烘， PEB）n 烘焙溫度高于光刻膠玻璃化轉(zhuǎn)變溫度（ Tg）n 光刻膠分子發(fā)生熱運(yùn)動(dòng)n 過曝光和欠曝光的光刻膠分子發(fā)生重分布n 平衡駐波效應(yīng)，平滑光刻膠側(cè)墻，n 目的：提高分辨率 光刻工藝流程光刻膠中的駐波效應(yīng)光刻 8－顯影 (Development)n 顯影液 溶
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