【正文】 入式CPU，完成了具有自主知識產(chǎn)權(quán)的CCore(含蘇州國芯C*Core和杭州中天CKCore)系列嵌入式CPU，性能與當(dāng)時國際先進的同類嵌入式CPU相當(dāng)。另一方面，中科龍芯在科技部的安排和部署下，與歐洲的意法半導(dǎo)體公司合作，在“十五”期間取得的“龍芯2E”技術(shù)成果上，通過質(zhì)量、成本和成熟度等的優(yōu)化設(shè)計，研制了首款龍芯系列的CPU產(chǎn)品“龍芯2F”，隨后又對“龍芯3A”進行了產(chǎn)品化?！　　　　　〈送?，“申威1600”還成功應(yīng)用于國產(chǎn)服務(wù)器、桌面終端、千兆防火墻、工控機等產(chǎn)品中，部分產(chǎn)品已在國家核心部門和重點項目中進行了重要示范應(yīng)用。該處理器已通過測試和系統(tǒng)驗證。該中心積極響應(yīng)國家“自主可控、自主創(chuàng)新”的總體戰(zhàn)略要求，堅持“全定制自主設(shè)計、全流程可控生產(chǎn)”的技術(shù)路線，積極承擔(dān)國家重大科研攻關(guān)項目，不斷提升科研創(chuàng)新能力、突破高性能CPU研制關(guān)鍵技術(shù)，瞄準(zhǔn)高性能計算和信息安全應(yīng)用需求，立足國內(nèi)條件，深度研發(fā)國產(chǎn)高性能CPU。集成電路設(shè)計企業(yè)在新興產(chǎn)品的開發(fā)上扮演著關(guān)鍵作用。全國集成電路設(shè)計、制造和封裝產(chǎn)業(yè)90%以上的銷售收入集中于以上三個地區(qū)?！　　　⌒率兰o(jì)以來，我國的集成電路科技與產(chǎn)業(yè)在國務(wù)院國發(fā)2000（18號）文件和各級地方政府的持續(xù)支持下，獲得了長足進步，取得了一系列重要成果：　?。ㄒ唬┘呻娐樊a(chǎn)業(yè)鏈格局日漸完善　　　　中國集成電路產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)逐步由小而全的綜合制造模式逐步走向設(shè)計、制造、封裝測試三業(yè)并舉，各自相對獨立發(fā)展的格局。為扭轉(zhuǎn)這一局面，加大集成電路專業(yè)人才的培養(yǎng)力度，2003年國務(wù)院科教領(lǐng)導(dǎo)小組批準(zhǔn)實施國家科技重大專項——集成電路與軟件重大專項，并實施了“國家集成電路人才培養(yǎng)基地”計劃。在超級計算機用高性能CPU領(lǐng)域，我國實現(xiàn)了從無到有的重大歷史跨越?！　　　　　　　?010年，該中心在國家“核高基”科技重大專項“高性能多核CPU研發(fā)與應(yīng)用”課題支持下，成功研制出第二代具有自主知識產(chǎn)權(quán)的國產(chǎn)16核處理器——“申威1600”。其中，“申威1”處理器于2008年實現(xiàn)批量生產(chǎn)并全部應(yīng)用于國產(chǎn)百萬億次計算機系統(tǒng)；“申威1600”處理器于2010年開始批量生產(chǎn)并于2011年應(yīng)用于科技部超級計算（濟南）中心“神威藍光”高性能計算機系統(tǒng)中?！　　笆晃濉逼陂g，自主CPU技術(shù)水平進一步提高，并進行了從實驗室樣品到面向市場的產(chǎn)品的有益嘗試。在此基礎(chǔ)上，國家有關(guān)部門下決心在部分重要領(lǐng)域大力推廣自主可控軟硬件系統(tǒng)的應(yīng)用。于此同時，相關(guān)單位還研制成功了基于C*300、CK500和CK600系列嵌入式CPU的SoC應(yīng)用開發(fā)平臺，完善與優(yōu)化了C*300、CK500和CK600系列嵌入式CPU的應(yīng)用環(huán)境，推動了產(chǎn)業(yè)化進程。