衍射標(biāo)定ppt課件(完整版)
【正文】 C（ C為常數(shù)，稱為相機(jī)常數(shù) ）。第二十一章 電子衍射 ? 按入射電子能量的大小，電子衍射可分為 透射式高能 電子衍射 高能電子衍射 反射式高能電子衍射 低能電子衍射 電子衍射的類型 第一節(jié) 電子衍射原理 ? 電子衍射與 X射線衍射一樣，遵從衍射產(chǎn)生的必要條件（布拉格方程 +反射定律，衍射矢量方程或厄瓦爾德圖解等）和系統(tǒng)消光規(guī)律。 ? 故式（ 83）可改寫(xiě)為 Rd=C （ 84） ? 按 g=1/d[g為 (HKL)面倒易矢量， g即 ?g?]，（ 84）又可改寫(xiě)為 R=Cg （ 85） ? 由于電子衍射 2?很小， g與 R近似平行，故按式（ 85），近似有 R=Cg （ 86） ? 式中： R—— 透射斑到衍射斑的連接矢量，可稱衍射斑點(diǎn)矢量。 ? 各共頂、共軸（ HKL）衍射圓錐與垂直于入射束的感光平面相交，其交線為 一系列同心圓 （稱衍射圓環(huán)）即為 多晶電子衍射花樣 。 ? 因此， 由測(cè)量各衍射環(huán) R值獲得 R2順序比，以之與 N順序比對(duì)照，即可確定樣品點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)類型并標(biāo)出各衍射環(huán)相應(yīng)指數(shù)。 ? 單晶電子衍射花樣標(biāo)定時(shí)除應(yīng)用衍射分析基本公式外還常涉及以下知識(shí)：?jiǎn)尉а苌浠拥闹芷谛浴? ? ① 選取靠近中心斑的不在一條直線上的幾個(gè)斑點(diǎn) (應(yīng)包括與中心斑組成特征平行四邊形的 3個(gè)斑點(diǎn) )。 ? ⑨ 求晶帶軸 嘗試 核算法 表 82 圖 87所示電子衍射花樣標(biāo)定過(guò)程 (2)立方晶系樣品 (未知點(diǎn)陣類型及點(diǎn)陣常數(shù) )電子衍射花樣標(biāo)定 ? ① 選取衍射斑點(diǎn)，測(cè)量各斑點(diǎn) R及各 R之夾角大小。 注意： ? 實(shí)質(zhì)仍為嘗試 核算法 ? (4)非立方晶系樣品電子衍射花樣標(biāo)定 ? 非立方晶系電子衍射花樣仍可采用嘗試 核算法標(biāo)定，但由于其衍射斑點(diǎn)之 R與晶面指數(shù)間關(guān)系遠(yuǎn)不如立方系來(lái)得簡(jiǎn)單，因而標(biāo)定工作煩瑣、計(jì)算量大。 ? “ 180?不唯一性 ” 或 “ 偶合不唯一性 ” 現(xiàn)象的產(chǎn)生，根源在于一幅衍射花樣僅僅提供了樣品的 “ 二維信息 ” 。菊池 (Kikuchi)于 1928年 (在透射電鏡產(chǎn)生以前 )首先描述了這種現(xiàn)象，所以被稱為菊池線。 3．高分辨電子顯微術(shù) ? 前述的衍襯成像是利用電子束振幅變化的單束 (透射束或某一衍射束 )成像，可用于揭示 ≥。 ? 低能電子衍射給出樣品表面 1~5個(gè)原子層的結(jié)構(gòu)信息，是研究晶體表面結(jié)構(gòu)的重要方法。a =0 （ 813） ? 則稱 a*與 b*定義的點(diǎn)陣是 a與 b定義的點(diǎn)陣的倒易點(diǎn)陣。 ? 此外在低能電子衍射裝置中都裝備有原位清洗表面或制備清潔表面的輔助裝置，可實(shí)現(xiàn)原位的濺射剝蝕、在超高真空中沉積新鮮表面等。 ? 不僅應(yīng)用于半導(dǎo)體、金屬及合金等材料表面結(jié)構(gòu)與缺陷的分析及吸附、偏析和重構(gòu)相的分析，也應(yīng)用于氣體吸附、脫附及化學(xué)反應(yīng)、外延生長(zhǎng)、沉積、催化等過(guò)程的研究； ? 也可應(yīng)用于表面動(dòng)力學(xué)過(guò)程，如生長(zhǎng)動(dòng)力學(xué)和熱振動(dòng)的研究等。 ? ? ? 圖 88 二維布拉菲點(diǎn)陣與其倒易點(diǎn)陣 三、低能電子衍射原理 ? ? 低能電子衍射線來(lái)自于樣品表面 (幾個(gè)原子層 )的相干散射。 ? 網(wǎng)格由表示其形狀及大小的兩個(gè)矢量 a與 b描述，稱為 (二維 )點(diǎn)陣基矢或單元網(wǎng)格矢量。 ? 在電子顯微鏡分辨率足夠高的情況下，所用的電子束越多，圖像的分辨率越高。因此，菊池花樣被廣泛用于晶體取向的精確測(cè)定，以
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