vlsi系統(tǒng)設(shè)計(jì)ppt課件(2)(完整版)
【正文】 +cjswn = +cjswp = +cgon = +cgop = +cjgaten = +cjgatep = .lib 39。 VTH0 = 39。 λ是最小溝道長(zhǎng)度 L的一半，是具體的數(shù)值。 VLSI系統(tǒng)設(shè)計(jì) 2 東南大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院 （ 34） PCM .5 VLSI系統(tǒng)設(shè)計(jì) 2 東南大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院 （ 35） .5 ? 互連線的參數(shù)（ INTERCONNECT PARAMETERS）： ? 薄層電阻（ Sheet Resistance ）（金屬、多晶硅、有源區(qū)等） ? 接觸電阻（ Contact Resistance） ? 線寬偏差（ Delta Line Width）（金屬和多晶硅） ? 臺(tái)階覆蓋（ STEP COVERAGE）： ? 梳齒結(jié)構(gòu)（ Comb Isolation）（金屬和多晶硅） ? 折彎結(jié)構(gòu)（ Serpentine Continuity） ? 晶體管特性（ TRANSISTOR CHARACTERISTICS）： ? 晶體管閾值電壓（ Transistor Threshold Voltage） ? 本征導(dǎo)電因子，導(dǎo)電因子（ Process Gain, Kp (beta/2)） ? Gamma（ γ）系數(shù) (body effect coefficient) ? 飽和電流（ Saturation Current） ? 溝道穿通電壓（ Channel Punchthrough Voltage） ? PN結(jié)擊穿（ Junction Breakdown） ? 厚柵氧（場(chǎng)區(qū)氧化層）晶體管（ FIELD OXIDE TRANSISTORS）： ? 閾值電壓（ Threshold） ? 倒相器（ INVERTERS）： ? 輸出高電平（ Vout, high） ? 輸出低電平（ Vout, low） ? 倒相器閾值（ Inverter Threshold (Vinv)） ? 倒相器閾值處的增益（ Gain at Inverter Threshold） ? 電容（ CAPACITORS）： ? 平板電容（ Area Capacitance） ? 邊緣電容（ Fringe Capacitance） ? 環(huán)行振蕩器（ RING OSCILLATOR）： ? 頻率（ Frequency） PCM部分測(cè)試參量 VLSI系統(tǒng)設(shè)計(jì) 2 東南大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院 （ 36） 測(cè)試圖形及參數(shù)測(cè)量 .5 示例 1： 接觸電阻測(cè)量 金屬 /多晶硅接觸電阻 的 Kelvin測(cè)試結(jié)構(gòu) 測(cè)量步驟： ? 3點(diǎn)上注入電流，測(cè)量 4點(diǎn)間的電壓 ? 1點(diǎn)上注入電流，測(cè)量 4點(diǎn)間的電壓 ? 計(jì)算： 2/)(314213241IVIVR ??? 4點(diǎn)上注入電流，測(cè)量 3點(diǎn)間的電壓 ? 2點(diǎn)上注入電流，測(cè)量 3點(diǎn)間的電壓 ? 計(jì)算： 2/)(423124132 IVIVR ??接觸電阻 =（ R1+R2） /2 VLSI系統(tǒng)設(shè)計(jì) 2 東南大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院 （ 37） 測(cè)試圖形及參數(shù)測(cè)量 .5 示例 1： 接觸電阻測(cè)量 VLSI系統(tǒng)設(shè)計(jì) 2 東南大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院 （ 38） 測(cè)試圖形及參數(shù)測(cè)量 .5 示例 2： 薄層電阻測(cè)量 基于范德堡 （ Van der Pauw） 原理 。 ])(2[ DSTNGSNDS VVVKI ??DSN VLWKS ???????? 2VLSI系統(tǒng)設(shè)計(jì) 2 東南大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院 （ 42） 測(cè)試圖形及參數(shù)測(cè)量 .5 示例 5： 環(huán)行振蕩器測(cè)量 由基數(shù)個(gè)門電路環(huán)接而成 環(huán)行振蕩器的測(cè)量結(jié)果真實(shí)地反映了工藝質(zhì)量，它也可以作為一個(gè)檢驗(yàn)基于 SPICE模型的模擬是否精確的工具。 在較線性的部分做直線擬合，外推到與 VGS坐標(biāo)軸相交處。 驗(yàn)證設(shè)計(jì)正確性的測(cè)試技術(shù)將在第 7章介紹。 CGSO = 39。 MOS .ENDL FS TOX = toxn XL = 39。 MOS .ENDL TT .LIB SS .param toxp = +toxn = +dxl = dxw = 3e8 +dvthn = dvthp = +cjn = +cjp = +cjswn = +cjswp = +cgon = +cgop = +cjgaten = +cjgatep = .lib 39。 FSSox FAsioxoxT C)(NqCQV ???? 222 ??????閾值電壓包括了柵區(qū)閾值電壓和場(chǎng)區(qū)閾值電壓。 ? 工藝線提供工藝加工質(zhì)量的監(jiān)測(cè)方法，形成 PCM（
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