CK600的微體系結(jié)構(gòu)包括：RISC體系架構(gòu)；16比特指令，32比特地址與數(shù)據(jù)通路；8級流水線，雙發(fā)射架構(gòu)；2個ALU，2個Shifter，1個MAD和1個LSU；哈佛結(jié)構(gòu)兩路組相連指令和數(shù)據(jù)Cache；兩級轉(zhuǎn)移預(yù)測，2Kb分支歷史表（BHT）；非阻塞指令發(fā)射和數(shù)據(jù)Cache訪問機制；數(shù)據(jù)Cache寫回和寫通動態(tài)可配置；亂序隨機執(zhí)行和硬件保留棧；返回地址預(yù)測，4入口硬件返回地址棧；內(nèi)部雙通用數(shù)據(jù)總線（CDB）；數(shù)據(jù)寬度可配置的AHB/AXI內(nèi)部總線接口（32/64/128）；可擴展的協(xié)處理器接口；CPU性能：。面向嵌入式系統(tǒng)產(chǎn)品設(shè)計的自主創(chuàng)新指令集CPU，將為我國自主創(chuàng)新指令集CPU參與國際競爭開創(chuàng)新的局面。CK803采取取指、解碼、執(zhí)行回寫3級流水線。CK802處理器采用2級流水線結(jié)構(gòu)?！　。ǘ┑谌苿油ㄐ判酒　〗陙恚谖覈萍脊ぷ髡邎猿植恍傅墓餐ο?，我國的通信集成電路技術(shù)和產(chǎn)業(yè)取得了長足的進步。美國著名的新思科技公司（SynopsysInc）宣布COMIPTM入選該公司“GreatChip”全球宣傳計劃。在充分研究TDHSUPA標(biāo)準(zhǔn)前提下，設(shè)計了HSUPA傳輸流程的軟硬件實現(xiàn)，并建立算法模型進行仿真以保證其性能?！　∫恢币詠?，終端都是制約我國自主第三代移動通信TDSCDMA發(fā)展的瓶頸。　　2002年國家“十五”863計劃設(shè)立超大規(guī)模集成電路設(shè)計重大專項，明確支持符合國家標(biāo)準(zhǔn)的高清晰度電視和數(shù)字音視頻集成電路的開發(fā)。同年7月，國際電信聯(lián)盟ITUT發(fā)布《ITUTechnicalPaperHSTPMCTBMediacodingtoolboxforIPTV:Audioandvideocodecs》，將AVS、。AVS芯片開發(fā)商也有20多家（我國大陸9家、臺灣4家，美、歐、日、韓共10家），其中杭州國芯科技股份有限公司和北京海爾集成電路有限公司均已實現(xiàn)了大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化，并已形成系列產(chǎn)品。經(jīng)過2年多的努力，山東華芯半導(dǎo)體公司推出了DDR2產(chǎn)品，經(jīng)過測試完全達到了奇夢達產(chǎn)品的質(zhì)量和性能，開始進入市場，產(chǎn)品銷往國內(nèi)和歐洲市場。　　山東華芯的DDR2產(chǎn)品主要面向計算機、服務(wù)器等主流應(yīng)用，在計算機、服務(wù)器等領(lǐng)域取得了重要進展。鑒于以SIM卡為代表的電信智能卡在信息安全、國民經(jīng)濟發(fā)展、個人隱私保護和金融安全等方面的關(guān)鍵作用，中央政府高度重視并設(shè)立了包括移動通信專項、產(chǎn)業(yè)研發(fā)資金、國家科技計劃和國家科技重大專項等一系列科技和產(chǎn)業(yè)化項目，支持自主電信智能卡的科技攻關(guān)和產(chǎn)業(yè)化。華虹NEC已經(jīng)成為世界上最有影響力、最有優(yōu)勢的智能卡芯片制造商。