單相交流調(diào)壓電路課程設(shè)計(jì)(完整版)
【正文】 電流稍大一些，一般應(yīng)為其正常電流平均值的 倍。而且 VBO 和 VRB 值隨電壓的重復(fù)施加而變小。圖中的 2 個(gè)晶閘管也可以用一個(gè)雙向晶閘管代替。當(dāng)電源電壓U2正半周開始時(shí)刻觸發(fā)VT1，負(fù)半周開始時(shí)刻觸發(fā)VT2，形同一個(gè)無觸點(diǎn)開關(guān)。 單相交流調(diào)壓電路的設(shè)計(jì) 1單相交流調(diào)壓電路的設(shè)計(jì)1 單相交流調(diào)壓電路設(shè)計(jì)任務(wù)及設(shè)計(jì)目的 ................................2 電路設(shè)計(jì)任務(wù) ....................................................2 電路設(shè)計(jì)目的 ....................................................2 主電路的原理分析 ................................................2 主電路器件的選擇 ................................................22 設(shè)計(jì)方案及選擇 ....................................................43 單相交流調(diào)壓電路的設(shè)計(jì) ............................................5 主電路的設(shè)計(jì) ....................................................5 控制電路的設(shè)計(jì) ..................................................6 觸發(fā)信號(hào)的種類 ................................................6 觸發(fā)電路設(shè)計(jì) ..................................................6 總的電路圖 ....................................................74 單相交流調(diào)壓電路仿真結(jié)果及結(jié)果分析 ................................8 仿真結(jié)果 ........................................................8 結(jié)果分析 .......................................................115 單相交流電壓電路設(shè)計(jì)總電路圖 .....................................12總 結(jié) ...........................................................13參考文獻(xiàn) ...........................................................14 單相交流調(diào)壓電路的設(shè)計(jì) 21 單相交流調(diào)壓電路設(shè)計(jì)任務(wù)及設(shè)計(jì)目的 電路設(shè)計(jì)任務(wù)1 進(jìn)行設(shè)計(jì)方案的比較，并選定設(shè)計(jì)方案。若正、負(fù)半周以同樣的移相角α觸發(fā)VT1和VT2，則負(fù)載電壓有效值隨α角而改變，實(shí)現(xiàn)了交流調(diào)壓。在交流電源 u1 的正半周和負(fù)半周，分別對(duì) 2 個(gè)晶閘管的移相控制角進(jìn)行控制就可以調(diào)節(jié)輸出電壓。在感性負(fù)載的情況下，如磁選設(shè)備的整流裝置?！ ? 選擇門極(控制級(jí)) 參數(shù) 可控硅門極施加控制信號(hào)使它由阻斷變成導(dǎo)通需經(jīng)歷一段時(shí)間，這段時(shí)問稱開通時(shí)間 tgt，它是由延遲時(shí)間 td 和上升時(shí)間 tx 組成，tr 是從門極電流脈沖前沿的某一規(guī)定起(比如門極電流上升到終值的 90％時(shí)起)到通態(tài)陽極電流 IA 達(dá)到終值的 10％那瞬為止的時(shí)間隔，tr 是陽極電流從 l0％上升到 90％所經(jīng)歷的時(shí)間。在磁選礦設(shè)備中，特別是舊的窄脈沖觸發(fā)電路中，可選擇一些 VG、IG 低一些的管子，如 VGT、IGT 在≤100mA 以下。圖 12 晶閘管原理圖2 設(shè)計(jì)方案及選擇由于題目要求輸出電壓范圍為 0～100V，所以方案可選電阻性負(fù)載或阻感性負(fù)載。圖中的晶閘管 VT1 和 VT2 也可以用一個(gè)雙向晶閘管代替。門極觸發(fā)信號(hào)有直流信號(hào)、交流信號(hào)和脈沖信號(hào)三種基本形式。這種觸發(fā)形式也存在許多缺點(diǎn)，如：在溫度變化和交流電壓幅值波動(dòng)時(shí)，觸發(fā)延遲角不穩(wěn)定，可通過交流電壓 u。KC05 可控硅移相觸發(fā)器適用于雙向可控硅或兩只反向并聯(lián)可控硅的交流相位控制。由此可知，理論分析與仿真結(jié)果是一致的。通過單相半波交流電路的設(shè)計(jì)，使我
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