【正文】 光電敏感器件進(jìn)行光譜、光度的定量計(jì)算，常需要對(duì)光輻射給出相應(yīng)的計(jì)量參數(shù)和量綱。求出該激光束的光通量、發(fā)光強(qiáng)度、光亮度、光出射度。 光輻射的調(diào)制方法有內(nèi)調(diào)制和外調(diào)制。 Pockels效應(yīng)：折射率的改變與外加電場(chǎng)成正比的電光效應(yīng)。當(dāng)半導(dǎo)體材料受光照時(shí)，由于對(duì)光子的吸收引起載流子濃度的增大，因而導(dǎo)致材料電導(dǎo)率的增大，這種現(xiàn)象稱光電導(dǎo)效應(yīng)。？了解它有何重要性？ 光電器件對(duì)功率相同而波長(zhǎng)不同的入射光的響應(yīng)不同，即產(chǎn)生的光電流不同。？它有哪些特點(diǎn)？ 表面區(qū)域能帶彎曲，真空能級(jí)降低到導(dǎo)帶之下。 G光=G亮G暗=1/501/5000=（s）該樣品的光電導(dǎo)即為所求。如果用導(dǎo)線或電阻把N區(qū)和P區(qū)連接起來，回路中就會(huì)有光電流I流過，電流方向是由P區(qū)流向N區(qū)。特點(diǎn)：頻帶寬，線性輸出范圍寬。同時(shí)，由于I層的電阻率很高，故能承受很高的電壓，I層電場(chǎng)很強(qiáng)，對(duì)少數(shù)載流子漂移運(yùn)動(dòng)起加速作用，雖然渡越距離增大一些，但少數(shù)載流子的渡越時(shí)間相對(duì)還是短了。要求光照大于200lx時(shí)繼電器J吸合。3）光電子通過電子加速和電子光學(xué)系統(tǒng)聚焦入射到第一倍增極D1上，倍增極將發(fā)射出比入射電子數(shù)目更多的二次電子，入射電子經(jīng)N級(jí)倍增極倍增后光電子就放大N次方倍。 (a)畫出具有11級(jí)倍增極，負(fù)高壓1200V供電，均勻分壓的光電倍增管的工作原理，分別寫出各部分名稱及標(biāo)出Ik，Ip和Ib的方向。極限分辨率和調(diào)制傳遞函數(shù)（MTF） 極限分辨率：人眼能分辨的最細(xì)條數(shù)。CCD的輸出信號(hào)有什么特點(diǎn)？答：構(gòu)成CCD的基本單元是MOS(金屬氧化物半導(dǎo)體)電容器。因此，電荷耦合器件必須工作在瞬態(tài)和深度耗盡狀態(tài)，才能存儲(chǔ)電荷。t2時(shí)刻，φφ2為高電位，φ3為低電位，則φφ2下的兩個(gè)勢(shì)阱的空阱深度相同，但因φ1下面存儲(chǔ)有電荷，則φ1勢(shì)阱的實(shí)際深度比φ2電極下面的勢(shì)阱淺，φ1下面的電荷將向φ2下轉(zhuǎn)移，直到兩個(gè)勢(shì)阱中具有同樣多的電荷。輸出結(jié)構(gòu)包括輸出柵OG、浮置擴(kuò)散區(qū)FD、復(fù)位柵R、復(fù)位漏RD以及輸出場(chǎng)效應(yīng)管T等。 CCD輸出信號(hào)的特點(diǎn)是：信號(hào)電壓是在浮置電平基礎(chǔ)上的負(fù)電壓；每個(gè)電荷包的輸出占有一定的時(shí)間長(zhǎng)度T。亮度很低的可見光圖像或者人眼不可見的光學(xué)圖像經(jīng)光電陰極轉(zhuǎn)換成電子圖像；電子光學(xué)系統(tǒng)將電子圖像聚焦成像在熒光屏上，并使光電子獲得能量增強(qiáng)；熒光屏再將入射到其上的電子圖像轉(zhuǎn)換為可見光圖像。 ⑴存儲(chǔ)密度高⑵數(shù)據(jù)傳輸速率高⑶存儲(chǔ)壽命長(zhǎng)⑷信息位價(jià)低⑸更換容易？每一代的特點(diǎn)是什么？自美國ECD及IBM公式共同研制出第一片光盤以來，光盤經(jīng)歷了四代：⑴只讀存儲(chǔ)光盤（read only memory，ROM） 這種光盤中的數(shù)據(jù)是在光盤生產(chǎn)過程中刻入的，用戶只能從光盤中反復(fù)讀取數(shù)據(jù)。