【正文】 通，V2截止，U0＝0V。 。（1）求室溫300K時自由電子和空穴的熱平衡濃度值，并說明半導體為P型或N型。（2）因為=cm，所以多子空穴濃度 cm少子電子濃度 ==cm該半導體為P型。 ，設二極管均為理想二極管。當ui＝5sinωt(V)時，(a)所示。 ，設穩(wěn)壓管的Uz＝5V。 （2）穩(wěn)壓管的參數如（1）中所示，R=100，=250，試求允許的變化范圍。（1）說明每種濃度分布曲線所對應的發(fā)射結和集電結的偏置狀態(tài)。圖 (b)：放大。9V1VD（a）TRB470kRC2kRE1k（b）TRB100kRC2kRE1k（c）15V15V解：題圖（b）：處于放大狀態(tài)題圖（c）：A，mA(V)不可能，表明晶體管處于飽和狀態(tài)。已知β＝100，UBE＝(1)估算直流工作點ICQ、UCEQ。根據題意，當時，電流應是最低值1mA，UCE應是最大值，因為已給出，故可寫出： 解得 如果RC未知，可以根據UCC的數值假設某一數值，本題設，則。設ui是正弦信號，晶體管工作在放大區(qū)，各電容對信號可視作短路。 （2）不變，負載線斜率不變，和同時變化，（c）所示。ii=ibRCRLrceicioUo++Us+()RoRi(b)Rs （3）計算輸入電阻、輸出電阻。高頻混合π型等效電路如下圖所示。解：圖(a)所示電路為共集—共射組合電路。各電容對交流信號可視作短路。 圖 (a)：N溝耗盡型MOSFET，=2mA,V。 圖（d）中，為N溝JFET，VV，所以工作在截止區(qū)。(1) 試說明該放大器的中頻增益、上限頻率fH和下限頻率fL、通頻帶BW。輸入下列信號時會產生什么失真？（1）、ui(t)=(2π104t)(V) （2）、ui(t)=10sin(2π3106t)(mV)（3）、ui(t)=10sin(2π400t)+ 10sin(2π106t) (mV)（4）、ui(t)=10sin(2π10t)+ 10sin(2π5104t) (mV)（5）、ui(t)=10sin(2π103t)+ 10sin(2π107t) (mV)解：（1）輸入信號為單一頻率正弦波，所以不存在頻率失真問題。不會出現(xiàn)非線性頻率失真。已知晶體管和的，并設UBE(on)=,rbb’=0,rce=165。180。(4)當R1增大時，Aud、Rud將如何變化？(2) 其波形如圖所示。 。電路(c) V1與V3間為電壓串聯(lián)負反饋。試問：RS+UsR1R2R3(a)C1T1T2R4R6C2C3RLUCCRS+UsR1R2C1T1RLUCC+Uo+Uo(b)R4C2T2R5R5(1) 反饋電路的連接是否合理？為發(fā)揮反饋效果，兩個電路對RS有何要求？(2) 當信號源內阻變化時，哪個電路的輸出電壓穩(wěn)定性好？哪個電路源電壓增益的穩(wěn)定性能力強？(3) 當負載RL變化時，哪個電路輸出電壓穩(wěn)定性好？哪個電路源電壓增益穩(wěn)定能力強？解：(1)圖(a)：第一級是電流串聯(lián)負反饋，第二級是電壓并聯(lián)負反饋，第一級對第二級相當于恒流源激勵，對第二級是合理的；對第一級要求恒壓源激勵，以使電流串聯(lián)負反饋起作用，即RS越小越好。(3)在深反饋條件下：。(2) 分別寫出反饋系數的表達式。15V。根據虛斷特性，根據線性疊加原理，所以，當時，；當時。試求(1) 輸出信號的最大功率；(2) 輸出最大信號功率時電源的功率、集電極功耗（單管）和效率；(3) 每個晶體管的最大耗散功率PTm是多少？在此條件下的效率是多少？圖題82解：(1) (2) (3) 功放電路如圖題88所示，試問(1) 指出電路中的反饋通路，并判斷反饋組態(tài)；(2) 估算電路在深度負反饋時的閉環(huán)電壓增益；(3) ，電路的最大輸出功率為多少？晶體管的參數ICM、PCM、U(BR)CEO如何選??？(4) 如要求輸出電壓Uom=8V，輸入信號Uim=？圖題88(1)100kΩ、1 kΩ電阻構成了互補乙類功放電路和運放構成的同相比例放大器之間的反饋通路。(2) uOuO2的波形是全波整流還是半波整流？圖題92解：（1）uOuO2對地的極性如圖題92所示。圖題94解：（1）當電位器RW調至最上端時，此時UO最小， 當電位器RW調至最下端時，此時UO最大，所以輸出電壓UO的調節(jié)范圍為9V～18V。 在圖題93所示橋式整流、電容濾波電路中，變壓器次級電壓有效值U2=20V，RL=20Ω，試求：(1) 負載電流IL。(2) ，根據，所以得(3) 晶體管的參數應滿足如下條件： (4)因為，所以第九章 單相全波整流電路如圖題91所示，圖中已標出變壓器副邊繞組電壓有效值?！?a)。 （a） （b）解：(1)電路（a）為反相比例放大器，,電路（b）為同相比例放大器，(a)(b)所示。RSR1R2R3R4C1C2IiUCCT1T2+Uo(a)+UsUoT1T2C1C2IiR218k R310k R110k R53k R41k RL10k R627k (b)UCC+UsRS解:(1) 圖(a)：電壓并聯(lián)負反饋圖(b)：電流并聯(lián)負反饋（2）圖(a)： 圖(b)：(3) 圖(a)： 圖(b)：。(2)應采用電壓并聯(lián)負反饋。 (2)圖(a)：輸入端是串聯(lián)負反饋，Rif大，RS小，而且RifRS，當RS變化時，源電壓增益的變化不大，即穩(wěn)定性較好，輸出電壓當然也就穩(wěn)定。 。（2）若RC變?yōu)椋瑄0波形有何變化？為什么？(a) (b)解：（1）由于Uid=,電路呈現(xiàn)限幅特性，其u0波形如題圖(b)所示。 。 差模輸出電阻：(3)單端輸出差模電壓增益： 共模電壓增益：共模抑制比： (Aud為單)共模輸入電阻： 共模輸出電阻： (4)設晶體管的UCB=0為進入飽和區(qū)，并略去RB