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清華大學(xué)20xx年材料科學(xué)基礎(chǔ)試卷及答案(完整版)

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【正文】 01）轉(zhuǎn)向壓縮面，產(chǎn)生織構(gòu)。7. As2Ga2+Ga2+N28. 解：由得∴Q＝ eV二、解：（1）FCC滑移系統(tǒng)為根據(jù)映象規(guī)則，初始滑移系統(tǒng)為（2）單滑移時試樣軸應(yīng)轉(zhuǎn)向轉(zhuǎn)軸為（3）雙滑移系統(tǒng)為（4）令，得：∴，得，雙滑移時軸一方面轉(zhuǎn)向，軸為；一方面轉(zhuǎn)向，轉(zhuǎn)軸為。（2）說明新生成的全位錯屬哪類位錯？該位錯能否滑移？為什么？（3），試計(jì)算該新生全位錯單位長度的受力大小，并說明方向（設(shè)晶格常數(shù)為a＝）。5. 在FCC、BCC和HCP晶胞中分別畫出任一個四面體間隙；并指出其中心的坐標(biāo)：FCC ；BCC ；HCP ；每個晶胞中的八面體間隙數(shù)量為：FCC 個；BCC 個；HCP 個。 6. 體心單斜是不是一種獨(dú)立的布拉菲點(diǎn)陣，請

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