【正文】 ，結(jié)果表明，與有機(jī)胺光干擾劑比較，納米氧化鋅在防光降解方面具有明顯的優(yōu)越性[9]。在最新的實(shí)驗(yàn)中，機(jī)械能來自于研究人員對(duì)位于兩個(gè)手指之間的一臺(tái)納米發(fā)電機(jī)的按壓動(dòng)作。當(dāng)外力去掉后，它又會(huì)恢復(fù)到不帶電的狀態(tài)，這種現(xiàn)象稱為正壓電效應(yīng)。 納米壓電發(fā)電機(jī)基本原理 基于氧化鋅納米線的壓電壓電式發(fā)電機(jī)原理，在AFM針尖橫向力的作用下，ZnO納米棒發(fā)生彎曲形變，由于ZnO 納米棒單晶的非對(duì)稱中心結(jié)構(gòu)使其具有壓電性能，由形變產(chǎn)生壓電電場(chǎng)，從而驅(qū)動(dòng)外電路電子流動(dòng)而達(dá)到發(fā)電的目的。以上這些壓電式納米發(fā)電器件，都是利用肖特基結(jié)的整流效應(yīng)來產(chǎn)生單向的電流輸出，而異質(zhì)結(jié)的整流效應(yīng)在直流壓電式納米發(fā)電器件中的應(yīng)用則未見報(bào)道。當(dāng)Au電極接觸到ZnO 納米棒的正電勢(shì)區(qū)域時(shí)，肖特基結(jié)反偏，阻止了電子在接觸界面的傳輸。因此，在超聲程中，一直能夠探測(cè)到穩(wěn)定和連續(xù)的輸出信號(hào)。（1）異質(zhì)結(jié)直流壓電式納米發(fā)電器件的制作 作為器件上電極的硅片表面采用微電化學(xué)催化腐蝕法修飾，使表面均勻分布大量的凹凸結(jié)構(gòu)，有利于與ZnO 納米棒陣列的有效接觸。該結(jié)構(gòu)具體描述如下：在整齊性較好的ZnO納米線陣列上方設(shè)有下表面高低不平且覆蓋有Pt材料的硅電極。此結(jié)構(gòu)裝置可廣泛用于流體發(fā)電和一些旋轉(zhuǎn)動(dòng)力的場(chǎng)合。 CVD方法制備的ZnO納米棒陣列的SEM圖MOCVD是制備ZnO 薄膜的一種重要方法。此法可以通過調(diào)節(jié)晶種層的織構(gòu)來有效控制一維晶體生長(zhǎng)的形態(tài)和取向，被公認(rèn)為是制備高度有序的ZnO納米棒陣列的最有效方法之一。 低溫水熱法制備ZnO納米棒陣列的流程圖 低溫水熱法生長(zhǎng)ZnO納米棒陣列SEM圖此外，制備一維 ZnO 納米材料的方法，還有磁控濺射法[31]、脈沖激光沉積法（PLD）[32]、熱蒸發(fā)法[33]、分子束外延法（MBE）[34]、溶膠—凝膠法[35]等。雖然半波和全波整流電路能把交流轉(zhuǎn)變?yōu)橹绷?，但是直流電壓?huì)隨著二極管的正向壓降而變小，從而影響電能的轉(zhuǎn)化效率。該芯片的開關(guān)電流不但可以選擇，而且在低電流的應(yīng)用場(chǎng)合能夠使用極小的外部電感。 三倍壓整流電路在開始的幾個(gè)周期內(nèi)C3上充電電壓并不能真正充至3U1，在經(jīng)過幾個(gè)周期之后在C3上累積就可以輸出直流電壓Usc≈3U1，從而在負(fù)載兩端得到近似三倍壓的整流電壓。但是普通電容容量很小，其存儲(chǔ)的電量不足以形成一個(gè)穩(wěn)定的電源為監(jiān)測(cè)系統(tǒng)供電。鋰電池具有能量密度高、生命周期長(zhǎng)和容量保持性好的特點(diǎn)，適合作為第二級(jí)的能量存儲(chǔ)。不過，可以肯定的是，這必將是未來微系統(tǒng)發(fā)展的重要技術(shù)趨勢(shì)。該智能塵埃的通信距離達(dá)到20米，連續(xù)工作時(shí)間為1周，如果以1%的工作休眠比計(jì)，工作時(shí)間可長(zhǎng)達(dá)2年之久。通過新的換能器設(shè)計(jì)、新材料的應(yīng)用及新穎的調(diào)理電路和能量存儲(chǔ)方法的應(yīng)用會(huì)提高轉(zhuǎn)換能量和功率。提出了壓電發(fā)電能量的儲(chǔ)存方法。通過大量的查找與閱讀資料，作者覺得與本文有關(guān)且有必要繼續(xù)開展的研究工作有：（1）提高壓電式納米發(fā)電器件的輸出功率和使用壽命。 OPTOELECTRONIC TECHNOLOGY. 2009,7(6)[19] ROUNDY S. Energy scavenging for wireless sensor nodes with afocus on vibration to electricity conversion[D]. California: University of California at Berkeley, 2003.[20] TORAH R, GLYNNEJONES P, TUDOR M, et al. Selfpowered autonomous wireless sensor node using vibration energy harvesting[J].Measurement Science and Technology, 2008, 19:125202.[21] Xudong Wang, Jinhui Song, Jin Liu, Zhong Lin Wang. DirectCurrent Nanogenerator Driven by Ultrasonic Waves. Science. 316,102(2007): 102105.[22] Wang Z L. Selfassembled nanoarchite ctures of polar nanobelts/nanowires [J].Jurnal of Materials Chemistry. 