【正文】 檔：上述內(nèi)容的電子稿。擴(kuò)展內(nèi)容：閏年月、溫度顯示、時(shí)間掉電保留等等其他內(nèi)容。 圖紙部分： 設(shè)計(jì)原理圖、電路圖、程序流程圖，仿真調(diào)試過(guò)程抓圖、正常工作圖片。系統(tǒng)以AT89C51單片機(jī)為控制器，以串行時(shí)鐘日歷芯片DS1302記錄日歷和時(shí)間，它可以對(duì)年、月、日、時(shí)、分、秒進(jìn)行計(jì)時(shí)，還具有閏年補(bǔ)償?shù)榷喾N功能。 二十一世紀(jì)是數(shù)字化技術(shù)高速發(fā)展的時(shí)代，而單片機(jī)在數(shù)字化高速發(fā)展的時(shí)代扮演著極為重要的角色。（5）根據(jù)設(shè)計(jì)的硬件電路，編寫控制AT89C51芯片的單片機(jī)程序。 器件的選用單片機(jī)AT89C51電容RESPACK8三個(gè)74LS164串行接口傳感器DS1302單片機(jī)自70年代問(wèn)世以來(lái)以微處理器（MPU）技術(shù)及超大規(guī)模集成電路技術(shù)的發(fā)展為先導(dǎo)，用廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域拉動(dòng)得到蓬勃發(fā)展，單片機(jī)功能正日漸完善。l Vcc：電源電壓+5Vl GND：接地l P0口：P0口是一組8位漏極開路型雙向I/O口，也即地址/數(shù)據(jù)總線復(fù)用口。l P2口：P2口是一個(gè)帶內(nèi)部上拉電阻的8位雙向I/O，P2的輸出緩沖級(jí)可驅(qū)動(dòng)（吸收或輸出電流）4個(gè)TTL邏輯門電路。作輸入端時(shí)，被外部拉低的P3口將用上拉電阻輸出電流。要注意的是：每當(dāng)訪問(wèn)外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器時(shí)將跳過(guò)一個(gè)ALE脈沖。欲使CPU僅訪問(wèn)外部程序存儲(chǔ)器（地址為0000H—FFFFH），EA端必須保持低電平（接地）。當(dāng)WDT激活后，晶振工作，WDT在每個(gè)機(jī)器周期都會(huì)增加。串行口的發(fā)送和接收操作都是通過(guò)特殊功能寄存器中的數(shù)據(jù)緩沖寄存器SBUF進(jìn)行的，但在SBUF的內(nèi)部，接收寄存器和發(fā)送寄存器在物理結(jié)構(gòu)上是完全獨(dú)立的。另一種方式由外部時(shí)鐘源提供一個(gè)時(shí)鐘信號(hào)到XTAL1端輸入，而XTAL2端浮空。的直接地址訪問(wèn)同一個(gè)存儲(chǔ)空間，高于7FH的間接地址訪問(wèn)另一個(gè)存儲(chǔ)空間。在整個(gè)中斷響應(yīng)過(guò)程中CPU所執(zhí)行的操作步驟如下：（1）完成當(dāng)前指令的操作（2）將PC內(nèi)容壓入堆棧（3）保存當(dāng)前的中斷狀態(tài)（4）阻止同級(jí)的中斷請(qǐng)求（5）將中斷程序入口地址送PC寄存器（6）執(zhí)行中斷服務(wù)程序（7）返回 8位移位寄存器74LS164（串行輸入，并行輸出）74LS164為8位移位寄存器,其主要電特性的典型值如表32：表32 74LS164主要電特性典型值型號(hào)fmPn54/7416436MHz185mW54/74LS16436 MHz80mW當(dāng)清除端（CLEAR）為低電平時(shí)，輸出端（QA－QH）均為低電平。 DS1302 是美國(guó)DALLAS公司推出的一種高性能、低功耗、帶RAM的實(shí)時(shí)時(shí)鐘電路，它可以對(duì)年、月、日、周日、時(shí)、分、秒進(jìn)行計(jì)時(shí)，具有閏年補(bǔ)償功能，～。當(dāng)Vcc2小于Vcc1時(shí)，DS1302由Vcc1供電。I/O為串行數(shù)據(jù)輸入輸出端(雙向)，后面有詳細(xì)說(shuō)明。 此外，DS1302 還有年份寄存器、控制寄存器、充電寄存器、時(shí)鐘突發(fā)寄存器及與RAM相關(guān)的寄存器等。只要占用CPU一個(gè)口線即可。 DS1302與RAM相關(guān)的寄存器分為兩類:一類是單個(gè)RAM單元，共31個(gè)，每個(gè)單元組態(tài)為一個(gè)8位的字節(jié)，其命令控制字為C0H～FDH，其中奇數(shù)為讀操作，偶數(shù)為寫操作；再一類為突發(fā)方式下的RAM寄存器，在此方式下可一次性讀、寫所有的RAM的31個(gè)字節(jié)。DS1302可以用于數(shù)據(jù)記錄，特別是對(duì)某些具有特殊意義的數(shù)據(jù)點(diǎn)的記錄，能實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)與出現(xiàn)該數(shù)據(jù)的時(shí)間同時(shí)記錄。 