近紅外波段的激光作用在介質(zhì)上，能加劇介質(zhì)網(wǎng)絡(luò)中原子、分子的振動(dòng)，從而加速相變的進(jìn)行。⑶信息的擦除 對(duì)應(yīng)介質(zhì)從玻璃態(tài)G向晶態(tài)C的轉(zhuǎn)變。在寫入信息時(shí)，磁光讀寫頭的脈沖激光聚焦在介質(zhì)表面，光照微斑因升溫而迅速退磁，此時(shí)通過讀寫頭中的線圈施加一反偏磁場(chǎng)，就可使光照區(qū)微斑反向磁化，如圖所示，而無光照的相鄰磁疇磁化方向仍將保持原來的方向，從而實(shí)現(xiàn)磁化方向相反的反差記錄。因此在記錄時(shí)，應(yīng)使光照微斑的溫度升至以上，再用偏置磁場(chǎng)實(shí)現(xiàn)反向磁化。入射光就透過下偏振片，呈現(xiàn)亮場(chǎng)。由于等離子體顯示單元具有很強(qiáng)的開關(guān)特性，能得到較高的圖像對(duì)比度。數(shù)字圖像信號(hào)控制微鏡的開或關(guān)，調(diào)制入射光在屏幕上形成精確的數(shù)字圖像。投影燈光在通過一個(gè)色輪再投射到DMD上。 DLP系統(tǒng)可靠性很高，壽命長(zhǎng)。4. 歲月是無情的，假如你丟給它的是一片空白，它還給你的也是一片空白。你必須努力，當(dāng)有一天驀然回首時(shí)，你的回憶里才會(huì)多一些色彩斑斕，少一些蒼白無力。2. 若不是心寬似海，哪有人生風(fēng)平浪靜。雙片式：用兩個(gè)DMD裝置。圖像RGB二進(jìn)制數(shù)據(jù)控制微鉸鏈，微鉸鏈控制每個(gè)鏡片偏轉(zhuǎn)，以斷通一個(gè)像素的光。 ③有存儲(chǔ)特性，使得在大屏幕顯示時(shí)能得到較高的亮度，因而制作高分辨率大型PDP成為可能。這樣的入射線偏振光不能通過下偏振片，呈現(xiàn)黑色。？持續(xù)光譜燒孔和三維光信息存儲(chǔ)、電子俘獲光存儲(chǔ)技術(shù)、全息信息存儲(chǔ)、光致變色存儲(chǔ)。用線偏振光掃描錄有信息的信道，光束到達(dá)磁化方向向上的微斑，經(jīng)反射后，偏折方向會(huì)繞反射線右旋一個(gè)角度，如圖所示。在此過程中，光誘導(dǎo)缺陷中心可以成為新的成核中心，因此激光作用使成核速率、生長(zhǎng)速度大大增加，從而導(dǎo)致激光熱晶化壁單純熱晶化的速率要高。圖的上半部是用來寫入、讀出及擦除信息的激光脈沖，下半部表示出在這三種不同的脈沖作用下，在介質(zhì)內(nèi)部發(fā)生的相應(yīng)相變過程。⑵一次寫入多次讀出光盤（write once read many，WORM） 這種光盤具有寫、讀兩種功能，寫入數(shù)據(jù)后不可擦除。像增強(qiáng)器：接受微弱可見光圖像的直視型光電成像器件：級(jí)聯(lián)式像增強(qiáng)器、帶微通道板的像增強(qiáng)器、負(fù)電子親和勢(shì)光陰極的像增強(qiáng)器等，功能是完成圖像的亮度增強(qiáng)。據(jù)此特點(diǎn)，對(duì)CCD的輸出信號(hào)進(jìn)行處理時(shí)，較多地采用了取樣技術(shù)，以去除浮置電平、復(fù)位高脈沖及抑制噪聲。電荷包的輸出過程如下：VOG為一定值的正電壓，在OG電極下形成耗盡層，使φ3與FD之間建立導(dǎo)電溝道。此時(shí)φ1下的勢(shì)阱逐漸變淺，使φ1下的剩余電荷繼續(xù)向φ2下的勢(shì)阱中轉(zhuǎn)移。三相CCD是由每三個(gè)柵為一組的間隔緊密的MOS結(jié)構(gòu)組成的陣列。如果MOS結(jié)構(gòu)中的半導(dǎo)體是P型硅，當(dāng)在金屬電極（稱為柵）上加一個(gè)正的階梯電壓時(shí)（襯底接地），SiSiO2界面處的電勢(shì)（稱為表面勢(shì)或界面勢(shì)）