2005, 15: 10211024.[23] Wang Z L. Nanostructure of zinc oxide [J]. Materi als Today. 2004, 7(6): 2633.[24] SchmidtMende L, M acmanusDriscoll J L. ZnO – nanostructures, defects,and devices [J]. Materials Today. 2007, 10(5): 4048.[25] Huang M H, Mao S, Feick H, et al. Roomtemperature ultraviolet nanowire nanolasers [J]. Science. 2001, 292(8): 1897 1899[26] Lee W, Jeong M, Myoung J. Fabricat ion and application potential of ZnO nanowires grown on GaAs(002) substrates by metal–organic chemical vapour deposition [J]. Nanotechnology. 2004, 15(3): 245249. [27] Jeong M, Oh B, Lee W, et al. Comp arative study on the growth characteristics of ZnO nanowires andthin films by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVOD) [J]. Journal of Crystal Growth. 2004, 268: 149154.[28] Vayssieres L, Keis K, Lindquist S, et al. PurposeBuilt Anisotropic Metal Oxide Material: 3D Highly Oriented Microrod Array of ZnO [J]. J. Phys. Chem. , 105(17): 33503352.[29] Vayssieres L. Growth of Arraye d Nanorods and Nanowires of ZnO from Aqueous Solution [J]. Advanced Materials. 2003, 15(5): 464466.[30] 孟阿蘭, 藺玉勝, 王光信. ZnO 納米線的電化學(xué)制備研究[J]. 無機(jī)化學(xué)學(xué)報(bào). 2005, 21(4): 583587.[31] Chiou W, Wu W, Ting J. Growth of single crystal ZnO nanowires using sputter deposition [J]. Diamond and Related Materials. 2003, 12: 18411844. [32] Liu Z W, Ong C K, Yu T, et al . Catalystfree pulsedlaserdeposited ZnO nanorods and their roomtemperature photolumin escence properties [J]. Applied Physics Letters. 2006, 88(05): 53110. [33] Ham H, Shen G, Cho J H, et al. Vertically ali gned ZnO nanowires produced by a catalystfree thermal evaporation method and their field emission properties [J]. Chemical Physics Letters. 2005, 40(4): 6973. [34] Heo Y W, Varadarajan V, Kaufman M, et al. Sitespecific growth of Zno nanorods using catalysisdriven molecular beam epitaxy [J]. Applied Physics Letters. 2002, 81(6): 30463048. [35] Bae C H, ParkS M, Ahn S, et al. Sol–gel synthesis of sub50 nm ZnO nowires on pulse laser deposited ZnO thin films [J]. Applied Surface Science. 2006, 253: 17581761.[36] 王曉峰, 孔祥華, 劉國(guó)慶等. 新型化學(xué)儲(chǔ)能器件[J]. 電化學(xué)電容. 化學(xué)世界. 2001, 42(2): 103108[37] 王軍龍. 基于壓電材料的振動(dòng)發(fā)電裝置的研究. 江蘇大學(xué)碩士學(xué)位論文，2010.[38] NAJAFI K Lowpower micromachined microsystems 2000.[39] PFEIFER K B, LEMING S K, RUMPF A N. Embedded selfpowered microsensors for monito