采用閃存實現(xiàn)的智能卡芯片盡管提供了COS和數(shù)據(jù)的后期寫入，防止了COS代碼和數(shù)據(jù)的前期泄露，但是對閃存的可靠性要求大幅度提高。在硬件方面，以閃存取代了ROM和EEPROM，為智能卡程序代碼的在線修改和升級提供了可能。經(jīng)過大規(guī)模生產(chǎn)的檢驗，證明了工藝平臺的先進性；　　。基于閃存的智能卡技術(shù)也被國際大廠所采用，德國的英飛凌，美國的愛特梅爾，日本的瑞薩半導(dǎo)體和韓國的三星公司均采用這項技術(shù)生產(chǎn)智能卡芯片?！　⌒?lián)Q發(fā)的居民身份證則采用新的實現(xiàn)技術(shù)和新的制作工藝，縮短證件制發(fā)周期；在原有視讀功能的基礎(chǔ)上，增加機讀功能；采用較先進的防偽措施，提高證件的防偽特性；同時，作為國家法定證件和公民身份號碼的載體，為適應(yīng)國家現(xiàn)代化和信息化建設(shè)的發(fā)展趨勢，證件還應(yīng)具備機器閱讀檢驗和計算機聯(lián)網(wǎng)查詢的功能。中芯國際公司12英寸生產(chǎn)線的建成，標(biāo)志著我國芯片制造業(yè)水平跨入世界先進行列，其28nm量產(chǎn)工藝預(yù)計在2013年能夠初步完成?！　?. 在90nm大生產(chǎn)工藝模塊及其集成技術(shù)方面：基于中芯國際的大生產(chǎn)工藝平臺，針對90nm大生產(chǎn)工藝模塊和集成技術(shù)開發(fā)需要解決的關(guān)鍵技術(shù)問題展開研發(fā)，重點攻克了如下的主要技術(shù)難題：①多晶硅柵圖形的加工工藝?！　?. 在適于9065nm技術(shù)的器件模型和參數(shù)提取及驗證技術(shù)方面：以企業(yè)先進工藝平臺為基礎(chǔ)，針對特定的產(chǎn)品和技術(shù)需要，在綜合考慮二維量子力學(xué)效應(yīng)、橫向非均勻摻雜、應(yīng)力影響等新的物理效應(yīng)、工藝和器件結(jié)構(gòu)特征的基礎(chǔ)上，研究開發(fā)了適于多種器件結(jié)構(gòu)的模型和模擬方法，以及相應(yīng)的參數(shù)提取和模型驗證技術(shù)?！　　　　　?50納米柵線條的SEM照片 8層低K/Cu互連結(jié)構(gòu)照片　　為了進一步推動我國集成電路制造產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，提升我國集成電路制造裝備、工藝及材料技術(shù)的自主創(chuàng)新能力，在《國家中長期科學(xué)和技術(shù)發(fā)展綱要（2006－2020年）》中確立了“極大規(guī)模集成電路制造技術(shù)及成套工藝”國家科技重大專項（簡稱“02”專項），在02專項中，已經(jīng)布局了65納米、45納米、32－28納米等先進成套集成電路制造工藝技術(shù)開發(fā)，可以預(yù)見，我國在極大規(guī)模集成電路制造方面一定會取得更新、更大的成就?；谠摴に嚻脚_，中芯國際和北京大學(xué)合作完成了上海市科技興市項目支持的90nm通用技術(shù)的開發(fā)；芯慧同用公司利用該大生產(chǎn)工藝平臺，進行一些90nm關(guān)鍵結(jié)構(gòu)標(biāo)準(zhǔn)單元和IP庫的開發(fā)建設(shè)；北方微電子的100nm高密度等離子體刻蝕機、中科信的大傾角離子注入機、七星華創(chuàng)的CVD和退火高溫爐管、有研硅股的12英寸大直徑硅片材料等都利用該平臺進行了相應(yīng)的應(yīng)用驗證，這對我國先進集成電路工藝設(shè)備和材料技術(shù)的開發(fā)應(yīng)用是具有重要的推動作用?！　