基于mosfet的單相半橋無源逆變電路的的設(shè)計論文(完整版)
【正文】 ，例如，RC阻容吸收回路、限流電感、快速熔斷器、壓敏電阻或硒堆等。（5） 保護電路的設(shè)計： 相對于電機和繼電器，接觸器等控制器而言，電力電子器件承受過電流和過電壓的能力較差，短時間的過電流和過電壓就會把器件損壞。由于光耦合器輸入輸出間互相隔離，電信號傳輸具有單向性等特點，因而具有良好的電絕緣能力和抗干擾能力?？刂齐娐穲D：（4） 驅(qū)動電路的設(shè)計： 如圖，我們采用了電氣隔離的光耦合方式。 （6）內(nèi)置軟啟動電路。振蕩器還設(shè)有外同步輸入端(腳3)。 (引腳13)：輸出級偏置電壓接入端。 (引腳9)：PWM比較器補償信號輸入端。該端接外部同步脈沖信號可實現(xiàn)與外電路同步。由于結(jié)構(gòu)上有電壓環(huán)和電流環(huán)雙環(huán)系統(tǒng)，因此，無論開關(guān)電源的電壓調(diào)整率、負載調(diào)整率和瞬態(tài)響應(yīng)特性都有提高，是目前比較理想的新型控制器。負載接在直流電源中點和兩個橋臂連接點之間。 第2階段（ωt1 ~π）：在ωt1 時同時觸發(fā)VT1和VT3，由于VT1和VT3受正向電壓而導通，有電流經(jīng)a點→VT1→R→VT3→變壓器b點形成回路。若在觸發(fā)角α處給VT1和VT4加觸發(fā)脈沖，VTVT4即導通，電流從a端經(jīng)VTR、VT4流回電源b端。掌握兩種電路的主電路，驅(qū)動電路，保護電路的設(shè)計方法，元器件參數(shù)的計算方法； 4培養(yǎng)一定的電力電子的實驗和調(diào)試能力； 5當u2為零時，流經(jīng)晶閘管的電流也降到零，VT1和VT4關(guān)斷。在這段區(qū)間里，ud=u2，id=iVT1=iVT3=ud/R。開關(guān)器件設(shè)為V1和V2，當負載為感性時，輸出為矩形波，Um=Ud/2.剛開始V1為通態(tài)，V2為斷態(tài)，給V1關(guān)斷信號，V2開通信號后，V1關(guān)斷，但由于感性負載，電流方向不能立即改變，就沿著VD2續(xù)流，直到電流為零時VD2截止，V2開通，電流開始反向。 SG3525的結(jié)構(gòu)和工作原理: (引腳1)：誤差放大器反向輸入端。 (引腳4)：振蕩器輸出端。在該端與引腳2之間接入不同類型的反饋網(wǎng)絡(luò)，可以構(gòu)成比例、比例積分和積分等類型調(diào)節(jié)器。 B（引腳14）：輸出端B。腳1 及腳2 分別為芯片內(nèi)誤差放大器的反相輸入端、同相輸入端。 （7）具有輸入欠電壓鎖定功能。光耦合器（optical coupler，英文縮寫為OC）亦稱光電隔離器，簡稱光耦。又由于光耦合器的輸入端屬于電流型工作的低阻元件，因而具有很強的共模抑制能力。但又不能完全根據(jù)裝置運行時可能出現(xiàn)的暫時過電流和過電壓的數(shù)值來確定器件參數(shù)，必須充分發(fā)揮器件應(yīng)有的過載能力。我們這次的課程設(shè)計采用的是第二種保護電路。3）快熔的值應(yīng)小于被保護器件的允許值、4）為保證熔體在正常過載情況下不熔化，應(yīng)考慮其時間電流特性。,交流耐壓為165V，在設(shè)計中我們?nèi)‰娙轂?μF，電阻值為13Ω。兩組輪流導通，變壓器二次電流是正、負對稱的方波，電流的平均值和有效值相等，其波形系數(shù)為1。和規(guī)定的冷卻條件下，元件在電阻性負載流過正弦半波、導通角不小于170176。晶閘管承受最大電壓為考慮到2倍裕量，取400V.晶閘管的選擇原則：Ⅰ所選晶閘管電流有效值ITn 大于元件 在電路中可能流過的最大電流有效值。⑤ 門極觸發(fā)電流Ig 。2)變壓器的選取根據(jù)參數(shù)計算可知:變壓器應(yīng)選變比為2,然后點擊啟動仿真按鈕，則開始仿真，雙擊顯示模塊（scope）就能顯示其信號波形。因為保護電路和觸發(fā)電路的種類較多，因此要選擇一個適合本課題的電路就比較難。 感謝在這次課程設(shè)計過程中幫助我的老師和同學。 整流電路的設(shè)計方法多種多樣，且根據(jù)負載的不同，又可以設(shè)計出很多不同的電路。性能指標分析整流電路的性能常用兩個技術(shù)指標來衡量：一個是反映轉(zhuǎn)換關(guān)系的用整流輸出電壓的平均值表示；另一個是反映輸出直流電壓平滑程度的，稱為紋波系數(shù)。⑥ 斷態(tài)電壓臨界上升率du/dt。即ITn ＝(AV) ＝（～2）ITM （213） 因為,則晶閘管的額定電流為=10A(輸出電流的有效值為最小值，所以該額定電流也為最小值)考慮到2倍裕量,.在本次設(shè)計中我選用4個KP204的晶閘管.Ⅲ、 若散熱條件不符合規(guī)定要求時，則元件的額定電流應(yīng)降低使用。將此電流按晶閘管標準電流取相近的電流等級即為晶閘管的額定電流。VT1和VT2反向截止時漏電流為零，只要另一組晶閘管導通，也就把整 個電壓加到VT1或VT2上，故兩個晶閘管承受的最大反向電壓也為。其有效辦法是在晶閘管的陽極回路串聯(lián)入電感。晶閘管變流裝置的過電壓保護電力電子裝置中可能發(fā)生的過電壓分為外因過電壓和內(nèi)因過電壓兩類?？捎米鬟^電流保護電路的主要有快速熔斷器，直流快速熔斷器和過電流繼電器等。主電路的過電壓保護設(shè)計所謂過壓保護，即指流過晶閘管兩端的電壓值超過晶閘
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