對(duì)電子萬(wàn)年歷的硬件電路設(shè)計(jì)通過(guò)PROTEUS ISIS軟件的VSM（虛擬仿真技術(shù)），用戶可以對(duì)模擬電路、數(shù)字電路、模數(shù)混合電路，以及基于微控制器的系統(tǒng)連同所有外圍接口電子元器件一起仿真。再用同樣的方法把ds1302放入到圖紙的合適位置。選擇，從中可以選擇電路原理中的兩個(gè)通用的端子，一個(gè)是接地，一個(gè)是電源。單擊按鈕，再單擊菜單欄中的Debug，可以在最下面選擇打開內(nèi)存觀察窗口，寄存器值觀察窗口，匯編語(yǔ)言源代碼窗口等等。本次設(shè)計(jì)的電子萬(wàn)年歷也存在的不足的地方，有待于以后的改進(jìn)。月計(jì)數(shù)RER EQU 32H 。DA4 EQU 43H 。T0BZ BIT 01H 。// LJMP WZD1// ORG 001BH 。 MOV P1,A MOV P2,A MOV P3,A MOV TMOD,20H ?？傊袛? MOV R7,9 。送到顯緩 INC R1 。調(diào)顯示輸出 CALL SJCL 。 MOVC A,A+DPTR 。十位數(shù)取出 DIV AB 。 MOV A,SER 。取段碼 MOV R0,A 。指向下一顯緩 MOV A,B 。 RETXSZC: JB XSBZ,XSC0 。 MOV A,R1 。 MOV A,K 。 MOV A,FER 。 MOV A,XQR 。 MOV A,MER 。50ms定時(shí) MOV TL0,0B0H 。UAZD1: CLR TI 。 RETIT1ZD: NOP RETIUAZD: NOP PUSH PSW PUSH ACC JNB RI,UAZD1 。 MOV MER,0 。 MOV XQR,0 。 MOV FER,0 。 MOV K,0 。 INC R1 。XSC0: CLR XSBZ 。取段碼 MOV R0,A 。 MOV A,FER 。十位數(shù)取出 DIV AB 。取段碼 MOV R0,A 。送顯緩 INC R0 。SJCL: JB BLBZ,SJCL1 。 INC DPTR 。送入09段碼 MOV R0,30H 。50ms定時(shí) MOV TL0,0B0H 。// LJMP UAZD ORG 0030HTAB1: DB 3FH,06H,5BH,4FH,66H,6DH,7DH,07H 。LED1 BIT 。DA6 EQU 45H 。時(shí)計(jì)數(shù)FER EQU 34H 。其次，我要感謝與我一次努力的同學(xué)，正是他們的存在，才讓我有了在沒(méi)有頭緒時(shí)仍能堅(jiān)持下去的決心，等到風(fēng)輕云淡，回首發(fā)現(xiàn)，那段艱辛而快樂(lè)的時(shí)光，是值得被記憶的。結(jié)論本課題從理論到實(shí)際應(yīng)用，用AT89C51單片機(jī)與8位模數(shù)轉(zhuǎn)換芯片74LS164等一些電路的組合，成功的設(shè)計(jì)出了一個(gè)電子萬(wàn)年歷。圖 56連接端子在PROTEUS 中的最終設(shè)計(jì)圖如圖57所示圖 57仿真圖最后分別對(duì)各元器件的屬性值進(jìn)行設(shè)置，單擊按鈕，進(jìn)行電氣檢測(cè)，查看接線是否合理，說(shuō)明硬件電路已經(jīng)順利的完成。在布線之前，如果覺(jué)得元器件的引腳的方向不好布線，則可以通過(guò)單擊這四個(gè)按鈕進(jìn)行調(diào)整，這四按鈕的意思分別是：順時(shí)針旋轉(zhuǎn)90176。在設(shè)計(jì)過(guò)程中也可以通過(guò)此方法調(diào)整圖紙的大小。傳統(tǒng)的數(shù)據(jù)記錄方式是隔時(shí)采樣或定時(shí)采樣，沒(méi)有具體的時(shí)間記錄，因此，只能記錄數(shù)據(jù)而無(wú)法準(zhǔn)確記錄其出現(xiàn)的時(shí)間；若采用單片機(jī)計(jì)時(shí)，一方面需要采用計(jì)數(shù)器，占用硬件資源，另一方面需要設(shè)置中斷、查詢等，同樣耗費(fèi)單片機(jī)的資源，而且，某些測(cè)控系統(tǒng)可能不允許。雖然DS1302在主電源掉電后的耗電很小，但是，如果要長(zhǎng)時(shí)間保證時(shí)鐘正常，最好選用小型充電電池。功耗低，顯示狀態(tài)時(shí)電流為2μA (典型值)，省電模式時(shí)小于1μA，～，顯示清晰。 DS1302與RAM相關(guān)的寄存器分為兩類：一類是單個(gè)RAM單元，共31個(gè)，每個(gè)單元組態(tài)為一個(gè)8位的字節(jié)，其命令控制字為C0H～FDH，其中奇數(shù)為讀操作，偶數(shù)為寫操作；另一類為突發(fā)方式下的RAM寄存器，此方式下可一次性讀寫所有的RAM的31個(gè)字節(jié)，命令控制字為FEH(寫)、FFH(讀)。 DS1302 的控制字節(jié)的最高有效位(位7)必須是邏輯1，如果它為0，則不能把數(shù)據(jù)寫入DS1302中，位6如果為0，則表示存取日歷時(shí)鐘數(shù)據(jù)，為1表