?．射頻集成電路制造工藝方面：　?。?）提出了以局部介質(zhì)增厚技術(shù)提高電感性能的新方法?！　。骸　。?）清華大學(xué)和中芯國際（上海），其主要技術(shù)特點為：，共28層光刻版。上述理論及技術(shù)與傳統(tǒng)“表面場優(yōu)化”技術(shù)相對應(yīng)，稱之為“體內(nèi)場優(yōu)化”技術(shù)；　　（7）基于背柵場控效應(yīng)，降低SOI橫向高壓器件體內(nèi)高場區(qū)電場，提高體內(nèi)低場區(qū)電場，以優(yōu)化體內(nèi)場分布，突破習(xí)用結(jié)構(gòu)的縱向耐壓限制，提高SOI橫向高壓器件的擊穿電壓；　?。?）基于體內(nèi)場優(yōu)化理論，提出場氧注入IFO（ImplantationafterFieldOxide）技術(shù)，解決薄層SOI高壓器件穿通擊穿難題；　?。?）發(fā)明了系列高壓半導(dǎo)體器件新結(jié)構(gòu)和功率集成電路產(chǎn)品。目前，國內(nèi)外資IDM型封裝測試企業(yè)主要封測自己的產(chǎn)品，OEM型企業(yè)所接訂單多為中高端產(chǎn)品；而內(nèi)資封裝測試企業(yè)的產(chǎn)品已由DIP、SOP等傳統(tǒng)低端產(chǎn)品向QFP、QFN/DFN、BGA、CSP等中高端產(chǎn)品發(fā)展，而且中高端產(chǎn)品的產(chǎn)量與規(guī)模不斷提升。通富微電、長電科技等企業(yè)在多圈陣列四邊無引腳封測、高密度BUMP、雙層線路WLCSP，多芯片封裝（MCP）等技術(shù)領(lǐng)域取得了新的成果，部分產(chǎn)品已開始量產(chǎn)。作為一項先進的系統(tǒng)集成和封裝技術(shù)，SiP具有一系列獨特的技術(shù)優(yōu)勢，滿足了當(dāng)今電子產(chǎn)品高性能、多功能以及更輕、更小和更薄的發(fā)展需求，具有廣闊的應(yīng)用市場和發(fā)展前景。華為、中興、聯(lián)想等終端產(chǎn)品企業(yè)產(chǎn)品定位在國際一線市場，對SiP技術(shù)的需求一直跟隨國際最新的發(fā)展趨勢，在國內(nèi)是最先進行技術(shù)研究和產(chǎn)品嘗試的企業(yè)；國民技術(shù)、展訊通訊、中星微電子等企業(yè)產(chǎn)品定位在國內(nèi)中低端市場，更多借用國外量產(chǎn)技術(shù)進行二次創(chuàng)新的方式來完成積累，技術(shù)方向主要由本土市場來驅(qū)動?！　鴥?nèi)在先進封裝技術(shù)方面的研究工作有多年的歷史，在封裝材料界面機理、封裝工藝過程和裝備原理等方面多家研究所和大學(xué)都開展過多方面的工作。中科院微電子所組織國內(nèi)相關(guān)的企業(yè)和研究機構(gòu)，成立了針對TSV技術(shù)的聯(lián)合攻關(guān)體，更多的研究機構(gòu)（上海交通大學(xué)、浙江大學(xué)、中國科技大學(xué)、哈爾濱工業(yè)大學(xué)、北京工業(yè)大學(xué)、西安電子科技大學(xué)等）也加入到系統(tǒng)級封裝的研究中。在系統(tǒng)級封裝領(lǐng)域主要的研究力量包括中科院微電子所、中科院微系統(tǒng)所、清華大學(xué)、北京大學(xué)、復(fù)旦大學(xué)、華中科技大學(xué)、上海交通大學(xué)、中電13所等機構(gòu)?！　￠L電科技/長電先進、南通富士通（通富微電）、天水華天等企業(yè)均在系統(tǒng)級封裝及測試領(lǐng)域展開了研發(fā)。國內(nèi)的研究機構(gòu)在多年堅持跟蹤國際研究動態(tài)的基礎(chǔ)上，結(jié)合國內(nèi)產(chǎn)業(yè)的現(xiàn)狀，在緊密聯(lián)系產(chǎn)業(yè)界的同時，也提出了在SiP技術(shù)領(lǐng)域的研究方向。　　 　　當(dāng)前，在工藝技術(shù)發(fā)展和電子系統(tǒng)需求的雙重驅(qū)動下，系統(tǒng)級封裝（SiP，SysteminPackage）成為未來封裝技術(shù)和系統(tǒng)集成的主流技術(shù)路線之一，國際半導(dǎo)體技術(shù)藍圖（ITRS）2003年即明確將SiP列為了半導(dǎo)體技術(shù)的重要發(fā)展趨勢?！　　　【头庋b形式來講，國內(nèi)市場仍以SOP（SSOP、TSOP）、QFP（LQFP、TQFP）等中低端產(chǎn)品為主，但隨著平板電視、信息家電和3G手機等消費及通信領(lǐng)域技術(shù)的迅猛發(fā)展，國內(nèi)集成電路市場對中高端電路產(chǎn)品的需求不斷增加，集成電路設(shè)計公司和整機廠對MCM（MCP）、QFN/DFN、BGA、CSP、3D、SiP、WLP和FC等中高端封裝技術(shù)產(chǎn)品的需求明顯增強。以2010年統(tǒng)計數(shù)據(jù)為例，%，在集成電路設(shè)計、芯片制造和封裝測試三大產(chǎn)業(yè)中，封裝測試業(yè)的規(guī)模仍然保持最大，%。該工藝技術(shù)具有單元面積小、工藝簡單、成本低、讀取速度高、可靠性好、適宜更小線寬工藝兼容等優(yōu)點；　　（2），聯(lián)合承擔(dān)單位合作成功開發(fā)出4M位SONOS存儲器IP硬核（THESM040M）。該方法步驟簡單，完全兼容于CMOS工藝，能有效增加電感的品質(zhì)因數(shù)及諧振頻率；　　（2）提出了超厚鋁的高精度刻蝕新方法?！　⊥苿恿宋覈?30nm65nm技術(shù)設(shè)計、開發(fā)高端集成電路產(chǎn)品的推廣和應(yīng)用?！　?. 中芯國際在其12英寸大生產(chǎn)工藝線完成了90nm和65nm低功耗邏輯電路量產(chǎn)技術(shù)的開發(fā)，其中，90nm技術(shù)已于2005年底正式開始為客戶提供量產(chǎn)代工服務(wù)，代工服務(wù)的產(chǎn)品涵蓋了用于移動電子產(chǎn)品DSP芯片、數(shù)字電視芯片、手機應(yīng)用芯片等各種電路芯片?！　?. 在適于9065nm技術(shù)的器件和電路可靠性模型和評測技術(shù)方面：基于中芯國際90nm大生產(chǎn)工藝平臺，系統(tǒng)研究了工藝條件、器件尺寸和結(jié)構(gòu)、應(yīng)力條件、電路工作模式等對器件失效模式的影響，發(fā)現(xiàn)了諸如活力空穴增強pMOS器件的NBTI退化、SiH鍵釋放的H原子在SiON介質(zhì)層的擴散具有耗散輸運等新機制以及MOS器件性能退化與電路工作頻率相關(guān)等新規(guī)律，這對器件可靠性的正確評估和大生產(chǎn)工藝的優(yōu)化選擇提供了堅實的理論基礎(chǔ)；以此為基礎(chǔ)，得到接近于實際工藝的CMOS器件和電路重要失效模式和模型，開發(fā)建立了適于90nm65nm技術(shù)的可靠性模型和評測平臺，在中芯國際大生產(chǎn)工藝技術(shù)中得到應(yīng)用。采用了爐退火氧化技術(shù)制作SiO2薄膜層，然后進行等離子體氮化和高溫?zé)崽幚淼男滦蜄叛趸瘜又苽浼夹g(shù)，成功開發(fā)出等效氧化